Факультет електроніки та інформаційних технологій (ЕлІТ)
Permanent URI for this communityhttps://devessuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/20
Browse
36 results
Search Results
Item Вплив фокусуючого магнітного поля на електронно-хвильові процеси у підсилювачі на базі відкритого хвилеводу(Сумський державний університет, 2023) Яковенко, А.В.Дана кваліфікаційна робота присвячена дослідженню впливу фокусуючого магнітного поля на електронно-хвильові процеси у підсилювачі на базі відкритого хвилеводу. Спочатку було розглянуто основні методи вирішення задач електроніки НВЧ. Для досягнення поставлених задач був вибраний самоузгоджений метод вирішення поставленої задачі у поєднанні з методом Ейлера та використанням слабосигнального наближення. Після спрощень і обезрозмірення, отримано трансцендентне дисперсійне рівняння Наступним кроком було використання методу графічної апроксимації і розклад в ряд Тейлора для отримання поліному сьомого ступеня, який враховує вплив фокусуючого магнітного поля.Item Ефекти впливу магнітного поля на властивості і структуру плівкових матеріалів як елементів сенсорів(Сумський державний університет, 2022) Мартиненко, І.С.Мета кваліфікаційної роботи полягала у вивченні впливу магнітного поля на властивості та морфологію поверхні, а також на структурні характеристики (зокрема шорсткість поверхні) плівкових матеріалів. Плівкові магнітні системи на основі металів, в яких досліджували явища впливу магнітного поля на структуру та фізичні властивості були отримані в вакуумній установці ВУП-5М. Зразки плівкових сплавів отримували методом одночасного випаровуванням з двох електронно променевих гармат.Вимірювання магнітоопору здійснюється за стандартною 4-точковою схемою у зразках з паралельною геометрією протікання струму при перпендикулярній, поперечній та повздовжній орієнтаціях індукції магнітного поля відносно площини підкладки.Зміна геометрій реалізовувалась шляхом повороту зразка у просторі між осердями електромагніту. Встановлено, що повторна дія магнітного поля з більш високою напруженістю поля (до H = 0,1 Тл) викликає набагато слабші зміни таких структурних характеристик. Спостережувані ефекти можуть бути пов’язані з зменшення кількості дефектів і переходу системи в більш стабільний стан, який має властивості, відмінні від початкового стану.Item Сенсорні прилади на основі ГМО-ефекту: фізичні та конструктивні основи роботи(Сумський державний університет, 2019) Пінчук, А.С.Метою даної роботи є ознайомлення з конструктивно-технологічними та функціональними особливостями сенсорів магнітного поля різного функціонального призначення. Останніми роками спостерігається значний інтерес до матеріалів, у яких виникає ефект ГМО, з точки зору їх практичного застосування. ГМО - прилади, завдяки таким перевагам, як енергозалежність у режимі зберігання, необмежена кількість перезаписів інформації, висока радіаційна стійкість, широко застосовуються в сенсорній і комп’ютерній техніці, автоматиці, автомобільній промисловості, медицині. На основі ГМО-матеріалів створені декілька груп електронних приладів та пристроїв: інформаційні системи (високочутливі головки для зчитування інформації з магнітних носіїв та магнітні реле); вимірювальні прилади (ГМО-сенсори різного функціонального призначення); сенсори магнітного поля та ін.Item Функцiональнi елементи для детектування магнiтних полiв(Сумський державний університет, 2019) Верисовкін, В.В.Мета роботи: розглянути основні типи та характеристики датчиків магнітного поля, проаналізувати їх переваги та недоліки. У ході виконання завдання кваліфікаційної роботи проведено огляд літературних джерел стосовно функціональні елементи для детектування магнітних полів. Показано що для виготовлення датчиків Холла найчастіше використовують напівпровідники InP, InSb, GaAs, Ge, Si. Це обумовлено тим, що завдяки високій рухливості носіїв струму вони мають велику чутливість до впливу магнітного поля Також було встановлено в яких галузях використовуються датчики магнітного поля, а саме для визначення швидкості обертання різних деталей механізмів, модуль датчика Холла використовується в приладах побутового та навчального призначеннях.Item Високочутливі елементи сенсорів магнітного поля на основі FeNi, Co та Cu(Сумський державний університет, 2019) Косенко, О.С.Мета роботи полягає у встановленні загальних закономірностей впливу умов термообробки на магніторезистивні властивості на основі FeNi, Co та Cu. Під час виконання роботи використовувалися методи резистометрії в умовах високого безмасляного вакууму та впливу зовнішніх магнітних полів та прилади: ВУП-5М, установка для проведення термообробки та дослідження магніторезистивних властивостей. У результаті проведених досліджень встановлено, що для свіжосконденсованих та термостабілізованих за температур 400 К тришарових функціональних елементів датчиків магнітного поля Fe_(0,6)Ni_(0,4)/Cu/ Fe_(0,6)Ni_(0,4) фіксуються ізотропні польові залежності. Величина від'ємного магнітоопору складає 0,1-0,3%. Після термостабілізації за температури 550 К спостерігається анізотропний характер магнітоопору. Величина поздовжнього магнітоопору складає 0,5% - поперечного 0,05%. Після термостабілізації за температури 700 К величина поздовжнього і поперечного магнітоопору складає 0,3-0,4%.Item Фізичні принципи роботи і конструктивно-технологічні особливості датчиків магнітного поля(Сумський державний університет, 2018) Бойченко, О.О.Мета роботи полягає у аналітичному огляді сучасних літературних джерел про принципи роботи датчиків магнітного поля, аналізі та порівнянні особливостей будови та використання різних типів датчиків магнітного поля на прикладі окремих технологій. У результаті проведених досліджень встановлено, що роботи в даній сфері дещо сповільнилися в плані розробки принципово нових сенсорних систем. Немає можливості підвищувати чутливість незалежно від розміру, потужності і вартості. Замість цього, для кожного застосування необхідно вибирати між чутливістю, розмірами, потужністю і вартістю. Але, не зважаючи на це, вдосконалення старих технологій та застосування їх в нових галузях дозволяє продовжити використання тих чи інших датчиків магнітного поля у все більшій кількості галузей.Item Вплив температури і магнітного поля на вольт-амперні характеристики магніторезисторів(Сумський державний університет, 2017) Ткач, Олена Петрівна; Ткач, Елена Петровна; Tkach, Olena Petrivna; Однодворець, Катерина Сергіївна; Однодворец, Екатерина Сергеевна; Odnodvorets, Kateryna SerhiivnaМагніторезистори – електронні компоненти, принцип функціонування яких заснований на зміні електричного опору металу або напівпровідника при впливі магнітного поля (магніторезистивний ефект). Основні параметри магніторезисторів: магнітна чутливість, номінальний опір, робочий струм, термостабільність і швидкодія, діапазон робочих температур.Item Конструктивні та функціональні особливості спінових транзисторів(Сумський державний університет, 2017) Сафіулін, В.О.Останніми роками спостерігається значний інтерес до матеріалів, у яких виникає ефект ГМО, з точки зору їх практичного застосування. ГМО-матеріали використовують для створення великої кількості електронних приладів та пристроїв спінтроніки. Спінові транзистори – це окремий клас приладів, що знаходять широке застосування в комп’ютерній техніці.У них зміна напрямку намагніченості здійснюється за допомогою власного внутрішнього або зовнішнього магнітного поля.Item Магнітооптичні властивості плівкових матеріалів на основі Fe і Ge як чутливих сенсорних елементів(Сумський державний університет, 2017) Власенко, Олександр Володимирович; Власенко, Александр Владимирович; Vlasenko, Oleksandr Volodymyrovych; Однодворець, Лариса Валентинівна; Однодворец, Лариса Валентиновна; Odnodvorets, Larysa ValentynivnaПлівкові матеріали типу феромагнітний метал(ФМ)/ напівпровідник (НП) широко застосовуються для створення діодних і транзисторних структур, накопичувачів інформації великої ємності, сенсорів магнітного поля та елементів спінтроніки. Однією з основних задач розвитку спінтроніки є формування нових матеріалів чутливих елементів приладів: магнітних напівпровідників та гібридних наноструктур типу феромагнетик/напівпровідник, перспективи застосування таких обумовлені можливістю використання спінів напівпровідникового шару як детектора, що реагує на зміни магнітного стану в феромагнетику, і унікальними магнітними властивостями.Item Вплив товщини немагнітного прошарку із Dy на магніторезистивні властивості тришарових плівок Ni / Dy / Ni(Сумський державний університет, 2017) Шабельник, Тетяна Михайлівна; Шабельник, Татьяна Михайловна; Shabelnyk, Tetiana Mykhailivna; Шутилєва, Ольга Вікторівна; Шутилева, Ольга Викторовна; Shutylieva, Olha ViktorivnaДослідження магніторезистивних властивостей показали, що величина магнітоопору (МО) має анізотропний характер, не залежно від ефективної товщини прошарку з Dy. Максимальне значення МО 0,85 % спостерігалось у перпендикулярній геометрії вимірювання при товщині dDy = 20 нм, а мінімальне 0,42 % при товщині dDy = 5 нм. Така зміна пов’язана з переходом від квазіаморфного стану до кристалічної фази ГЩП-Dy. Значення величини МО має осцилюючий характер при зміні ефективної товщини, що можна пояснити осциляційною залежністю обмінної взаємодії між магнітними шарами через електрони провідності.