Электрические свойства тонких плѐнок Cu2ZnSnSe4 и Cu2ZnSnSe2Te2(S2), полученных методом термовакуумного напыления

Abstract

Представлены технологические особенности синтеза и выращивания объемных кристаллов Cu2ZnSnSe4, Cu2ZnSnSe2S2 и Cu2ZnSnSe2Te2. Получены поликристаллические слитки длиной до 50 мм и диаметром до 10 мм. Методом термовакуумного напыления напылены тонкие пленки Cu2ZnSnSe4, Cu2ZnSnSe2S2, Cu2ZnSnSe2Te2. С помощью четырехзондового метода определены значения удельного сопротивление полученных пленок.Представлено технологічні особливості синтезу і вирощування об’ємних кристалів Cu2ZnSnSe4, Cu2ZnSnSe2S2 і Cu2ZnSnSe2Te2. Отримано полікристалічні злитки довжиною до 50 мм та діаметром до 10 мм. Методом термовакуумного напилення отримано тонкі плівки Cu2ZnSnSe4, Cu2ZnSnSe2S2 і Cu2ZnSnSe2Te2. Чотиризондовим методом визначено значення питомого опору отриманих плівок.The technological features of synthesizing and growing bulk crystals Cu2ZnSnSe4, Cu2ZnSnSe2S2 and Cu2ZnSnSe2Te2. Obtained polycrystalline ingot to 50 mm long and 10 mm in diameter. Sputtering of thin films Cu2ZnSnSe4, Cu2ZnSnSe2S2, Cu2ZnSnSe2Te2 carried out in the vacuum system UVN - 70 by thermal vacuum deposition. Investigation of the electrical properties of thin films CZTS performed by resistivity measurement. The resistivity of the films was measured by four-probe method.