Приладово-технологічне моделювання FET’s транзисторів на основі нанострічок

Abstract

Об’єктом дослiдження квалiфiкацiйної роботи є особливості транспорту носiїв заряду польових транзисторiв з каналами у виглядi нанострічок. Мета роботи полягає у дослiдженнi впливу масштабування на електричні параметри польових транзисторiв з каналами у виглядi 2D напівпровідників. Робота складається iз вступу, трьох роздiлiв основної частини та висновкiв. У першому роздiлi наведено огляд характеристик транзисторів із каналами у вигляді 2D напівпровідників. У другому роздiлi розглядається методика моделювання структур польового транзистора з каналом у вигляді MoS2 за допомогою програмного середовища Silvaco TCAD та відповідний програмний код. У третьому роздiлi наведено результати дослідження робочих характеристик польового транзистора з каналом у вигляді MoS2, отриманi результати свідчать про бiльш високу їх продуктивність, ніж приладів з каналами у вигляді вуглецевих нанотрубок.