Міграція включень в кристалах Cd(Mn)Te

Солодін, С.В.; Копач, О.В.; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Фочук, П.М.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/46190

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Міграція включень в кристалах Cd(Mn)Te
Authors	Солодін, С.В. Копач, О.В. Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych Фочук, П.М.
ORCID	http://orcid.org/0000-0002-1888-3935
Keywords	кристали Cd(Mn)Te кристаллы Cd(Mn)Te Cd(Mn)Te crytstals детектори іонізуючого випромінювання детекторы ионизированного излучения ionization radiation detector
Type	Conference Papers
Date of Issue	2016
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/46190
Publisher	Сумський державний університет
License
Citation	Міграція включень в кристалах Cd(Mn)Te [Текст] / С.В. Солодін, О.В. Копач, А.С. Опанасюк, П.М. Фочук // Матеріали та програма науково-технічної конференції "Фізика, електроніка, електротехніка - 2016" (ФЕЕ-2016), м. Суми, 18-22 квітня. - Суми : СумДУ, 2016. - С. 135.
Abstract	Кристали Cd(Mn)Te позиціонуються як можлива альтернатива кристалам Cd(Zn)Te, що знайшли широке застосування як детектори іонізуючого випромінювання. В даних кристалах з Mn можливо досягти більш однорідного розподілу мангану по кристалу, оскільки коефіцієнт сегрегації Mn в CdTe близький до 1. Це дозволяє підвищити вихід матеріалу з потрібними і відтворюваними електричними характеристиками. Включення другої фази є небажаними структурними недосконалостями в детекторах. Одним з можливих способів їх усунення - це їх міграція у полі температурного градієнту. Тому було вирішено дослідити можливість застосування цього явища і для очистки кристалів Cd(Mn)Te.
Appears in Collections:	Наукові видання (ЕлІТ)