Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/27229
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Отримання та дослідження плівок телериду кадмію і трердих розчинів на його основі для сонячних елементів та детекторів випромінювання
Authors Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych  
Hnatenko, Yurii Pavlovych  
Faryna, Ivan Oleksandrovych
Bukivskyi, Petro Mykolaiovych
Kurbatov, Denys Ihorovych  
Kosiak, Volodymyr Volodymyrovych
Opanasiuk, Nadiia Mykolaivna
Danylchenko, Serhii Mykolaiovych
Ivashchenko, Maksym Mykolaiovych
Klymov, Oleksii Volodymyrovych
Keywords тверді розчини
плівки
детектори
сонячні елементи
механізми росту
структура
фотолюмінесценція
ансамбль точкових дефектів
квазіхімічні розрахунки
Type Technical Report
Date of Issue 2011
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/27229
Publisher Вид-во СумДУ
License
Citation Отримання та дослідження плівок телериду кадмію і трердих розчинів на його основі для сонячних елементів та детекторів випромінювання : звіт про НДР (проміжний) / Кер. А.С. Опанасюк. - Суми : Сумський державний університет, 2011. - 84 с.
Abstract Об’єкт досліджень: процеси структуро- та фазоутворення у тонких і товстих плівках CdTe та Cd1-xMnxTe, одержаних методом квазізамкненого об’єма (КЗО) на неорієнтуючих підклaдкaх і підшарах інших халькогенідів, їх вплив на оптичні, люмінесцентні, електричні властивості шарів, ансамбль точкових дефектів (ТД) мaтеріaлу. Предмет досліджень: структурні, оптичні, люмінесцентні, електрофізичні властивості, елементний склад та ансамбль ТД вакуумних конденсатів CdTe та Cd1-xMnxTe, буферних і віконних шарів, створення приладових структур на основі гетеропереходів та структур метал – напівпровідник. Мета роботи: З’ясування можливості використання товстоплівкових полікристалічних шарів CdTe та Cd1-xMnxTe для детектування жорсткого випромінювання, тонкоплівкових конденсатів для створення адсорбуючих шарів фотодетекторів і сонячних елементів. Оптимізація структурних, люмінесцентних та електрофізичних характеристик базових шарів на основі CdTe та Cd1-xMnxTe для їх подальшого використання у приладах мікроелектроніки. У роботі отримані тонкі та товсті плівки CdTe та Cd1-xMnxTe високої структурної якості. Дослідження морфології поверхні плівок, їх фазового складу та структурних особливостей свідчать, що шари отримані в оптимальних фізико-технологічних умовах, завдяки великому розміру зерен, стовбчастій структурі, однофазності, можуть бути з успіхом використані як матеріал поглинаючих шарів детекторів жорсткого випромінювання. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/27229
Appears in Collections: Звіти з наукових досліджень

Views

Canada Canada
1
China China
8
Denmark Denmark
1
France France
2
Germany Germany
285
Netherlands Netherlands
5
Pakistan Pakistan
1
Russia Russia
18
Slovakia Slovakia
2
Spain Spain
2
Turkey Turkey
6
Ukraine Ukraine
1579
United Arab Emirates United Arab Emirates
1
United Kingdom United Kingdom
8
United States United States
45
Unknown Country Unknown Country
126

Downloads

Algeria Algeria
7
China China
1
Czech Republic Czech Republic
1
Egypt Egypt
1
France France
25
Germany Germany
286
Italy Italy
1
Japan Japan
1
Kazakhstan Kazakhstan
1
Slovakia Slovakia
1
Ukraine Ukraine
1067
United States United States
93
Unknown Country Unknown Country
946

Files

File Size Format Downloads
Opanasiuk.doc 9,33 MB Microsoft Word 2431

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.