Please use this identifier to cite or link to this item:
https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/84254
Or use following links to share this resource in social networks:
Tweet
Recommend this item
Title | Influence of Triple Material on Performance Study of Double Gate PiN Tunneling Graphene Nanoribbon FET for Low Power Logic Applications |
Other Titles |
Вплив потрійного матеріалу на дослідження продуктивності тунельного польового транзистора з графенових нанострічок PiN FET з подвійним затвором для додатків низькопотужної логіки |
Authors |
Ritam, Dutta
Nitai, Paitya |
ORCID | |
Keywords |
робота виходу DG-TM-PiN-TGNFET складений матеріал III/V поверхневий потенціал зворотне тунелювання TCAD work function III/V compound material surface potential reverse tunneling |
Type | Article |
Date of Issue | 2021 |
URI | https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/84254 |
Publisher | Sumy State University |
License | In Copyright |
Citation | Ritam Dutta, Nitai Paitya, J. Nano- Electron. Phys. 13 No 3, 03020 (2021). DOI: https://doi.org/10.21272/jnep.13(3).03020 |
Abstract |
Було розроблено потрійні матеріали з різними роботами виходу та досліджено їх вплив на роботу
тунельного польового транзистора з графенових нанострічок PiN FET з подвійним затвором (DG-TMPiN-TGNFET) для підвищення продуктивності пристрою. Складений матеріал III/V (InAs) був використаний в області витоку цього тунельного польового транзистора з n-канальним гетеропереходом,
завдяки чому напружено-деформований стан покращував тунелювання. Графен, який є матеріалом із
невеликою шириною забороненої зони, був використаний у формі нанострічки, щоб максимально зменшити ширину забороненої зони. У роботі представлено три різні матеріали для обмеження зворотного тунелювання між стоком та витоком, а також для покращення продуктивності тунельного транзистора з точки зору розподілу поверхневого потенціалу, поперечно-вертикальних змін електричного поля і передавальних характеристик. Ця DG-PiN-TGNFET структура на основі потрійних матеріалів забезпечує кращі підпорогові коливання амплітудою 18,56 мВ/декада при напрузі живлення 0,5 В у порівнянні з TGN-FET структурами з подвійним затвором на основі одинарних та подвійних матеріалів.
Повне моделювання було виконано за допомогою програмного забезпечення для розв'язування двовимірних математичних задач TCAD. Більше того, низька порогова напруга сприяє тому, що пропонований пристрій найкраще підходить для додатків низькопотужної логіки. Influence of triple material having different work functions have been designed and investigated on a double gated P-i-N tunneling graphene nanoribbon field effect transistor (DG-TM-PiN-TGNFET) for improved device performance. A III/V compound material (InAs) has been used in the source region for this n-channel heterojunction tunnel FET, because of which stress – strain effect results better tunneling. Graphene, being a low band gap material, has been used as nano ribbon to tune suitably the energy bandgap as less as possible. In this paper, the three different materials are introduced to restrict the drain – source reverse tunneling and also improve the TFET device performance in terms of surface potential distribution, lateral – vertical electric field variation and transfer characteristics. This triple material-based DGPiN-TGNFET structure provides better subthreshold swing of 18.56 mV/decade at 0.5 V supply voltage compared to single and double material based double gated TGN-FET structures. The entire simulation has been performed using two-dimensional mathematical TCAD device software. Moreover, the low threshold voltage encourages the proposed device best suitable for low power logic applications. |
Appears in Collections: |
Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics) |
Views
![China](/flags/cn.gif)
16373362
![Germany](/flags/de.gif)
1
![Greece](/flags/gr.gif)
1
![India](/flags/in.gif)
73350001
![Ireland](/flags/ie.gif)
37556
![Japan](/flags/jp.gif)
1
![Lithuania](/flags/lt.gif)
1
![Netherlands](/flags/nl.gif)
1
![Romania](/flags/ro.gif)
93
![Singapore](/flags/sg.gif)
1
![Ukraine](/flags/ua.gif)
1595361
![United Kingdom](/flags/gb.gif)
660259
![United States](/flags/us.gif)
53048362
![Unknown Country](/flags/--.gif)
1595360
![Vietnam](/flags/vn.gif)
2086
Downloads
![Canada](/flags/ca.gif)
1
![China](/flags/cn.gif)
32746723
![Cuba](/flags/cu.gif)
1
![Finland](/flags/fi.gif)
1
![France](/flags/fr.gif)
1
![Germany](/flags/de.gif)
385417
![India](/flags/in.gif)
9671
![Ireland](/flags/ie.gif)
110576
![Lithuania](/flags/lt.gif)
1
![Pakistan](/flags/pk.gif)
1
![Singapore](/flags/sg.gif)
954
![Ukraine](/flags/ua.gif)
4588536
![United Kingdom](/flags/gb.gif)
1
![United States](/flags/us.gif)
73350002
![Unknown Country](/flags/--.gif)
1
![Vietnam](/flags/vn.gif)
1
Files
File | Size | Format | Downloads |
---|---|---|---|
Ritam_Dutta_jnep_3_2021.pdf | 463 kB | Adobe PDF | 111191888 |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.