Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Permanent URI for this collectionhttps://devessuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/197

Browse

Search Results

Now showing 1 - 4 of 4
  • Item
    Magnetoresistive Properties of Discontinuous Thin-film Systems Based on Ni80Fe20 and SiOx (x ̳≈ 1)
    (Sumy State University, 2024) Пилипенко, Олександр Валерійович; Pylypenko, Oleksandr Valeriiovych; Пазуха, Ірина Михайлівна; Pazukha, Iryna Mykhailivna; Долгов-Гордійчук, Сергій Романович; Dolhov-Hordiichuk, Serhii Romanovych; Логвинов, Андрій Миколайович; Lohvynov, Andrii Mykolaiovych; Тищенко, Костянтин Володимирович; Tyshchenko, Kostiantyn Volodymyrovych; Troian, R.O.; Komanicky, V.; Шкурдода, Юрій Олексійович; Shkurdoda, Yurii Oleksiiovych
    У роботі наведено результати експериментальних досліджень структури та магніторезистивних властивостей розривних мультишарів [Ni80Fe20(d)/SiOx(5)]5/Підкладка, x ̳~ 1. Використовувався метод пошарового електронно-променевого напарювання. для депонування зразків. Товщина магнітних шарів (d) змінювалася від 4 до 8 нм. Щоб дослідити вплив температури відпалу на магніторезистивні властивості, зразки відпалювали при ступінчастому зростанні температур у діапазоні Tвід. = 300–700 K. Показано, що для всіх наплавлених і відпалених при 400 К зразків спостерігається анізотропний характер магнітоопору (позитивний поздовжній і негативний поперечний) зразків, характерний для одношарових структурнонеперервних плівок сплаву Ni80Fe20. Знайомі всім польові залежності (ΔR/R0)(B) анізотропного характеру – це різка зміна магнітоопору в діапазоні полів – 10 – + 10 мТл і тенденція до насичення в більш важливих полях. Встановлено, що відпал зразків при температурі 500 К з d = 4 – 5 нм призводить до переходу до ізотропного магнітоопору. Це пов’язано зі збільшенням розміру гранул пермалою до 10 нм і утворенням між ними каналів ізолятора шириною 1 – 2 нм. Максимальні значення ізотропного магнітоопору при кімнатній температурі становлять близько 0,1 %. Після відпалу при температурі 600 К спостерігається повторна поява анізотропного магнітоопору в структурах з d = 4 нм. Причиною такого переходу є руйнування структурної безперервності шарів ізолятора і, як наслідок, утворення металевого кластера по всій структурі. Показано, що підвищення температури відпалу до 700 К не викликає зміни характеру магнітоопору, а призводить лише до зростання його величини.
  • Item
    The Structural-Phase State and Diffusion Process in Film Structures Based on Co and Ru
    (Sumy State University, 2018) Чешко, Ірина Володимирівна; Чешко, Ирина Владимировна; Cheshko, Iryna Volodymyrivna; Логвинов, Андрій Миколайович; Логвинов, Андрей Николаевич; Lohvynov, Andrii Mykolaiovych; Проценко, Сергій Іванович; Проценко, Сергей Иванович; Protsenko, Serhii Ivanovych; Салтикова, А.І.
    Представлені результати дослідження кристалічної структури, фазового складу та дифузійних процесів у плівкових системах на основі Co та Ru в діапазоні товщин 5÷60 нм до і після відпалювання до температури 600 К. Було показано, що плівкові системи Co / Ru / П та Co / Ru / Со / П складаються з фази ГЩП-Co та ГЩП-Ru. Плівкові системи до складу яких входять шари Ru до і після відпалювання мають нанодисперсну кристалічну структур. Середній розмір кристалітів зразків до відпалювання не перевищує 3÷5 нм, після відпалювання максимальний середній розмір становив 16 нм для зразків з товщиною шарів 60 нм Результати дослідження дифузійних процесів двошарових плівкових систем Co / Ru / П в різних діапазонах товщин показали, що до і після відпалювання зберігається відносна індивідуальність окремих шарів оскільки розраховані значення ефективних коефіцієнтів термічної дифузії для відносно тонких та відносно товстих плівок лежать в межах від 0.1 до 1.1 × 10 – 19 м2 / с.
  • Item
    Формування багатошарових упорядкованих масивів магнітних наночастинок CoFe2O4
    (Сумський державний університет, 2017) Чешко, Ірина Володимирівна; Чешко, Ирина Владимировна; Cheshko, Iryna Volodymyrivna; Бездідько, Олександр Валерійович; Бездидько, Александр Валерьевич; Bezdidko, Oleksandr Valeriiovych; Логвинов, Андрій Миколайович; Логвинов, Андрей Николаевич; Lohvynov, Andrii Mykolaiovych; Проценко, Сергій Іванович; Проценко, Сергей Иванович; Protsenko, Serhii Ivanovych
    За результатами експериментального дослідження структурних, морфологічних, еліпсометричних та спектрофотометричних властивостей одно- та багатошарових (до 4-х шарів) упорядкованих масивів магнітних наночастинок CoFe2O4 показана ефективність методики їх формування з використанням методу Ленгмюра-Блоджетт та послідуючим відпалюванням у вакуумі до температур Тв = 520-1100 К. Показано, що за значеннями величини поверхневого натягу Р < 10 мН/м формуються несуцільні кластерні масиви наночастинок, а для етапу формування суцільних масивів характерні високі значення Р > 30 мН/м.
  • Item
    Формування приладових наноструктур спін-клапанного типу на основі Со і Сu
    (Сумський державний університет, 2016) Чешко, Ірина Володимирівна; Чешко, Ирина Владимировна; Cheshko, Iryna Volodymyrivna; Костенко, Максим Володимирович; Костенко, Максим Володимирович; Kostenko, Maksym Volodymyrovych; Логвинов, Андрій Миколайович; Логвинов, Андрей Николаевич; Lohvynov, Andrii Mykolaiovych; Проценко, Сергій Іванович; Проценко, Сергей Иванович; Protsenko, Serhii Ivanovych; Гребинаха, В.І.
    У роботі наведені результати дослідження структурно-фазового стану та магніторезистивних властивостей плівкових наносистем спін-клапанного типу на основі Со і Сu. Встановлено, що в процесі одержання та термічного відпалювання до температур Т[в]  700 і 900 К в цих системах відбувається утворення твердого розчину атомів Со в матриці Сu. Було показано, що плівкову систему спінклапанного типу Со(5)/Cu(х)/Со(20)/П доцільно модифікувати, використовуючи замість одного з магнітних шарів Со мультишар [Co/Cu]n. Данна модифікація призводить до підвищення величини магнітоопору до 0,3 ÷ 0,5 %, швидкості перемикання з одного магнітного стану в інший та температурної стабільності всієї наносистеми до температури 700 К, хоча зменшує магнітну чутливість до значень S[B] = (0,1 ÷ 0,2) * 10 – 2 % / (мТл).