Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/86584
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Influence of the Angle of Incident Light on the Performance of Textured Silicon Solar Cells
Other Titles Вплив кута падіння світла на характеристики текстурованих кремнієвих сонячних елементів
Authors Gulomov, J.
Aliev, R.
ORCID
Keywords сонячний елемент
кремній
моделювання
кут падіння світла
піраміда
текстура
solar cell
silicon
simulation
angle of incident light
pyramid
texture
Type Article
Date of Issue 2021
URI https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/86584
Publisher Sumy State University
License In Copyright
Citation J. Gulomov, R. Aliev, J. Nano- Electron. Phys. 13 No 6, 06036 (2021). DOI: https://doi.org/10.21272/jnep.13(6).06036
Abstract Важливо знати вплив навколишнього середовища на властивості сонячних елементів, оскільки вони зазвичай використовуються у відкритих середовищах. Якщо морфологія поверхні сонячного елемента змінюється, кут падіння світла буде змінюватися залежно від його фотоелектричних властивостей. Отже, у роботі досліджувалися фотоелектричні властивості кремнієвих сонячних елементів, покритих вертикальними пірамідами з різними кутами основи, залежно від кута падіння світла. З отриманих результатів було виявлено, що при зміні кута падіння світла від 0° до 80° густини струму короткого замикання площинних, пірамідальних і текстурованих кремнієвих сонячних елементів з кутами основи пірамід 50.4° і 70.4° зменшуються до 82,6; 88,8; 89,8 %, напруги холостого ходу зменшуються до 10,5; 12,8; 14,1 %, а коефіцієнти заповнення зменшуються до 1,9; 2,2 та 3 %. ККД кремнієвого сонячного елемента, покритого пірамідами з кутом основи 70.4°, краще, ніж ККД планарних та інших текстурованих кремнієвих сонячних елементів в діапазоні кутів падіння світла від 0° до 80°, хоча залежність його фотоелектричних параметрів від кута падаючого світла зростає.
It is important to study environmental effects on the properties of solar cells because solar cells are usually used in open environments. If the surface morphology of a solar cell changes, the angle of incident light will change depending on its photoelectric properties. So, in this paper, the photoelectric properties of silicon solar cells covered with upright pyramids with different base angles were investigated depending on the angle of incident light. From the obtained results, it was found that when the angle of incident light is varied from 0° to 80°, the short circuit current densities of planar and pyramidal textured silicon solar cells with base angles of pyramids of 50.4° and 70.4° decrease to 82.6, 88.8, 89.8 %, the open circuit voltages decrease to 10.5, 12.8, 14.1 % and the fill factors decrease to 1.9, 2.2 and 3.2 %. The efficiency of a silicon solar cell covered with pyramids with a base angle of 70.40 is better than those of planar and other textured silicon solar cells in the range of incident light angles from 0° to 80°, although the dependence of its photoelectric parameters on the angle of incident light increases.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Australia Australia
-2136349827
Canada Canada
1
China China
-968869745
Finland Finland
148
France France
3372819
Germany Germany
139041941
Greece Greece
3623
Hong Kong SAR China Hong Kong SAR China
1079356665
India India
1
Ireland Ireland
1686410
Japan Japan
136194
Lithuania Lithuania
1
Malaysia Malaysia
184744
Philippines Philippines
308932149
Romania Romania
562135
Serbia Serbia
562137
Singapore Singapore
-2136349826
South Korea South Korea
-2136349833
Sweden Sweden
80605619
Taiwan Taiwan
308932153
Tunisia Tunisia
-2136349832
Turkey Turkey
308932158
Ukraine Ukraine
74923
United Kingdom United Kingdom
92458
United States United States
-45876252
Unknown Country Unknown Country
215608
Uzbekistan Uzbekistan
1554849956
Vietnam Vietnam
3625

Downloads

Azerbaijan Azerbaijan
1
China China
-968869744
Egypt Egypt
1
France France
156875
Germany Germany
-1370058675
Hong Kong SAR China Hong Kong SAR China
1
Indonesia Indonesia
-2136349825
Ireland Ireland
6745636
Japan Japan
98558
Lithuania Lithuania
1079356664
Malaysia Malaysia
1
Singapore Singapore
951
Turkey Turkey
1
Ukraine Ukraine
1
United Kingdom United Kingdom
6745638
United States United States
-45876251
Unknown Country Unknown Country
1
Vietnam Vietnam
1

Files

File Size Format Downloads
Gulomov_jnep_6_2021.pdf 358.53 kB Adobe PDF 866917131

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.