Сенсори магнітного поля на основі спін-залежного розсіювання електронів

Пушкар, С.О.; Лободюк, Олена Сергіївна; Однодворець, Лариса Валентинівна

Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/99443

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Сенсори магнітного поля на основі спін-залежного розсіювання електронів
Authors	Пушкар, С.О. Lobodiuk, Olena Serhiivna Odnodvorets, Larysa Valentynivna
ORCID	http://orcid.org/0000-0002-8112-1933
Keywords	магніторезистивний ефект мікромініатюрні датчики тонкоплівкова технологія magnetoresistive effect microminiature sensors thin-film technology
Type	Conference Papers
Date of Issue	2025
URI	https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/99443
Publisher	Сумський державний університет
License	Copyright not evaluated
Citation	Пушкар С. О., Лободюк О. С., Однодворець Л. В. Сенсори магнітного поля на основі спін-залежного розсіювання електронів // Фізика, електроніка, електротехніка : матеріали та програма Міжнародної наукової конференції молодих вчених, Суми, 21–25 квітня 2025 року / відп. за вип. Ю. Ю. Волк. Суми : Сумський державний університет, 2025. С. 41-43.
Abstract	Магніторезистивний ефект (МРЕ) у феромагнітних матеріалах широко використовується при розробленні сенсорів магнітного поля і зчитуючих головок, проте впровадження тонкоплівкової технології відкрило нові можливості перед розробниками таких пристроїв і розширило сферу їх застосувань [1]. Використання МРЕ із застосуванням сучасної інтегральної технології дає можливість створювати мікромініатюрні датчики з високою чутливістю (незалежною від частоти) у широкому діапазоні (включаючи постійні поля) і можливістю виготовлення на одній підкладці сенсорів і головок, а також електронних схем обробки сигналів і керування.
Appears in Collections:	Наукові видання (ЕлІТ)

Views

Downloads

Files

File	Size	Format	Downloads
Pushkar_magnetoresistive_effect.pdf	2.08 MB	Adobe PDF	0