Сенсори магнітного поля на основі спін-залежного розсіювання електронів
No Thumbnail Available
Date
2025
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Сумський державний університет
Theses
Date of Defense
Scientific Director
Speciality
Date of Presentation
Abstract
Магніторезистивний ефект (МРЕ) у феромагнітних матеріалах
широко використовується при розробленні сенсорів магнітного поля і
зчитуючих головок, проте впровадження тонкоплівкової технології
відкрило нові можливості перед розробниками таких пристроїв і
розширило сферу їх застосувань [1]. Використання МРЕ із
застосуванням сучасної інтегральної технології дає можливість
створювати мікромініатюрні датчики з високою чутливістю
(незалежною від частоти) у широкому діапазоні (включаючи постійні
поля) і можливістю виготовлення на одній підкладці сенсорів і головок,
а також електронних схем обробки сигналів і керування.
Keywords
магніторезистивний ефект, мікромініатюрні датчики, тонкоплівкова технологія, magnetoresistive effect, microminiature sensors, thin-film technology
Citation
Пушкар С. О., Лободюк О. С., Однодворець Л. В. Сенсори магнітного поля на основі спін-залежного розсіювання електронів // Фізика, електроніка, електротехніка : матеріали та програма Міжнародної наукової конференції молодих вчених, Суми, 21–25 квітня 2025 року / відп. за вип. Ю. Ю. Волк. Суми : Сумський державний університет, 2025. С. 41-43.