Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/85964
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Sol-Gel Fabricated CuO Thin Film: Characterization for Device Application
Other Titles Тонка плівка CuO, виготовлена методом золь-гелю: характеристики для застосування в пристроях
Authors Maini, A.
Shah, M.A.
ORCID
Keywords CuO
золь-гель
оптична ширина забороненої зони
наночастинки
провідність за постійним струмом
оптоелектронний
sol-gel
optical band gap
nanoparticles
DC conductivity
optoelectronic
Type Article
Date of Issue 2021
URI https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/85964
Publisher Sumy State University
License In Copyright
Citation A. Maini, M.A. Shah, J. Nano- Electron. Phys. 13 No 5, 05018 (2021). DOI: https://doi.org/10.21272/jnep.13(5).05018
Abstract Широкозонний напівпровідник CuO є перспективним матеріалом, придатним для високотемпературних, високочастотних та високопотужних застосувань в електроніці і оптоелектронних пристроях через свої виняткові характеристики. Зокрема, на основі плівки CuO реалізуються короткохвильові світловипромінювальні пристрої завдяки великій ширині забороненої зони. Плівки CuO широко використовуються для оптоелектронних застосувань у короткохвильовій частині видимого світла, особливо для лазерних діодів та світлодіодів. У роботі ми повідомляємо про властивості тонкої плівки з оксиду міді CuO, виготовленої дуже економічною технікою золь-гелю. Підготовлена плівка характеризується рентгенівською дифракцією (XRD) для структурного аналізу. Скануючий електронний мікроскоп визначає пористу морфологію, а елементний склад CuO підтверджується EDS. Спостерігається поява сильних і слабких раманівських піків у діапазоні 300-350 см – 1. Оптичне дослідження проводиться за допомогою поглинання в УФ та видимій областях з прямої забороненої зони, розрахованої для підготовленої плівки, яка становить 2,43 еВ. Вимірювання характеристик I-V виконуються за двозондовою технікою, а плівка CuO демонструє напівпровідникову поведінку з енергією активації 0,21 еВ. Таким чином, отримані результати вказують на можливість використання CuO в електронних пристроях та різних інших оптичних застосуваннях.
In this paper, a wide band gap semiconductor CuO has appeared as a promising material suitable for high-temperature, high-frequency, and high-power operations in electronics as well as optoelectronic devices because of its exceptional characteristics. In particular, CuO films have an outstanding ability to materialize short-wavelength light-emitting devices due to the large band gap energy. CuO films are widely used for optoelectronic applications in the short wavelength visible light region especially for laser diodes (LDs) and light-emitting diodes (LEDs). Here, we report the properties of a copper oxide thin film prepared by the sol-gel technique, which is very economical and involves a sophisticated method. The prepared film is characterized by X-ray diffraction (XRD) for structural analysis. The scanning electron microscope identifies porous morphology, and the elemental composition of CuO is confirmed by EDS. The appearance of strong and weak Raman peaks at 300-350 cm – 1 is observed. The optical study is carried out by UV-visible absorbance from the direct band gap calculated for the prepared film, that is 2.43 eV. The I-V measurements are performed using a two-probe technique, and the CuO film shows semiconductor behavior with an activation energy of 0.21 eV. Thus, the obtained results indicate the prepared sample for electronic devices and various other optical applications.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Algeria Algeria
1
Australia Australia
1
Bangladesh Bangladesh
1
China China
-677979846
Greece Greece
1
India India
116317427
Iran Iran
1
Iraq Iraq
1
Ireland Ireland
944076
Italy Italy
550565181
Lithuania Lithuania
1
Malaysia Malaysia
1
Mexico Mexico
1888149
Morocco Morocco
1
Singapore Singapore
1
South Korea South Korea
1
Sweden Sweden
1
Taiwan Taiwan
-1725420412
Tunisia Tunisia
32491720
Turkey Turkey
1
Ukraine Ukraine
129620
United Kingdom United Kingdom
2060977476
United States United States
116317429
Unknown Country Unknown Country
476366949
Vietnam Vietnam
2957
Yemen Yemen
1

Downloads

Brazil Brazil
1
Canada Canada
1
China China
672431623
France France
1
Germany Germany
59759
India India
2060977473
Ireland Ireland
1888150
Lithuania Lithuania
1
Malaysia Malaysia
1888153
Morocco Morocco
1
Philippines Philippines
1
Singapore Singapore
116317429
Taiwan Taiwan
64983331
Ukraine Ukraine
658858810
United Kingdom United Kingdom
522139246
United States United States
116317430
Unknown Country Unknown Country
1
Vietnam Vietnam
1

Files

File Size Format Downloads
Maini_jnep_5_2021.pdf 534.82 kB Adobe PDF -79105884

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.