Факультет електроніки та інформаційних технологій (ЕлІТ)
Permanent URI for this communityhttps://devessuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/20
Browse
240 results
Search Results
Item Вплив вмісту селену на електричні властивості плівок CdZnTeSe(Сумський державний університет, 2025) Лісовенко, О.І.; Знаменщиков, Ярослав Володимирович; Znamenshchykov, Yaroslav Volodymyrovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Opanasiuk, Anatolii SerhiiovychЧотирьохкомпонентна сполука CdZnTeSe (Cd1-xZnxTe1-ySey) вивчається як матеріал нового покоління для створення детекторів іонізуючого випромінювання, що працюють при кімнатній температурі. Додавання селену до кристалічної гратки CdZnTe приводить до її ефективного зміцнення, а зі збільшенням вмісту Se знижується концентрація включень/преципітатів телуру. Встановлено, що кристали CdZnTeSe демонструють кращу кристалічність, ніж CdZnTe, що у свою чергу може привести до більшого виходу високоякісного матеріалу з електричними та спектроскопічними властивостями характерними для матеріалів CdTe та CdZnTe [1].Item Вплив елементного складу на структурні та оптичні властивості плівок Cd1-xZnxS(Сумський державний університет, 2025) Мороз, Н.В.; Знаменщиков, Ярослав Володимирович; Znamenshchykov, Yaroslav Volodymyrovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Opanasiuk, Anatolii SerhiiovychУ роботі вивчаються структурні та оптичні властивості плівок твердого розчину Cd1-xZnxS зі змінним вмістом цинку. Індекс x в формулі Cd1-xZnxS вказує на масову частку елементу Zn, де x є [0;1].Item Вплив оптичних та рекомбінаційних втрат на функціональні характеристики тонкоплівкових сонячних перетворювачів на основі гетеропереходів n-CdS(ZnO, MgO)/p-Cu12Sb4S13(Сумський державний університет, 2025) Забуга, А.; Доброжан, Олександр Анатолійович; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Opanasiuk, Anatolii SerhiiovychТетраедритна сполука Cu12Sb4S13 (CAS) є новітнім фотоелектричним матеріалом 3-ого покоління, що привертає особливу увагу завдяки нетоксичному складу та широкому поширенню компонентів у земній корі. Окрім цього, у легованому стані (зокрема цинком та селеном) вона характеризується надзвичайно високим коефіцієнтом поглинання світла (~10⁵ см⁻¹), що дає змогу зменшити товщину поглинального шару сонячних елементів (СЕ) до сотень нанометрів, роблячи їх прозорими та гнучкими. Хоча сполука CAS добре досліджена в термоелектриці, її ефективність в якості поглинального шару СЕ потребує подальшого вивчення.Item Побудова зонної діаграми гетеропереходу n-ZnO/p-CuO(Сумський державний університет, 2025) Єрмаков, Максим Сергійович; Yermakov, Maksym Serhiiovych; Абушаммала, А.Е.Н.; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Opanasiuk, Anatolii SerhiiovychГетероперехід (ГП) n-ZnO/p-CuO є одним із перспективних об’єктів дослідження в сучасній електроніці та оптоелектроніці. Поєднання оксиду цинку (ZnO) з оксидом міді (CuO) утворює унікальну гетероструктуру з широкими можливостями для застосування у сонячних елементах, датчиках газу, фотодетекторах і транзисторах. ZnO є напівпровідником з прямою шириною забороненої зони близько 3,27 еВ, високою прозорістю у видимому діапазоні та гарними електронними характеристиками. CuO, у свою чергу, володіє шириною забороненої зони приблизно 1,65 еВ і хорошими поглинальними характеристиками. Гетероперехід n-ZnO/p-CuO має високу чутливість до світла та ефективне розділення носіїв заряду, що робить його перспективним для використання в електроніці.Item Вплив відпалів на структурні характеристики плівок ZnO:In для фронтальних контактів сонячних елементів(Сумський державний університет, 2025) Єрмаков, Максим Сергійович; Yermakov, Maksym Serhiiovych; Карпенко, Я.; Пшеничний, Роман Миколайович; Pshenychnyi, Roman Mykolaiovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Opanasiuk, Anatolii SerhiiovychНа цей час актуальним завданням є пошук екологічно безпечних матеріалів для створення функціональних шарів сонячних елементів (СЕ). Важливу роль у таких пристроях відіграють прозорі провідні оксиди (ППО), які поєднують високу електропровідність із високою оптичною прозорістю. Найбільш перспективним ППО є оксид цинку (ZnO) завдяки високій прозорості у видимому діапазоні, широкій забороненій зоні (~3,37 еВ) і хорошій провідності. Однак для покращення його електрофізичних характеристик, зокрема для зниження опору та підвищення концентрації носіїв заряду, необхідно проводити легування ZnO металами III групи. Перспективним матеріалом для цього є Індій, що зменшує питомий опір оксиду, роблячи його конкурентним для застосувань у прозорій електроніці.Item Фазовий склад наночастинок Zn1-xMgxO(Сумський державний університет, 2025) Бойко, Б.; Пшеничний, Роман Миколайович; Pshenychnyi, Roman Mykolaiovych; Доброжан, Олександр Анатолійович; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Дегтяренко, В.Zn1-xMgxO (ZMO) є твердим розчином сполук ZnO і MgO, де введення Mg змінює кристалічну структуру та ширину забороненої зони (Eg) матеріалу. ZnO кристалізується у гексагональній фазі вюрциту (Eg ≈ 3,37 еВ), тоді як MgO має кубічну структуру NaCl (Eg ≈ 7,8 еВ). Відомо, що при x ⩽ 0,49 у розчині спостерігається гексагональна фаза, а при x ⩾ 0,5 формується кубічна структура, що визначає його фізико-хімічні властивості. Контроль фазового складу ZMO є важливим для оптимізації оптичних і електричних характеристик матеріалу, а можливість зміни Eg робить його перспективним для застосування в оптоелектроніці, в першу чергу, як детекторного матеріалу на ультрафіолетову область спектра.Item Раманівські спектри плівок ZnO, легованих Cu, отриманих методом пульсуючого спрей-піролізу(Сумський державний університет, 2025) Бойко, Б.; Єрмаков, Максим Сергійович; Yermakov, Maksym Serhiiovych; Пшеничний, Роман Миколайович; Pshenychnyi, Roman Mykolaiovych; Доброжан, Олександр Анатолійович; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Стриженко, Є.Оксид цинку (ZnO) – відомий напівпровідник n-типу з широкою забороненою зоною (3,37 еВ), високою енергією зв’язків екситонів (60 меВ), нетоксичністю та радіаційною стійкістю. Легування металами значно змінює його фізичні властивості. Мідь (Cu) є перспективним легуючим елементом цієї сполуки через подібність до Zn за іонним радіусом і електронною структурою, а також здатність покращувати люмінесценцію та індукувати феромагнетизм за кімнатної температури. Легований міддю ZnO має контрольовані оптичні властивості та електропровідність, що робить його перспективним для створення газових детекторів, світлодіодів та пристроїв спінтроніки.Item Сенсор токсичних газів з декількома чутливими елементами(Сумський державний університет, 2025) Васильєв, В.; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Остапенко, С.Сучасні методи моніторингу газових забруднень вимагають розробки високочутливих сенсорів із швидким відгуком та стабільними характеристиками. Двокомпонентні оксидні матеріали, зокрема ZnO, MgO, NiO, а також складна оксидна сполука Zn₂SnO₄, демонструють значний потенціал для створення сенсорів токсичних газів, таких як CH₄, CO, SO₂, NO₂ та інші. Ці матеріали характеризуються високою хімічною стабільністю, можливістю точного контролю їх електрофізичних характеристик та чутливістю до змін у складі навколишнього середовища. Враховуючи військові конфлікти та їх екологічні наслідки, розробка таких сенсорів є надзвичайно актуальною для швидкого виявлення забруднювачів у повітрі.Item Effect of Different Selenium Precursors on Structural Characteristics and Chemical Composition of Cu2ZnSnSe4 Nanocrystals(Institute of Physics Polish Academy of Sciences, 2022) Кахерський, Станіслав Ігорович; Кахерський, Станислав Игоревич; Kakherskyi, Stanislav Ihorovych; Pshenychnyi, R.; Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Vaziev, J.; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Gnatenko, Y.In this work, Cu2ZnSnSe4 nanocrystals were synthesized by the polyol method. The chemical composition and morphological, structural, and microstructural properties of Cu2ZnSnSe4 nanocrystals, depending on the synthesis temperature and time, as well as the composition of the precursor, have been thoroughly investigated using scanning and transmission electron microscopy, energy dispersive X-ray analysis, X-ray diffraction, FTIR spectroscopy, Raman spectrometry, and low-temperature photoluminescence. We compared the properties of nanocrystals synthesized from different precursors containing selenourea or amorphous selenium as a source of selenium and then determined the optimal conditions for the synthesis of nanocrystals. It was found that the optimal synthesis time for nanocrystals obtained in the first approach is τ = 30–45 min, and in the second approach — τ = 120 min. It was also found that the optimal composition for the synthesis of single-phase Cu2ZnSnSe4 nanocrystals in the second approach is the molar ratio of precursors 2:1.5:1:4, and the synthesis temperature T = 280◦C. Thus, Cu2ZnSnSe4 nanocrystals synthesized under optimal conditions are used to develop nanoinks for printing solar cell absorbers by two- and three-dimensional printers.Item Structural and Optical Properties of CuO Thin Films Synthesized Using Spray Pyrolysis Method(MDPI, 2021) Д'яченко, Олексій Вікторович; Дьяченко, Алексей Викторович; Diachenko, Oleksii Viktorovych; Kováˇc, Jr.; Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Novák, P.; Kováˇc, J.; Skriniarova, J.; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii SerhiiovychCopper oxide thin films were obtained using pulsating spray pyrolysis method. The morphological, structural, and optical properties of fabricated films were studied. X-ray analysis revealed that the CuO thin films are single-phase. The study of films morphology by SEM and AFM methods showed that the obtained films have a fairly high surface roughness and contain grains of different shapes and sizes. It was found that the obtained films of copper oxide have high values of the absorption coefficient, which confirms the possibility of their use as absorbing layers for solar cells. The obtained values of the optical band gap of the material are in the range from 1.45 eV to 1.60 eV. Raman spectroscopy revealed three modes A1g, B1g, and B2g, of the crystal structure of monoclinic CuO. The devices based on p-type copper oxide are promising for solar cells fabrication because they can reduce production costs, due to their low cost and inexpensive production methods compared to silicon solar cells fabrication.