Formation factors of stable nanocrystalline thin films
| dc.contributor.author | Панчеха, Петро Олексійович | |
| dc.contributor.author | Панчеха, Петр Алексеевич | |
| dc.contributor.author | Panchekha, P. O. | |
| dc.contributor.author | Басов, Андрій Геннадійович | |
| dc.contributor.author | Басов, Андрей Геннадьевич | |
| dc.contributor.author | Basov, Andrii Hennadiiovych | |
| dc.date.accessioned | 2011-12-27T07:10:15Z | |
| dc.date.available | 2011-12-27T07:10:15Z | |
| dc.date.issued | 2003 | |
| dc.description.abstract | Анализируются экспериментальные данные о концентрации и температурной стабильности межзеренных границ и дефектов упаковки в тонких пленках металлов с некристаллической структурой. Сделан вывод, что образование этих дефектов в процессе конденсации уменьшает свободную энергию тонких пленок. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/22493 | ru_RU |
| dc.description.abstract | Experimental data on concentrations and temperature stability of intergrain boundaries and stacking faults in thin metal films of nanocrystalline structure are considered. The defect formation in the course of condensation has been concluded to decrease the thin film free energy. При цитировании документа, используйте ссылку http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/22493 | ru_RU |
| dc.identifier.citation | Formation factors of stable nanocrystalline thin films / P.A.Panchekha, A.G.Basov // Functional Materials. — 2003. — Vol. 10, № 3. — Pp. 395-401. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/22493 | |
| dc.language.iso | en | ru_RU |
| dc.publisher | Institute for Single Crystals | ru_RU |
| dc.rights.uri | cne | en_US |
| dc.title | Formation factors of stable nanocrystalline thin films | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |