Видання, зареєтровані у фондах бібліотеки
Permanent URI for this communityhttps://devessuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/56
Browse
62 results
Search Results
Item Керування структурно-фазовим станом наночастинок і плівок нових оксидних матеріалів, нанесених хімічними методами, для потреб гнучкої електроніки і геліоенергетики(Сумський державний університет, 2022) Опанасюк, Анатолій Сергійович; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Пшеничний, Роман Миколайович; Pshenychnyi, Roman Mykolaiovych; Єрмаков, Максим Сергійович; Yermakov, Maksym Serhiiovych; Кахерський, Станіслав Ігорович; Kakherskyi, Stanislav Ihorovych; Євдокименко, Владислав Юрійович; Yevdokymenko, Vladyslav Yuriiovych; Шкиря, Юрій Олегович; Shkyria, Yurii OlehovychОб’єкт дослідження: процеси фазо- і структуроутворення у наночастинках і плівках нових нелегованих та легованих оксидних матеріалів, одержаних при різних фізико-технологічних умовах, їх вплив на оптичні, електричні та фотоелектричні властивості сполук Предмет дослідження: структурні, субструктурні, оптичні, електричні характеристики та хімічний склад наночастинок та плівок оксидів СuОx, Zn2SnO4, ZnO:Cu (Al, In), одержаних дешевими хімічними методами (методом друку та розпилення наночорнил), порівняння фізичних властивостей зразків у нанокристалічному та плівковому стані, оптимізація їх характеристик. Метою проекту є оптимізація структурно-фазового складу та фізичних властивостей наночастинок і плівок нових перспективних, екологічно безпечних напівпровідникових оксидних матеріалів (СuОx, Zn2SnO4, ZnO:Cu (Al, In)), що можуть бути використані як функціональні шари приладів гнучкої і прозорої електроніки, фотодетекторів, газових сенсорів, віконних і поглинальних шарів тонкоплівкових фотоперетворювачів сонячної енергії третього покоління та можуть покращити їх експлуатаційні характеристики, збільшити ефективність і часову стабільність, знизити вартість, зробити використання і утилізацію приладів екологічно безпечними; порівняння характеристик цих матеріалів в нанокристалічному і плівковому станах.Item Перспективні напівпровідникові наноматеріали для потреб гнучкої електроніки: синтез, розробка методів друку та оптимізація їх структурних, оптичних і фотоелектричних властивостей(Сумський державний університет, 2023) Опанасюк, Анатолій Сергійович; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Доброжан, Олександр Анатолійович; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Кахерський, Станіслав Ігорович; Kakherskyi, Stanislav Ihorovych; Пшеничний, Роман Миколайович; Pshenychnyi, Roman Mykolaiovych; Д'яченко, Олексій Вікторович; Diachenko, Oleksii Viktorovych; Логвинов, Андрій Миколайович; Lohvynov, Andrii Mykolaiovych; Возний, Андрій Андрійович; Voznyi, Andrii Andriiovych; Шамардін, Артем Володимирович; Shamardin, Artem Volodymyrovych; Гнатенко, Юрій Павлович; Hnatenko, Yurii Pavlovych; Буківський, Петро Миколайович; Bukivskyi, Petro MykolaiovychОб’єкт досліджень: процеси фазо- і структуроутворення у наночастинках синтезованих колоїдно-поліольним методом при різних фізико- та хіміко-технологічних умовах та їх вплив на електрофізичні, оптичні, фотолюмінесцентні характеристики одно- та багатошарових зразків. Предмет досліджень: розробка матеріалознавчих основ одержання наночастинок і плівок кестеритних (Cu2ZnSnS4, Cu2ZnSnSе4, Cu2ZnSn(SxSe1-x)4, Cu2Zn(Mg)SnS4, SnSx) та оксидних (ZnO, NiO, CuxO) напівпровідникових сполук, а також методів керування ансамблем дефектів, електрофізичними, оптичними, фотолюмінесцентними характеристиками наноматеріалів з метою їх одержання із заданими фізичними властивостями. Вироблення рекомендацій щодо подальшого використання отриманих наноматеріалів у сенсориці, опто- і мікроелектроніці, гнучкій електроніці, геліоенергетиці. Мета роботи: cтворення матеріалознавчих і фізико-технологічних основ одержання нових перспективних напівпровідникових наноматеріалів, плівок і гетероструктур на їх основі з контрольованими та наперед заданими електричними, оптичними і структурними властивостями шляхом друку, придатних для використання в гнучкій електроніці, опто- і мікроелектроніці, сенсориці та геліоенергетиці.Item Керування структурно-фазовим станом наночастинок і плівок нових оксидних матеріалів, нанесених хімічними методами, для потреб гнучкої електроніки і геліоенергетики(Сумський державний університет, 2023) Опанасюк, Анатолій Сергійович; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Пшеничний, Роман Миколайович; Pshenychnyi, Roman Mykolaiovych; Д'яченко, Олексій Вікторович; Diachenko, Oleksii Viktorovych; Єрмаков, Максим Сергійович; Yermakov, Maksym Serhiiovych; Кахерський, Станіслав Ігорович; Kakherskyi, Stanislav Ihorovych; Євдокименко, Владислав Юрійович; Yevdokymenko, Vladyslav Yuriiovych; Піддубний, М.; Мороз, Н.; Юрченко, В.Створено наночорнила з контрольованими властивостями на основі суспензій наночастинок СuОx, Zn2SnO4, ZnO:Cu, ZnO:Al(In) в розчинниках з низькими температурами випаровування. Встановлені властивості наночорнил в залежності від умов синтезу частинок та складу використаних розчинників. Досліджено морфологічні, структурні, субструктурні, оптичні характеристики та хімічний склад плівок СuОx, Zn2SnO4, ZnO:Cu, ZnO:Al(In), що дало можливість визначити оптимальні умови нанесення однофазних зразків. Згідно з результатами ренгенодифрактометричних дослідженнь, нанесені плівки були однофазними і мали наступні типи граток: ZnO:Cu – гексагональну та Zn2SnO4 – кубічну гратку. Хімічний склад отриманих зразків виявився близьким до стехіометричного. Встановлено, що розмір областей когерентного розсіювання плівок Zn2SnO4 зростає при збільшенні температури відпалу від 4 нм (250 ℃) до 8 нм (500 ℃), в той час як рівень мікродеформацій зменшується від 15∙10-3 до 8∙10-3. Виявлено, що в плівках Zn2SnO4 підвищення температури відпалу приводить до зміни ширини забороненої зони Eg плівок від 4,03 до 3,65 еВ, що пов’язується з ефектом Бурштена-Мосса. Встановлено, що для легованого оксиду цинку до концентрації Al (In) 3 мас.% (2 мас.%) НЧ і плівки ZnO:Al(In) мають однофазну структуру та містять тільки гексагональний оксид цинку; з подальшим збільшенням вмісту Al (In) в прекурсорі в них з'являється фаза Al2O3 (In2O3). Одночасно легування ZnO домішками приводить до збільшення Eg оксиду до (3,24–3,27) еВ при легуванні Al та (3,24–3,39) еВ – In. Встановлено, що за температури відпалу Та вище 400 °С в плівках оксиду міді спостерігається фазовий перехід від теноритової фази до купритної. У той самий час зміна субструктурних характеристик плівок спостерігається вже за Та = 350 °С. Виявлено, що енергії непрямих дозволених і прямих заборонених міжзонних переходів фази CuO залежать від температури відпалу і відповідають значенням (1,59–1,66) еВ і (1,77–1,91) еВ відповідно. У разі фази Cu2O енергії прямого забороненого та прямого дозволеного переходів відповідають 2,17 еВ та 2,41 еВ. На основі проведений досліджень встановлено оптимальні умови термічного відпалу для ефективного керування складом плівок CuxO.Item Спосіб одержання плівок напівпровідникових твердих розчинів Cu2MgxZn1-xSnS4(Український національний офіс інтелектуальної власності та інновацій, 2023) Пшеничний, Роман Миколайович; Пшеничный, Роман Николаевич; Pshenychnyi, Roman Mykolaiovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Єрмаков, М.С.Спосіб одержання плівок напівпровідникових твердих розчинів Cu2MgxZn1-xSnS4 (0<х<1) включає приготування молекулярного багатокомпонентного розчину, складовими якого є вихідні солі цинку, міді, олова, магнію та тіосечовина, з наступним нанесенням його на скляну підкладку. При цьому для приготування молекулярного багатокомпонентного розчину використовують водні розчини вихідних солей цинку, міді, олова та магнію, і нанесення молекулярного багатокомпонентного розчину здійснюють методом спрей-піролізу пульсуючим розпиленням на нагріту до 350 °C підкладку, при цьому кількість циклів розпилення складає від 50 до 250, і тривалість одного циклу - від 4 до 6 с, залежно від необхідної товщини плівки.Item Спосіб синтезу наночастинок твердих розчинів складу Cu2ZnSn(SхSe1-х)4(Український національний офіс інтелектуальної власності та інновацій, 2023) Пшеничний, Роман Миколайович; Пшеничный, Роман Николаевич; Pshenychnyi, Roman Mykolaiovych; Пономарьова, Людмила Миколаївна; Пономарёва, Людмила Николаевна; Ponomarova, Liudmyla Mykolaivna; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Кахерський, Станіслав Ігорович; Кахерський, Станислав Игоревич; Kakherskyi, Stanislav IhorovychСпосіб синтезу наночастинок твердих розчинів складу Cu2ZnSn(SхSe1-х)4, який виконують шляхом поліольного синтезу у середовищі триетиленгліколю з полівінілпіролідоном у температурному інтервалі (278-283) °С в атмосфері аргону із застосуванням як джерел халькогенів елементарних сірки та селену. Синтез здійснюють при збільшеній кількості солі цинку, порівняно зі стехіометричним складом в 2,1-2,3 разу та зменшеній кількості солі купруму в 1,4-1,6 разу.Item Синтез та оптимізація властивостей сонячних елементів на основі гетеропереходу n-ZnO/p-Cu2ZnSn(S,Se)4, отриманих методом друку з використанням наночорнил(Сумський державний університет, 2021) Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Пономарьов, Олександр Георгійович; Пономарев, Александр Георгиевич; Ponomarov, Oleksandr Heorhiiovych; Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Курбатов, Денис Ігорович; Курбатов, Денис Игоревич; Kurbatov, Denys Ihorovych; Пшеничний, Роман Миколайович; Пшеничный, Роман Николаевич; Pshenychnyi, Roman Mykolaiovych; Д'яченко, Олексій Вікторович; Дьяченко, Алексей Викторович; Diachenko, Oleksii Viktorovych; Шамардін, Артем Володимирович; Шамардин, Артем Владимирович; Shamardin, Artem Volodymyrovych; Іващенко, Максим Миколайович; Иващенко, Максим Николаевич; Ivashchenko, Maksym Mykolaiovych; Кахерський, Станіслав Ігорович; Кахерський, Станислав Игоревич; Kakherskyi, Stanislav IhorovychОб’єкт досліджень: Процеси фазо- і структуроутворення у напівпровідникових плівках, нанесених методом двовимірного друку наночорнилами при різних фізико-хімічних умовах, їх вплив на оптичні, електричні та фотоелектричні властивості одно- та багатошарових систем на їх основі. Предмет досліджень: Структурні, субструктурні, оптичні, електричні та фотоелектричні характеристики плівок ZnO, Cu2ZnSn(SхSe1-х)4 (0 ≤ x ≤ 1), отриманих друком принтером за допомогою суспензій наночастинок у екологічно безпечних розчинниках, з’ясування особливостей фізичних властивостей таких шарів у порівнянні з отриманими вакуумними методами. Мета роботи: Метою даного проекту є створення матеріалознавчих основ керування структурно-чутливими характеристиками плівок сполук ZnO, Cu2ZnSn(SхSe1-х)4 та багатошарових структур на їх основі, отриманих за допомогою друку наночорнилами при різних фізико-технологічних умовах та їх оптимізація. У результаті будуть створені модельні прототипи сонячних перетворювачів на основі гетеропереходу n-ZnO/p-Cu2ZnSn(SхSe1-х)4 на різних підкладках.Item Перспективні напівпровідникові наноматеріали для потреб гнучкої електроніки: синтез, розробка методів друку та оптимізація їх структурних, оптичних і фотоелектричних властивостей(Сумський державний університет, 2021) Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Пшеничний, Роман Миколайович; Пшеничный, Роман Николаевич; Pshenychnyi, Roman Mykolaiovych; Д'яченко, Олексій Вікторович; Дьяченко, Алексей Викторович; Diachenko, Oleksii Viktorovych; Шамардін, Артем Володимирович; Шамардин, Артем Владимирович; Shamardin, Artem Volodymyrovych; Гнатенко, Юрій Павлович; Гнатенко, Юрий Павлович; Hnatenko, Yurii Pavlovych; Буківський, А.П.Розробка матеріалознавчих основ одержання наночастинок напівпровідникових сполук, а також методів керування ансамблем дефектів, електрофізичними, оптичними, фотолюмінесцентними характеристиками наноматеріалів з метою їх одержання із заданими фізичними властивостями. Вироблення рекомендацій щодо подальшого використання отриманих наноматеріалів у сенсориці, опто- і мікроелектроніці, гнучкій електроніці, геліоенергетиці.Item Спосіб створення нанокристалів напівпровідникової сполуки Cu2ZnSnSe4(Український ін-т інтелектуальної власності, 2021) Кахерський, Станіслав Ігорович; Кахерський, Станислав Игоревич; Kakherskyi, Stanislav Ihorovych; Пшеничний, Роман Миколайович; Пшеничный, Роман Николаевич; Pshenychnyi, Roman Mykolaiovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Курбатов, Денис Ігорович; Курбатов, Денис Игоревич; Kurbatov, Denys Ihorovych; Ворожцов, Д.О.Спосіб створення нанокристалів напівпровідникової сполуки Cu2ZnSnSe4 полягає в тому, що суміш солей CuCl2.2H2O, Zn(CH3COO)2.2H2O, SnCl2.2H2O та аморфного Se у мольному співвідношенні Cu:Zn:Sn:Sе=2:(1,48-1,52):1:4 розчиняють у триетиленгліколі, нагрівають до 393 K та витримують при цій температурі в атмосфері аргону протягом 30 хвилин, далі нагрівають до температури синтезу 543-553 K та витримують протягом 100-120 хв. У процесі синтезу одержують золь нанокристалічного Cu2ZnSnSе4 в триетиленгліколі. Суміш охолоджують до кімнатної температури та відділяють синтезований продукт від органічної складової за допомогою центрифугування. Залишки триетиленгліколю відмивають етанолом при інтенсивному збовтуванні з наступним центрифугуванням. Відмитий продукт сушать при температурі 333 K протягом 12 год.Item Отримання та оптимізація властивостей плівок напівпровідників (ZnO, Cu2ZnSn(S,Se)4 і металів (Ag, Cu), надрукованих на 3d-принтері, для пристроїв електроніки(Сумський державний університет, 2020) Курбатов, Денис Ігорович; Курбатов, Денис Игоревич; Kurbatov, Denys Ihorovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Пономарьов, Олександр Георгійович; Пономарев, Александр Георгиевич; Ponomarov, Oleksandr Heorhiiovych; Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Колесник, Максим Миколайович; Колесник, Максим Николаевич; Kolesnyk, Maksym Mykolaiovych; Знаменщиков, Ярослав Володимирович; Знаменщиков, Ярослав Владимирович; Znamenshchykov, Yaroslav Volodymyrovych; Пшеничний, Роман Миколайович; Пшеничный, Роман Николаевич; Pshenychnyi, Roman Mykolaiovych; Іващенко, Максим Миколайович; Иващенко, Максим Николаевич; Ivashchenko, Maksym Mykolaiovych; Шамардін, Артем Володимирович; Шамардин, Артем Владимирович; Shamardin, Artem Volodymyrovych; Д`яченко, Олексій Вікторович; Дьяченко, Алексей Викторович; Diachenko, Oleksii Viktorovych; Гузенко, Олександр Ігорович; Гузенко, Александр Игоревич; Huzenko, Oleksandr Ihorovych; Ярошенко, Я.В.; Єрмаков, М.С.; Волобуєв, В.В.Об’єкт досліджень: Процеси фазо- і структуроутворення у наночастинках та нано- і мікроструктурованих плівках металів Ag, Cu та напівпровідникових сполук ZnO, Cu2ZnSnS4, Cu2ZnSnSe4 синтезованих або нанесених при різних фізико-хімічних умовах та їх вплив на електрофізичні, оптичні, фотолюмінесцентні характеристики зразків.Item Синтез та оптимізація властивостей сонячних елементів на основі гетеропереходу n-ZnO/p-Cu2ZnSn(S,Se)4, отриманих методом друку з використанням наночорнил(Сумський державний університет, 2020) Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Пономарьов, Олександр Георгійович; Пономарев, Александр Георгиевич; Ponomarov, Oleksandr Heorhiiovych; Єрьоменко, Юрій Сергійович; Еременко, Юрий Сергеевич; Yeromenko, Yurii Serhiiovych; Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Пшеничний, Роман Миколайович; Пшеничный, Роман Николаевич; Pshenychnyi, Roman Mykolaiovych; Д`яченко, Олексій Вікторович; Дьяченко, Алексей Викторович; Diachenko, Oleksii Viktorovych; Шамардін, Артем Володимирович; Шамардин, Артем Владимирович; Shamardin, Artem Volodymyrovych; Кахерський, Станіслав Ігорович; Кахерський, Станислав Игоревич; Kakherskyi, Stanislav Ihorovych; Шаповалов, О.І.; Шкиря, Ю.О.Об’єкт досліджень: Процеси фазо- і структуроутворення у напівпровідникових плівках, нанесених методом двовимірного друку наночорнилами при різних фізико-хімічних умовах, їх вплив на оптичні, електричні та фотоелектричні властивості одно- та багатошарових систем на їх основі.