Відображення результатів від 1 до 1 із 1
| Рік випуску | Назва | Автор(и) | Тип | Переглядів | Завантажено |
|---|---|---|---|---|---|
| 2016 | Features of Formation of Ohmic Contacts and Gate on Epitaxial Heterostructure of AlGaN / GaN High Electron Mobility Transistor | Rogachev, I.A.; Knyazkov, A.V.; Meshkov, O.I.; Kurochka, A.S. | Article | 5201091 | 9696934 |