Факультет електроніки та інформаційних технологій (ЕлІТ)
Permanent URI for this communityhttps://devessuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/20
Browse
230 results
Search Results
Item Вплив вмісту селену на електричні властивості плівок CdZnTeSe(Сумський державний університет, 2025) Лісовенко, О.І.; Знаменщиков, Ярослав Володимирович; Znamenshchykov, Yaroslav Volodymyrovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Opanasiuk, Anatolii SerhiiovychЧотирьохкомпонентна сполука CdZnTeSe (Cd1-xZnxTe1-ySey) вивчається як матеріал нового покоління для створення детекторів іонізуючого випромінювання, що працюють при кімнатній температурі. Додавання селену до кристалічної гратки CdZnTe приводить до її ефективного зміцнення, а зі збільшенням вмісту Se знижується концентрація включень/преципітатів телуру. Встановлено, що кристали CdZnTeSe демонструють кращу кристалічність, ніж CdZnTe, що у свою чергу може привести до більшого виходу високоякісного матеріалу з електричними та спектроскопічними властивостями характерними для матеріалів CdTe та CdZnTe [1].Item Вплив елементного складу на структурні та оптичні властивості плівок Cd1-xZnxS(Сумський державний університет, 2025) Мороз, Н.В.; Знаменщиков, Ярослав Володимирович; Znamenshchykov, Yaroslav Volodymyrovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Opanasiuk, Anatolii SerhiiovychУ роботі вивчаються структурні та оптичні властивості плівок твердого розчину Cd1-xZnxS зі змінним вмістом цинку. Індекс x в формулі Cd1-xZnxS вказує на масову частку елементу Zn, де x є [0;1].Item Вплив оптичних та рекомбінаційних втрат на функціональні характеристики тонкоплівкових сонячних перетворювачів на основі гетеропереходів n-CdS(ZnO, MgO)/p-Cu12Sb4S13(Сумський державний університет, 2025) Забуга, А.; Доброжан, Олександр Анатолійович; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Opanasiuk, Anatolii SerhiiovychТетраедритна сполука Cu12Sb4S13 (CAS) є новітнім фотоелектричним матеріалом 3-ого покоління, що привертає особливу увагу завдяки нетоксичному складу та широкому поширенню компонентів у земній корі. Окрім цього, у легованому стані (зокрема цинком та селеном) вона характеризується надзвичайно високим коефіцієнтом поглинання світла (~10⁵ см⁻¹), що дає змогу зменшити товщину поглинального шару сонячних елементів (СЕ) до сотень нанометрів, роблячи їх прозорими та гнучкими. Хоча сполука CAS добре досліджена в термоелектриці, її ефективність в якості поглинального шару СЕ потребує подальшого вивчення.Item Побудова зонної діаграми гетеропереходу n-ZnO/p-CuO(Сумський державний університет, 2025) Єрмаков, Максим Сергійович; Yermakov, Maksym Serhiiovych; Абушаммала, А.Е.Н.; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Opanasiuk, Anatolii SerhiiovychГетероперехід (ГП) n-ZnO/p-CuO є одним із перспективних об’єктів дослідження в сучасній електроніці та оптоелектроніці. Поєднання оксиду цинку (ZnO) з оксидом міді (CuO) утворює унікальну гетероструктуру з широкими можливостями для застосування у сонячних елементах, датчиках газу, фотодетекторах і транзисторах. ZnO є напівпровідником з прямою шириною забороненої зони близько 3,27 еВ, високою прозорістю у видимому діапазоні та гарними електронними характеристиками. CuO, у свою чергу, володіє шириною забороненої зони приблизно 1,65 еВ і хорошими поглинальними характеристиками. Гетероперехід n-ZnO/p-CuO має високу чутливість до світла та ефективне розділення носіїв заряду, що робить його перспективним для використання в електроніці.Item Вплив відпалів на структурні характеристики плівок ZnO:In для фронтальних контактів сонячних елементів(Сумський державний університет, 2025) Єрмаков, Максим Сергійович; Yermakov, Maksym Serhiiovych; Карпенко, Я.; Пшеничний, Роман Миколайович; Pshenychnyi, Roman Mykolaiovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Opanasiuk, Anatolii SerhiiovychНа цей час актуальним завданням є пошук екологічно безпечних матеріалів для створення функціональних шарів сонячних елементів (СЕ). Важливу роль у таких пристроях відіграють прозорі провідні оксиди (ППО), які поєднують високу електропровідність із високою оптичною прозорістю. Найбільш перспективним ППО є оксид цинку (ZnO) завдяки високій прозорості у видимому діапазоні, широкій забороненій зоні (~3,37 еВ) і хорошій провідності. Однак для покращення його електрофізичних характеристик, зокрема для зниження опору та підвищення концентрації носіїв заряду, необхідно проводити легування ZnO металами III групи. Перспективним матеріалом для цього є Індій, що зменшує питомий опір оксиду, роблячи його конкурентним для застосувань у прозорій електроніці.Item Фазовий склад наночастинок Zn1-xMgxO(Сумський державний університет, 2025) Бойко, Б.; Пшеничний, Роман Миколайович; Pshenychnyi, Roman Mykolaiovych; Доброжан, Олександр Анатолійович; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Дегтяренко, В.Zn1-xMgxO (ZMO) є твердим розчином сполук ZnO і MgO, де введення Mg змінює кристалічну структуру та ширину забороненої зони (Eg) матеріалу. ZnO кристалізується у гексагональній фазі вюрциту (Eg ≈ 3,37 еВ), тоді як MgO має кубічну структуру NaCl (Eg ≈ 7,8 еВ). Відомо, що при x ⩽ 0,49 у розчині спостерігається гексагональна фаза, а при x ⩾ 0,5 формується кубічна структура, що визначає його фізико-хімічні властивості. Контроль фазового складу ZMO є важливим для оптимізації оптичних і електричних характеристик матеріалу, а можливість зміни Eg робить його перспективним для застосування в оптоелектроніці, в першу чергу, як детекторного матеріалу на ультрафіолетову область спектра.Item Раманівські спектри плівок ZnO, легованих Cu, отриманих методом пульсуючого спрей-піролізу(Сумський державний університет, 2025) Бойко, Б.; Єрмаков, Максим Сергійович; Yermakov, Maksym Serhiiovych; Пшеничний, Роман Миколайович; Pshenychnyi, Roman Mykolaiovych; Доброжан, Олександр Анатолійович; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Стриженко, Є.Оксид цинку (ZnO) – відомий напівпровідник n-типу з широкою забороненою зоною (3,37 еВ), високою енергією зв’язків екситонів (60 меВ), нетоксичністю та радіаційною стійкістю. Легування металами значно змінює його фізичні властивості. Мідь (Cu) є перспективним легуючим елементом цієї сполуки через подібність до Zn за іонним радіусом і електронною структурою, а також здатність покращувати люмінесценцію та індукувати феромагнетизм за кімнатної температури. Легований міддю ZnO має контрольовані оптичні властивості та електропровідність, що робить його перспективним для створення газових детекторів, світлодіодів та пристроїв спінтроніки.Item Сенсор токсичних газів з декількома чутливими елементами(Сумський державний університет, 2025) Васильєв, В.; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Остапенко, С.Сучасні методи моніторингу газових забруднень вимагають розробки високочутливих сенсорів із швидким відгуком та стабільними характеристиками. Двокомпонентні оксидні матеріали, зокрема ZnO, MgO, NiO, а також складна оксидна сполука Zn₂SnO₄, демонструють значний потенціал для створення сенсорів токсичних газів, таких як CH₄, CO, SO₂, NO₂ та інші. Ці матеріали характеризуються високою хімічною стабільністю, можливістю точного контролю їх електрофізичних характеристик та чутливістю до змін у складі навколишнього середовища. Враховуючи військові конфлікти та їх екологічні наслідки, розробка таких сенсорів є надзвичайно актуальною для швидкого виявлення забруднювачів у повітрі.Item Вплив складу сполуки CZTSSe на величину оптичних втрат у сонячних елементах на основі гетеропереходів n-ITO(ZnO)/nCdS/p-CZTSSe(Сумський державний університет, 2020) Волобуєв, В.В.; Кахерьский, Станіслав Ігорович; Кахерский, Станислав Игоревич; Kakherskyi, Stanislav Igorevich; Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii SerhiiovychУ наш час для перетворення сонячної енергії у електричну в основному використовуються сонячні елементи (СЕ), що базуються на кремнієвих технологіях (перше покоління СЕ), однак останні роки все частіше почали застосовуватися тонкоплівкові фотоперетворювачі (ФЕП) на основі гетеропереходів (ГП) з поглинальними шарами GaAs, InP, CdTe, CuIn1-yGaySe2 (CIGS), які відносяться до другого покоління таких приладів.Item Raman Characterisation of Cd1−xZnx Te Thick Polycrystalline Films Obtained by the Close-Spaced Sublimation(Institute of Physics of the Polish Academy of Sciences, 2017) Знаменщиков, Ярослав Володимирович; Знаменщиков, Ярослав Владимирович; Znamenshchykov, Yaroslav Volodymyrovych; Косяк, Володимир Володимирович; Косяк, Владимир Владимирович; Kosiak, Volodymyr Volodymyrovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Дорда, Віталій Олександрович; Дорда, Виталий Александрович; Dorda, Vitalii Oleksandrovych; Fochuk, P.M.; Medvids, A.In this work, we studied the Raman spectra of thick polycrystalline Cd1-xZnx Te (CZT) films with x ranged from 0.06 to 0.68. Additionally, the surface morphology and structural properties were studied in order to determine the crystalline quality of the samples. The Raman spectra had a two-mode behavior typical for CZT solid solution and showed CdTe- and ZnTe-like longitudinal and transverse optical modes. The relationship between the frequencies of CdTe- and ZnTe-related modes on x was studied. We observed the deviation of the compositional dependence of phonon mode frequencies for polycrystalline CZT films in comparison with a similar dependence for CZT single crystals. Such deviation was caused by the effect of structural defects in polycrystalline films on frequencies of vibrational modes. The values of excitation wavelength, which allow achieving of high signal-to-noise ratio on the Raman spectra of CZT films with different zinc concentration in the result of resonant enhancement of phonon modes intensities, were experimentally determined.