Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/66341
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Фотоелектричний ефект в гетероперехідних структурах SnS/CdS та SnS/ZnxCd1-xS
Authors Yeromenko, Yurii Serhiiovych  
Возний, Андрій Андрійович
Voznyi, Andrii Andriiovych
Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych  
Хрипунов, Г.С.
Зайцев, Р.В.
Keywords гетероперехід
гетеропереход
heterojunction
тонкі плівки
тонкие пленки
thin films
Type Conference Papers
Date of Issue 2017
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/66341
Publisher Львівський національний університет ім. І. Франка
License
Citation Фотоелектричний ефект в гетероперехідних структурах SnS/CdS та SnS/ZnxCd1-xS / Ю.С. Єрьоменко, А.А. Возний, А.С. Опанасюк [та ін.] // IX Українсько-польська науково-практична конференція “Електроніка та інформаційні технології” (ЕЛІТ-2017), (Львів-Чинадієво, 28-31 серпня 2017 р.). - Львів: ЛНУ ім. І. Франка
Abstract В наш час обмеженість та вичерпність природніх ресурсів приводить до того, що стрімко зростає інтерес до відновлювальних джерел енергії. Серед них найбільш екологічно чистим та доступним являється енергія сонця. Уже декілька десятків років, як людство навчилося перетворювати сонячну енергію за рахунок масивних фотоелектричних перетворювачів (ФЕП) на основі кремнію, арсеніду галію та деяких інших матеріалів.
Appears in Collections: Наукові видання (ННІ БТ)

Views

France France
1
Germany Germany
29
Ukraine Ukraine
342
United States United States
10
Unknown Country Unknown Country
15

Downloads

China China
2
Germany Germany
1
Ukraine Ukraine
341
Unknown Country Unknown Country
22

Files

File Size Format Downloads
Yeromenko_Voznyi_Opanasiuk.pdf 1,03 MB Adobe PDF 366

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.