Факультет електроніки та інформаційних технологій (ЕлІТ)
Permanent URI for this communityhttps://devessuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/20
Browse
20 results
Search Results
Item Плівки напівпровідників та металів, одержані методом тривимірного друку, для пристроїв електроніки(Національна академія наук України; Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України; Рада молодих вчених Інституту фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2019) Знаменщиков, Ярослав Володимирович; Знаменщиков, Ярослав Владимирович; Znamenshchykov, Yaroslav Volodymyrovych; Шкиря, Ю.І.; Колесник, Максим Миколайович; Колесник, Максим Николаевич; Kolesnyk, Maksym Mykolaiovych; Пшеничний, Роман Миколайович; Пшеничный, Роман Николаевич; Pshenychnyi, Roman Mykolaiovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii SerhiiovychВ роботі досліджені властивості плівок, нанесених 3D друком чорнилами на основі наночастинок металевих (Ag) та напівпровідникових (ZnO, Cu2ZnSnS4) сполук. Такі напівпровідникові плівки можуть бути використані у якості чутливих шарів приладів сенсорики, оптоелектроніки, геліоенергетики, а металічні шари, як струмопровідні доріжки.Item Morphological, structural and optical properties of Mg-doped ZnO nanocrystals synthesized using polyol process(Elsevier Ltd., 2019) Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Д`яченко, Олексій Вікторович; Дьяченко, Алексей Викторович; Diachenko, Oleksii Viktorovych; Колесник, Максим Миколайович; Колесник, Максим Николаевич; Kolesnyk, Maksym Mykolaiovych; Степаненко, Андрій Олександрович; Степаненко, Андрей Александрович; Stepanenko, Andrii Oleksandrovych; Vorobiov, S.I.; Balaz, Peter; Plotnikov, S.V.; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii SerhiiovychУ цій роботі, леговані ZnO нанокристали, та легірований Mg (0,5–20,0 ат.%) були синтезовані з використанням поліольного процесу. Також досліджені їх морфологічні, структурні, оптичні властивості, а також їх хімічний склад. Рентгенівська дифракція, передавальна та скануюча електронна мікроскопія, енергодисперсна рентгенографія, Раман та УФ-спектроскопії були використані для ідентифікації ефективного включення атомів Mg у решітку ZnO без утворення вторинних фаз при Mg до 5 ат.%. При більш високому рівні допінгу Mg були виявлені сліди фази Mg(OH)2. Результати виявили зменшення розмірів та погіршення якості кристалів нанокристалів ZnO із збільшенням легування Mg. Нанокристали ZnO втрачають сферичну форму, утворюючи стрижнеподібні та аморфні наноструктури при Mg ≥ 5 ат.%. Раманові спектри підтвердили режими Е2 (високий), Е2 (низький), Е2 (високий) - Е2 (низький), режим А1 (ТО) для недозволених та режим Eu (ТО) для нанокристалів ZnO, легованих Mg. Оптичний зазор знайдено в діапазоні 3,40–3,80 еВ.Item Photovoltaic Effect of SnS/CdS Heterostructure(2017) Єрьоменко, Юрій Сергійович; Еременко, Юрий Сергеевич; Yeromenko, Yurii Serhiiovych; Возний, Андрій Андрійович; Возный, Андрей Андреевич; Voznyi, Andrii Andriiovych; Косяк, Володимир Володимирович; Косяк, Владимир Владимирович; Kosiak, Volodymyr Volodymyrovych; Шпетний, Ігор Олександрович; Шпетный, Игорь Александрович; Shpetnyi, Ihor Oleksandrovych; Колесник, Максим Миколайович; Колесник, Максим Николаевич; Kolesnyk, Maksym Mykolaiovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii SerhiiovychTin sulphide is a promising absorber material for low-cost and earth abundant thin film solar cells. In this regard, we have studied phase composition, structural, and electrical properties of n-CdS/p-SnS heterostructure obtained by the close spaced vacuum sublimation (CSS) method. Surface and cross- sectional morphology of the structure were studied by using of field emission scanning electron microscope (FESEM). Thickness of the layers (450 nm for SnS and 550 nm for CdS) and growth mechanism were determined directly from heterostructure cross- section. Crystal structure and films purity were studied by X-ray diffraction (XRD) and Raman spectroscopy methods. The light current density-voltage (J-V) characteristic showed small photovoltaic effect with an open-circuit voltage (Voc) of 0.058 mV, a short circuit current density (Jsc) of 3.83 mA/cm2, a fill factor (FF) of 0.41 and an efficiency (n) of 0.092 %.Item Дослідження раманівських спектрів полікристалічних плівок Cd1-хZnхTe(Луцький національний технічний університет, 2016) Знаменщиков, Ярослав Володимирович; Знаменщиков, Ярослав Владимирович; Znamenshchykov, Yaroslav Volodymyrovych; Косяк, Володимир Володимирович; Косяк, Владимир Владимирович; Kosiak, Volodymyr Volodymyrovych; Колесник, Максим Миколайович; Колесник, Максим Николаевич; Kolesnyk, Maksym Mykolaiovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii SerhiiovychВ даній роботі проведено дослідження раманівських спектрів, залежності частот мод фононних коливань від концентрації цинку, а також морфології поверхні, структурних, мікроструктурних властивостей товстих полікристалічних плівок Cd1-xZnxTe (CZT) зі змінним значенням х в діапазоні від х=0.06 до х=0.68.Item Лазерно-індукований фазовий перехід SnS2-SnS та модифікація поверхні у плівках SnS2(Луцький національний технічний університет, 2016) Возний, Андрій Андрійович; Возный, Андрей Андреевич; Voznyi, Andrii Andriiovych; Косяк, Володимир Володимирович; Косяк, Владимир Владимирович; Kosiak, Volodymyr Volodymyrovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Колесник, Максим Миколайович; Колесник, Максим Николаевич; Kolesnyk, Maksym MykolaiovychМетою даного дослідження є вивчення впливу лазерного опромінення на плівки SnS2 з точки зору можливості здійснення при відпалі керованого фазового переходу, покращення кристалічної структури шарів та модифікації їх поверхні.Item Structural and microstructural properties of CdxZn1-xTe films deposited by Close Spaced Sublimation(Journal "Functional Materials", 2016) Знаменщиков, Ярослав Володимирович; Знаменщиков, Ярослав Владимирович; Znamenshchykov, Yaroslav Volodymyrovych; Косяк, Володимир Володимирович; Косяк, Владимир Владимирович; Kosiak, Volodymyr Volodymyrovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Колесник, Максим Миколайович; Колесник, Максим Николаевич; Kolesnyk, Maksym Mykolaiovych; Гриненко, Віталій Вікторович; Гриненко, Виталий Викторович; Hrynenko, Vitalii Viktorovych; Fochuk, P.M.В роботі були досліджені структурні властивості (мікронапруження, текстура, період гратки, розмір областей когерентного розсіювання) та хімічний склад плівок Cd1-xZnxTe (CZT) зі змінною концентрацією цинку. Шари отримані методом термічного випаровування в квазізамкненому об’ємі на підкладках зі скла, покритого молібденом. Властивості плівок були досліджені за допомогою методів рентгенівської дифрактометрії, енергодисперсної спектроскопії, скануючої електронної мікроскопії. Концентрація цинку в шарах CdZnTe була визначена за результатами EDS та за значеннями параметра кристалічної гратки матеріалу, відповідно до літературних даних. Було встановлено, що шари CZT мали концентрації цинку: x = 0.09, x = 0.24, x = 0.30.Item Структурні особливості плівок Cd[1-х]Mn[х]Te(Сумський державний університет, 2016) Колесник, Максим Миколайович; Колесник, Максим Николаевич; Kolesnyk, Maksym Mykolaiovych; Опанасюк, Надія Миколаївна; Опанасюк, Надежда Николаевна; Opanasiuk, Nadiia Mykolaivna; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Голиченко, О.О.; Гусак, Є.І.Проведені дослідження дали можливість вибрати оптимальні режими нанесення плівок Cd[1-х]Mn[х]Te з керованими структурними властивостями та потрібним вмістом марганцю.Item Substructural investigations, Raman, and FTIR spectroscopies of nanocrystalline ZnO films deposited by pulsed spray pyrolysis(WILEY-VCH, 2015) Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Колесник, Максим Миколайович; Колесник, Максим Николаевич; Kolesnyk, Maksym Mykolaiovych; Демиденко, Максим Геннадійович; Демиденко, Максим Геннадьевич; Demydenko, Maksym Hennadiiovych; Cheong, HyeonsikNanocrystalline ZnO films were deposited on to glass substrates in the temperature range of 473–673Kusing pulsed spray pyrolysis. The structural, substructural, and optical properties of the films were investigated bymeans of X-ray diffraction analysis, Raman scattering, and Fourier transform infrared (FTIR) spectroscopy. The effect of the substrate temperature (Ts) on the coherent scattering domain (CSD) sizes L, microstrains e, andmicrostress s grades, and the average density of dislocations r in the films were estimated through the broadening of X-ray lines using the Cauchy and Gauss approximations and the threefold function convolution method. The ZnO films grown at Ts¼623–673K possessed the highest values of L, and the lowest of e, s, and r, indicating high-crystalline quality. The Raman spectra showed peaks located at 95–98, 333–336, 415, 439–442, 572, and 578– 584 cm 1, which were interpreted as E2 low(Zn), (E2 high E2 low), E1(TO), E2 high(O), A1(LO) and E1(LO) phonon modes of the ZnO wurtzite phase. The FTIR spectra showed relatively weak signals at 856, 1405, and 1560 cm 1, corresponding to the C–H and C–O stretching modes, in addition to the main Zn–O mode at 475cm 1, indicating a low content of precursor residues.Item Raman Investigation on ZnS, ZnSe, ZnTe Thin Films Obtained by CSVS Technique(Sumy State University, 2012) Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Іващенко, Максим Миколайович; Иващенко, Максим Николаевич; Ivashchenko, Maksym Mykolaiovych; Климов, Олексій Володимирович; Климов, Алексей Владимирович; Klymov, Oleksii Volodymyrovych; Курбатов, Денис Ігорович; Курбатов, Денис Игоревич; Kurbatov, Denys Ihorovych; Колесник, Максим Миколайович; Колесник, Максим Николаевич; Kolesnyk, Maksym Mykolaiovych; Cheong, H.; Nam, D.In this work, Raman spectra of zinc sulfide, zinc selenide, and zinc telluride thin film semiconductors deposited by the close-spaced vacuum sublimation technique were investigated. All of the films showed longitudinal optical phonon mode replicas. Varying the substrate temperature results in small shifts of the phonon frequencies in ZnSe and ZnTe, but not in ZnS thin films. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35100Item Structural and electrical properties of ZnS/CdTe and ZnTe/CdTe heterostructures(Materials Chemistry and Physics, 2013) Курбатов, Денис Ігорович; Курбатов, Денис Игоревич; Kurbatov, Denys Ihorovych; Косяк, Володимир Володимирович; Косяк, Владимир Владимирович; Kosiak, Volodymyr Volodymyrovych; Колесник, Максим Миколайович; Колесник, Максим Николаевич; Kolesnyk, Maksym Mykolaiovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Данильченко, Сергій Миколайович; Данильченко, Сергей Николаевич; Danylchenko, Serhii Mykolaiovych; Гнатенко, Юрій Павлович; Гнатенко, Юрий Павлович; Hnatenko, Yurii PavlovychWe investigated the structural, substructural and electrical properties of ZnS/CdTe and ZnTe/CdTe heterostructures obtained by the close-spaced vacuum sublimation. It was found that the structural properties of CdTe and ZnTe thin films deposited on ZnS or CdTe sublayers are better than those of the films obtained on glass substrate at the same growth conditions. XRD-analysis has shown that Zn(x)Cd(1- x)Te(x = 0.21-0.30) solid solutions having the cubic phase were formed near the films’ interfaces. Furthermore, the saturation current, the ideality factor and the value of the potential barrier height were determined by the analysis of dark currentevoltage characteristics. This makes it possible to establish optimal growth conditions of ZnS/CdTe heterojunctions. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/30162