Analysis of the thermal conditions of pulse impact avalanche transit-time diodes
No Thumbnail Available
Files
Date
2009
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Видавництво СумДУ
Article
Date of Defense
Scientific Director
Speciality
Date of Presentation
Abstract
The nonstationary problem of the thermal process for the pulse mode of impact avalanche transit-time diodes is solved. The one-dimensional thermal model of such diodes, which takes into account the heterogeneity of the thermal power distribution and the heat spreading along the heat sink in the operating temperature range, is considered. The numerical calculation results of the average temperature of the active layer and the thermal resistance on the pulse parameters, as well as on the geometric and thermophysical diode parameters, are presented.
При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/9333
Розв’язана нестаціонарна задача теплового процесу для імпульсного режиму ЛПД. Розглянута одновимірна теплова модель цих діодів, в якій враховані неоднорідність розподілу теплової потужності та розтікання тепла вздовж тепловідводу у робочому інтервалі температур. Наведені результати чисельного розрахунку залежності середньої температури активного шару та теплового опору від параметрів імпульсу, а також від геометричних та теплофізичних параметрів діода. При цитировании документа, используйте ссылку http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/9333
Решена нестационарная задача теплового процесса для импульсного режима ЛПД. Рассмотрена одномерная тепловая модель этих диодов, в которой учтены неоднородность распределения тепловой мощности и растекания тепла по теплоотводу в рабочем интервале температур. Приведены результаты численного расчета зависимости средней темпе-ратуры активного слоя и теплового сопротивления от параметров им-пульса, а также от геометрических и теплофизических параметров диода. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/9333
Розв’язана нестаціонарна задача теплового процесу для імпульсного режиму ЛПД. Розглянута одновимірна теплова модель цих діодів, в якій враховані неоднорідність розподілу теплової потужності та розтікання тепла вздовж тепловідводу у робочому інтервалі температур. Наведені результати чисельного розрахунку залежності середньої температури активного шару та теплового опору від параметрів імпульсу, а також від геометричних та теплофізичних параметрів діода. При цитировании документа, используйте ссылку http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/9333
Решена нестационарная задача теплового процесса для импульсного режима ЛПД. Рассмотрена одномерная тепловая модель этих диодов, в которой учтены неоднородность распределения тепловой мощности и растекания тепла по теплоотводу в рабочем интервале температур. Приведены результаты численного расчета зависимости средней темпе-ратуры активного слоя и теплового сопротивления от параметров им-пульса, а также от геометрических и теплофизических параметров диода. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/9333
Keywords
thermal diffusivity, pulse duration, thermal resistance, тривалість імпульсу, шпаруватість импульсу, тепловий опір, длительность импульса, скважность импульса, тепловое сопротивление
Citation
M.S. Sorokin, A.V. Arkhipov, J. Nano- Electron. Phys. 1 No4, 76 (2009)