Влияние безвакуумного отжига на морфологию покрытий NbNх, NbNx : Si
No Thumbnail Available
Date
2016
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Сумский государственный университет
Article
Date of Defense
Scientific Director
Speciality
Date of Presentation
Abstract
В работе описываются особенности изменения нитридных покрытий NbNх и легированных атомами Si NbNx : Si с добавлением примеси кремния и без него. Образцы были получены методом магнетронного осаждения при отрицательном потенциале Us = – 40 В на подложку из кремния. После осаждения проводился высокотемпературный отжиг 800 °С в атмосфере воздуха.
У роботі описуються особливості зміни покриття нітриду ніобію з додаванням домішки кремнію і без нього. Зразки були отримані методом магнетронного осадження при негативному потенціалі Us = − 40 В на підкладку з кремнію. Після осадження проводився високотемпературний відпал 800 °С в атмосфері повітря.
The paper describes the features of niobium nitride coating changes with the addition of silicon and impurities without him. Samples were prepared by magnetron sputtering at a negative potential Us = − 40 V on silicon substrate, exposed to high temperatures: 800 °C without vacuum.
У роботі описуються особливості зміни покриття нітриду ніобію з додаванням домішки кремнію і без нього. Зразки були отримані методом магнетронного осадження при негативному потенціалі Us = − 40 В на підкладку з кремнію. Після осадження проводився високотемпературний відпал 800 °С в атмосфері повітря.
The paper describes the features of niobium nitride coating changes with the addition of silicon and impurities without him. Samples were prepared by magnetron sputtering at a negative potential Us = − 40 V on silicon substrate, exposed to high temperatures: 800 °C without vacuum.
Keywords
Морфология, Твердость, Отжиг, NbNх, NbNx : Si, Фазовый и элементный состав, Морфологія, Твердість, Відпал, Фазовий та елементний склад, Morphology, Hardness, Annealing, Phase and elemental analysis
Citation
В.Н. Рогоз, А.П. Кузьменко, О.В. Соболь, А. Плющик, Ж. нано- электрон. физ. 8 № 2, 02019 (2016)