Технології отримання сучасних напівпровідникових плівок SiC, AIN для застосування в мікроелектроніці та оптоелектроніці
No Thumbnail Available
Date
2011
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Вид-во СумДУ
Technical report
Date of Defense
Scientific Director
Speciality
Date of Presentation
Abstract
Метою проекту є дослідження й розробка нових технологічних підходів до формування конденсатів Si, SiC і AlN, основаних на явищах самоорганізації квазірівноважних стаціонарних процесів на межі поділу низькотемпературна плазма-конденсат.
При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35280
Keywords
магнетронне розпилення, магнитронное распыление, нітрид алюмінію, нитрид аллюминия
Citation
Технології отримання сучасних напівпровідникових плівок SiC, AIN для застосування в мікроелектроніці та оптоелектроніці: звіт про НДР (заключний) / Кер.: В.І. Перекрестов. - Суми: СумДУ, 2011. - 62 с.