Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/37074
Title: The structure, phase and chemical composition of CZTSe thin films
Other Titles: Структура, фазовий і хімічний склад тонких плівок CZTSe
Authors: Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych 
Koval, Pavlo Viktorovych
Коваль, Павел Викторович
Нам, Д.
Nam, D.
Чеонг, Г.
Cheong, H.
Джеонг, А.Р.
Jeong, Ah Reum
Джо, В.
Jo, W.
Ponomarev, A.G.
Keywords: CZTSe
structure
phase
chemical composition
thin films
тонкі плівки
структурний аналіз
PIXE
RBS
тонкие пленки
структурный анализ
structural analysys
Issue Year: 2014
Publisher: STC "Institute for Single Crystals"
Citation: The structure, phase and chemical composition of CZTSe thin films / P.V. Koval, A.S. Opanasyuk, H. Cheong , A.G. Ponamarev // «Functional Materials» 2014, V.21, №2, P.1-7
Abstract: Методами скануючої електронної мікроскопії, рентгеноструктурного аналізу, PIXI та RBS проведено дослідження тонкоплівкових зразків Cu2ZnSnSe4, отриманих співвипаровуванням компонентів з використанням електронно-променевої гармати. Аналіз дифрактограм показав, що плівки є практично однофазними і містять в основному сполуку CZTSe, яка має тетрагональну кристалічну гратку типу кістеріт. У зразках виявлена текстура росту [211]. Параметри гратки матеріалу змінювалися в діапазоні a = (0,56640-0,56867) нм, с = (1,13466-1,13776) нм, с/2a = 0,9983-1,0017, що добре корелює з довідковими даними по стабільній фазі сполуки CZTSe. Аналіз результатів PIXE, дозволив оцінити вплив умов росту на хімічний склад зразків, а також була побудована карта розподілу елементів по поверхні зразків. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/37074
Методами сканирующей электронной микроскопии, рентгеноструктурного анализа, PIXI и RBS проведено исследование тонкопленочных образцов Cu2ZnSnSe4, полученных со-испарением компонентов с использованием электронно-лучевой пушки. Анализ дифрактограмм показал, что пленки являются практически однофазными и содержат в основном соединение CZTSe, имеющее тетрагональную кристаллическую решетку типа кистерит. В образцах обнаружена текстура роста [211]. Параметры решетки материала изменялись в диапазоне a = (0,56640-0,56867) нм, с = (1,13466-1,13776) нм, с/2a = 0,9983-1,0017, что хорошо коррелирует со справочными данными по стабильной фазе соединения CZTSe. Анализ результатов PIXE, позволил оценить влияние условий роста на химический состав образцов, а также была построена карта распределения элементов по поверхности образцов. При цитировании документа, используйте ссылку http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/37074
Cu2ZnSnSe4 thin films obtained by co-evaporation of components using an electron beam evaporation system were investigated by scanning electron microscopy, X-ray analysis, PIXI and RBS methods. The analysis of the diffraction patterns showed that the films are almost single-phased and contain mainly CZTSe compound, which has a tetragonal kesterite lattice type. The samples have textural growth of [211]. The lattice parameters of the material varied in the range of a = (0.56640-0.56867) nm, c = (1.13466-1.13776) nm, c/2a = 0,9983-1,0017 which correlate well with the reference data in a stable phase CZTSe compounds. From our PIXE analyses we assessed the influence of the growth conditions on the samples’ chemical composition and mapped the surface distribution. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/37074
URI: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/37074
Type: Article
Appears in Collections:Наукові видання (ЕлІТ)

Views
Other181
Austria1
Belarus5
China76
Germany6
France2
India1
Japan3
South Korea8
Netherlands1
Russia5
Taiwan3
Ukraine21
United States4
Downloads
Other35
Belarus3
Chile1
China5
Cuba1
Germany2
France1
South Korea3
Russia2
Ukraine3
United States6


Files in This Item:
File Description SizeFormatDownloads 
Koval_The structure, phase and chemical composition of CZTSe thin films.pdf879.44 kBAdobe PDF62Download


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.