Структура та електрофізичні властивості металевих плівок з напівпровідниковим покриттям в умовах хімічної та дифузійної взаємодії атомів

Abstract

Досліджені електрофізичні властивості, структура, елементний та фазовий склад металевих плівок Cr, Ni, Cu, V, Sc в умовах взаємодії з атомами та молекулами залишкової атмосфери або напівпровідникового покриття Ge та Si (dпок1 нм). Встановлений ефект зменшення температур-ного коефіцієнта опору та коефіцієнта поздовжньої тензочутливості, що пов’язується із збільшен-ням коефіцієнта проходження межі зерна електронами у плівках металів після нанесення покриття та відпалювання. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/3354

В диссертации к защите представлены результаты исследований, изложенные в 11 научных публикациях. Работа посвящена изучению электрофизических свойств, структуры, элементного и фазового состава металлических пленок Cr, Ni, Cu, V, Sc в условиях взаимодействия с атомами и молекулами остаточной атмосферы или полупроводникового покрытия Ge и Si (dпок1 нм). Проведены масс-спектрометрические исследования взаимодействия атомарных пучков и свежесконденсированных пленок металлов и полупроводников с газами остаточной атмосферы и установлена корреляция этих результатов с данными, полученными методами электронографии и вторичной ионной масс-спектрометрии. Установлены эффект уменьшения температурного коэффициента сопротивления и коэффи-циента продольной тензочувствительности, а также увеличение коэффициента прохождения гра-ницы зерна электронами в пленках Cr и Ni после нанесения покрытия из Ge и дальнейшего отжи-га. Сделан анализ механизмов реализации этого эффекта - адсорбция инородных атомов, адсорб-ция вакансий, фазовые переходы на границах зерен, реализация экситонного механизма проводи-мости, в результате чего был сделан вывод о том, что основным фактором здесь является частич-ное залечивание дефектной структуры границ зерен атомами покрытия вследствие диффузионных процессов. При цитировании документа, используйте ссылку http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/3354

The electrophysical properties, structure, elements and phase composition of metallic films Cr, Ni, Cu, V, Sc under condition of interaction with atoms and molecules of residual gases or semiconductor overlayer Ge, Si (dove1 nm) were investigated. The decrease effect of the resistance temperature coeffi-cient, the longitudinal strain coefficient and increase ef-fect of the specula transmission coefficient (r) of grain boundary in films Cr and Ni were reveal by overlayer condensation and heating. It is explain of diffu-sion processes of atoms Ge in metal by grain boundary. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/3354