Факультет електроніки та інформаційних технологій (ЕлІТ)

Permanent URI for this communityhttps://devessuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/20

Browse

Search Results

Now showing 1 - 10 of 12
  • Item
    Моделювання фізичних процесів у напівпровідникових сонячних елементах на основі гетеропереходів n-ITO(ZnO)/n-CdS(n-ZnS, ZnSe)/p-CZTS
    (Сумський державний університет, 2018) Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Данильченко, П.С.
    Перспективним способом використання сонячної енергії є її перетворення в електричну, використовуючи сонячні елементи (СЕ), зокрема тонкоплівкові прилади типу “superstrate”, які мають багатошарову конструкцію. На теперішній час найбільш поширені СЕ першого та другого поколінь на основі поглинальних шарів Si, CdTe, GaAs, Cu(In1-x,Gax)(S1-xSex)2, які демонструють ефективність більшу за 20 %.
  • Item
    Raman spectroscopy of nanocrystalline Cu2ZnSnS4 thin films obtained by pulsed spray pyrolysis
    (Львівський національний університет ім. Івана Франка, 2015) Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Cheong, H.; Nam, D.
    The sprayed CZTS thin films were deposited using an aqueous solution containing CuCl2·2H2O (0.02 M), ZnCl2 (0.01 M), SnCl2·2H2O (0.015 M) and SC(NH2)2 (0.1 M) at the temperature substrate of 400 0C with the different values of starting solution volume per sample (2 ml, 3 ml, 4 ml, 5 ml).
  • Item
    Структурні властивості тонких плівок ZnO, отриманих методом спрей-піролізу
    (Сумський державний університет, 2013) Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Опанасюк, Надія Миколаївна; Опанасюк, Надежда Николаевна; Opanasiuk, Nadiia Mykolaivna; Авраменко, О.С.
    Тонкі плівки оксиду цинку в наш час отримують такими методами як магнетронне розпилення, хімічне осадження з газової пари, зольгель технологія, спрей-піроліз та ін. Завдяки використанню нескладного технічного обладнання, простоті керування процесом осадження, можливості нанесення плівок великої площі на довільні підкладки найбільш перспективним серед них є метод спрей-піролізу. Мета роботи полягала в виборі вихідних хімічних компонентів для осадження плівок ZnO методом спрей-піролізу, дослідженні структурних властивостей нанесених шарів.
  • Item
    Substructural investigations, Raman, and FTIR spectroscopies of nanocrystalline ZnO films deposited by pulsed spray pyrolysis
    (WILEY-VCH, 2015) Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Колесник, Максим Миколайович; Колесник, Максим Николаевич; Kolesnyk, Maksym Mykolaiovych; Демиденко, Максим Геннадійович; Демиденко, Максим Геннадьевич; Demydenko, Maksym Hennadiiovych; Cheong, Hyeonsik
    Nanocrystalline ZnO films were deposited on to glass substrates in the temperature range of 473–673Kusing pulsed spray pyrolysis. The structural, substructural, and optical properties of the films were investigated bymeans of X-ray diffraction analysis, Raman scattering, and Fourier transform infrared (FTIR) spectroscopy. The effect of the substrate temperature (Ts) on the coherent scattering domain (CSD) sizes L, microstrains e, andmicrostress s grades, and the average density of dislocations r in the films were estimated through the broadening of X-ray lines using the Cauchy and Gauss approximations and the threefold function convolution method. The ZnO films grown at Ts¼623–673K possessed the highest values of L, and the lowest of e, s, and r, indicating high-crystalline quality. The Raman spectra showed peaks located at 95–98, 333–336, 415, 439–442, 572, and 578– 584 cm 1, which were interpreted as E2 low(Zn), (E2 high E2 low), E1(TO), E2 high(O), A1(LO) and E1(LO) phonon modes of the ZnO wurtzite phase. The FTIR spectra showed relatively weak signals at 856, 1405, and 1560 cm 1, corresponding to the C–H and C–O stretching modes, in addition to the main Zn–O mode at 475cm 1, indicating a low content of precursor residues.
  • Item
    Influence of substrate temperature on the structural and optical properties of crystalline ZnO films obtained by pulsed spray pyrolysis
    (Surface and Interface Analysis, 2015) Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Курбатов, Денис Ігорович; Курбатов, Денис Игоревич; Kurbatov, Denys Ihorovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Хіонсік, Чеонг; Хионсик, Чеонг; Hyeonsik, Cheong; Ендрю, Кебот; Эндрю, Кебот; Andreu, Cabot
    In this work, we report on the structural and optical properties of ZnO films deposited by pulsed spray pyrolysis at relatively low temperatures, compatiblewith a large variety of substrates and processing technologies. Crystalline ZnO films were deposited onto glass substrates using zinc acetate dihydrate dissolved in distilled water with concentration of 0.2M. The temperature of the substrate was varied in the range Ts = 473–673K with ΔТ = 50 K. Effect of Ts were investigated by scanning electron microscopy, x-ray diffraction and energy dispersive x-ray, and optical spectroscopies. Also, the influence of Ts on the grain size, phase composition, texture quality, coherent scattering domain size, crystal lattice parameters, chemical composition, ransmission coefficient, and the bang gap of the ZnO films were studied. X-ray diffraction analysis revealed that films were polycrystalline with hexagonal phase and showed as preferential orientation (101) at Ts<573 K and (100) and (002) at Ts>573 K. Scanning electron microscopy (SEM) measurements showed that the substrate temperature has a strong effect on morphology of the films. Energy dispersive analysis revealed that ZnO films consisted of the non-stoichiometric compounds. Optical measurements showed ZnO films to be highly transparent in the visible region, and optical band gap is shifting from 3.18 eV to 3.30 eV.
  • Item
    Раманівська спектроскопія тонких плівок ZnO отриманих методом пульсуючого спрей-піролізу
    (Сумський державний університет, 2015) Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Литвиненко, І.Ю.
    ZnO є прямозонним напівпровідниковим матеріалом n-типу провідності з шириною забороненої зони 3,37 еВ та енергію утворення екситонів 60 меВ. Плівки оксиду цинку завдяки своїм унікальним електричним та оптичним властивостям, поширеності в природі та нетоксичності, широко використовуються у виробництві ультрафіолетових лазерів, газових сенсорів та фотоелектричних перетворювачів.
  • Item
    Оптичні втрати на відбивання в сонячних елементах на основі гетеропереходів n-CdS(n-ZnS) / p-CZTS
    (Сумський державний університет, 2015) Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Данильченко, П.С.
    На сьогоднішній день у масовому виробництві тонкоплівкових сонячних елементів (СЕ) широко використовуються гетеропереходи (ГП) n-CdS/p-(CuInxGa(1 – x)(S, Se)2, CdTe) із верхнім струмознімальним шаром ІТО. Але, такі недоліки як висока вартість In, Ga та Te, токсичність Cd, дають поштовх до пошуку альтернативних функціональних матеріалів та конструкцій фотоперетворювачів.
  • Item
    Synthesis of Cu2ZnSnSe4 nanoparticles by colloidal method
    (Видавництво Львівського національного університуту імені Івана Франка, 2014) Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Кшнякіна, Світлана Іванівна; Кшнякина, Светлана Ивановна; Kshniakina, Svitlana Ivanivna
    Recently the thin films of semiconductor compound Cu2ZnSnSe4 (CZTSe) have attracted the attention of scientific community as alternative layers of CuInSe2 (CIS), CuIn1-xGaxSe2 (CIGS) and CdTe for designing cheap thin film solar cells (SCs). This material has the optimum for conversation solar energy into electricity band gap (Еg = 1 eV), high absorption coefficient (α > 105 cm-1), p-type conductivity and it’s characterized long lifetime as well as high mobility of charge carriers. The colloidal synthesis is promising among nonvacuum chemical methods for obtaining CZTSe nanoparticles which allows synthesizing nanoparticles of a wide range of materials with the possibility of forming films using spin-coating, spray pyrolysis techniques. Also, it is important that the properties of the synthesized nanoparticles strongly depend on the shape and size. The above mentioned purpose main aim of this work which is to study the morphological characteristics and chemical composition of nanoparticles CZTSe with different sizes and shapes of the synthesized by colloidal method.
  • Item
    Оптичні властивості плівок ZnO отриманих хімічним методом
    (Сумський державний університет, 2014) Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Шаповаленко, А.О.; Большаніна, Світлана Борисівна; Большанина, Светлана Борисовна; Bolshanina, Svitlana Borysivna
    Оксид цинку (ZnO) це напівпровідникова сполука, яка має досить широку заборонену зону (Eg = 3,37 еВ) та велику енергію утворення екситонів (60 меВ). Завдяки поширеності складових елементів сполуки у земній корі, термічній та хімічній стабільності в атмосфері, не токсичності, великому коефіцієнту пропускання світла в ультрафіолетовій області електромагнітного спектру оксид цинку широко використовується в електроніці та оптоелектроніці як прозорі провідні шари, вікна сонячних елементів, газові сенсори, світлоемісійні діоди та ін.
  • Item
    Cтруктурні властивості та елементний склад плівок ZnO нанесених методом спрей-піролізу
    (Львівський національний університет ім. І.Франка, 2014) Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Курбатов, Денис Ігорович; Курбатов, Денис Игоревич; Kurbatov, Denys Ihorovych
    Оксид цинку (ZnO) – прямозонний напівпровідник n-типу провідності з широкою забороненою зоною (Eg = 3,37 еВ при T = 300 K) та великою енергією утворення екситонів (60 меВ). Оскільки ZnO не містить рідкісних елементів, він виступає альтернативою традиційним матеріалам прозорих провідних шарів ITO ((In2O3)0.9–(SnO2)0.1) та FTO (SnO2:F)) тонкоплівкових сонячних елементів. В порівнянні з іншими методами нанесення плівок оксиду цинку, спрей-піроліз є простим, відносно дешевим, безвакуумним методом нанесення шарів великою площі на підкладках з різних матеріалів. При використанні цього методу властивості тонких плівок залежать від вибору прекурсорів та фізико-технологічних умов їх нанесення. У зв’язку з цим метою даної роботи стало дослідження впливу температури підкладки на структурні властивості та елементний склад плівок ZnO нанесених методом спрей-піролізу.