Видання, зареєтровані у фондах бібліотеки
Permanent URI for this communityhttps://devessuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/56
Browse
29 results
Search Results
Item Перспективні напівпровідникові наноматеріали для потреб гнучкої електроніки: синтез, розробка методів друку та оптимізація їх структурних, оптичних і фотоелектричних властивостей(Сумський державний університет, 2023) Опанасюк, Анатолій Сергійович; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Доброжан, Олександр Анатолійович; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Кахерський, Станіслав Ігорович; Kakherskyi, Stanislav Ihorovych; Пшеничний, Роман Миколайович; Pshenychnyi, Roman Mykolaiovych; Д'яченко, Олексій Вікторович; Diachenko, Oleksii Viktorovych; Логвинов, Андрій Миколайович; Lohvynov, Andrii Mykolaiovych; Возний, Андрій Андрійович; Voznyi, Andrii Andriiovych; Шамардін, Артем Володимирович; Shamardin, Artem Volodymyrovych; Гнатенко, Юрій Павлович; Hnatenko, Yurii Pavlovych; Буківський, Петро Миколайович; Bukivskyi, Petro MykolaiovychОб’єкт досліджень: процеси фазо- і структуроутворення у наночастинках синтезованих колоїдно-поліольним методом при різних фізико- та хіміко-технологічних умовах та їх вплив на електрофізичні, оптичні, фотолюмінесцентні характеристики одно- та багатошарових зразків. Предмет досліджень: розробка матеріалознавчих основ одержання наночастинок і плівок кестеритних (Cu2ZnSnS4, Cu2ZnSnSе4, Cu2ZnSn(SxSe1-x)4, Cu2Zn(Mg)SnS4, SnSx) та оксидних (ZnO, NiO, CuxO) напівпровідникових сполук, а також методів керування ансамблем дефектів, електрофізичними, оптичними, фотолюмінесцентними характеристиками наноматеріалів з метою їх одержання із заданими фізичними властивостями. Вироблення рекомендацій щодо подальшого використання отриманих наноматеріалів у сенсориці, опто- і мікроелектроніці, гнучкій електроніці, геліоенергетиці. Мета роботи: cтворення матеріалознавчих і фізико-технологічних основ одержання нових перспективних напівпровідникових наноматеріалів, плівок і гетероструктур на їх основі з контрольованими та наперед заданими електричними, оптичними і структурними властивостями шляхом друку, придатних для використання в гнучкій електроніці, опто- і мікроелектроніці, сенсориці та геліоенергетиці.Item Спосіб синтезу наночастинок твердих розчинів складу Cu2ZnSn(SхSe1-х)4(Український національний офіс інтелектуальної власності та інновацій, 2023) Пшеничний, Роман Миколайович; Пшеничный, Роман Николаевич; Pshenychnyi, Roman Mykolaiovych; Пономарьова, Людмила Миколаївна; Пономарёва, Людмила Николаевна; Ponomarova, Liudmyla Mykolaivna; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Кахерський, Станіслав Ігорович; Кахерський, Станислав Игоревич; Kakherskyi, Stanislav IhorovychСпосіб синтезу наночастинок твердих розчинів складу Cu2ZnSn(SхSe1-х)4, який виконують шляхом поліольного синтезу у середовищі триетиленгліколю з полівінілпіролідоном у температурному інтервалі (278-283) °С в атмосфері аргону із застосуванням як джерел халькогенів елементарних сірки та селену. Синтез здійснюють при збільшеній кількості солі цинку, порівняно зі стехіометричним складом в 2,1-2,3 разу та зменшеній кількості солі купруму в 1,4-1,6 разу.Item Електронні системи в геліоенергетиці(Сумський державний університет, 2022) Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr AnatoliiovychItem Синтез та оптимізація властивостей сонячних елементів на основі гетеропереходу n-ZnO/p-Cu2ZnSn(S,Se)4, отриманих методом друку з використанням наночорнил(Сумський державний університет, 2021) Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Пономарьов, Олександр Георгійович; Пономарев, Александр Георгиевич; Ponomarov, Oleksandr Heorhiiovych; Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Курбатов, Денис Ігорович; Курбатов, Денис Игоревич; Kurbatov, Denys Ihorovych; Пшеничний, Роман Миколайович; Пшеничный, Роман Николаевич; Pshenychnyi, Roman Mykolaiovych; Д'яченко, Олексій Вікторович; Дьяченко, Алексей Викторович; Diachenko, Oleksii Viktorovych; Шамардін, Артем Володимирович; Шамардин, Артем Владимирович; Shamardin, Artem Volodymyrovych; Іващенко, Максим Миколайович; Иващенко, Максим Николаевич; Ivashchenko, Maksym Mykolaiovych; Кахерський, Станіслав Ігорович; Кахерський, Станислав Игоревич; Kakherskyi, Stanislav IhorovychОб’єкт досліджень: Процеси фазо- і структуроутворення у напівпровідникових плівках, нанесених методом двовимірного друку наночорнилами при різних фізико-хімічних умовах, їх вплив на оптичні, електричні та фотоелектричні властивості одно- та багатошарових систем на їх основі. Предмет досліджень: Структурні, субструктурні, оптичні, електричні та фотоелектричні характеристики плівок ZnO, Cu2ZnSn(SхSe1-х)4 (0 ≤ x ≤ 1), отриманих друком принтером за допомогою суспензій наночастинок у екологічно безпечних розчинниках, з’ясування особливостей фізичних властивостей таких шарів у порівнянні з отриманими вакуумними методами. Мета роботи: Метою даного проекту є створення матеріалознавчих основ керування структурно-чутливими характеристиками плівок сполук ZnO, Cu2ZnSn(SхSe1-х)4 та багатошарових структур на їх основі, отриманих за допомогою друку наночорнилами при різних фізико-технологічних умовах та їх оптимізація. У результаті будуть створені модельні прототипи сонячних перетворювачів на основі гетеропереходу n-ZnO/p-Cu2ZnSn(SхSe1-х)4 на різних підкладках.Item Перспективні напівпровідникові наноматеріали для потреб гнучкої електроніки: синтез, розробка методів друку та оптимізація їх структурних, оптичних і фотоелектричних властивостей(Сумський державний університет, 2021) Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Пшеничний, Роман Миколайович; Пшеничный, Роман Николаевич; Pshenychnyi, Roman Mykolaiovych; Д'яченко, Олексій Вікторович; Дьяченко, Алексей Викторович; Diachenko, Oleksii Viktorovych; Шамардін, Артем Володимирович; Шамардин, Артем Владимирович; Shamardin, Artem Volodymyrovych; Гнатенко, Юрій Павлович; Гнатенко, Юрий Павлович; Hnatenko, Yurii Pavlovych; Буківський, А.П.Розробка матеріалознавчих основ одержання наночастинок напівпровідникових сполук, а також методів керування ансамблем дефектів, електрофізичними, оптичними, фотолюмінесцентними характеристиками наноматеріалів з метою їх одержання із заданими фізичними властивостями. Вироблення рекомендацій щодо подальшого використання отриманих наноматеріалів у сенсориці, опто- і мікроелектроніці, гнучкій електроніці, геліоенергетиці.Item Спосіб створення нанокристалів напівпровідникової сполуки Cu2ZnSnSe4(Український ін-т інтелектуальної власності, 2021) Кахерський, Станіслав Ігорович; Кахерський, Станислав Игоревич; Kakherskyi, Stanislav Ihorovych; Пшеничний, Роман Миколайович; Пшеничный, Роман Николаевич; Pshenychnyi, Roman Mykolaiovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Курбатов, Денис Ігорович; Курбатов, Денис Игоревич; Kurbatov, Denys Ihorovych; Ворожцов, Д.О.Спосіб створення нанокристалів напівпровідникової сполуки Cu2ZnSnSe4 полягає в тому, що суміш солей CuCl2.2H2O, Zn(CH3COO)2.2H2O, SnCl2.2H2O та аморфного Se у мольному співвідношенні Cu:Zn:Sn:Sе=2:(1,48-1,52):1:4 розчиняють у триетиленгліколі, нагрівають до 393 K та витримують при цій температурі в атмосфері аргону протягом 30 хвилин, далі нагрівають до температури синтезу 543-553 K та витримують протягом 100-120 хв. У процесі синтезу одержують золь нанокристалічного Cu2ZnSnSе4 в триетиленгліколі. Суміш охолоджують до кімнатної температури та відділяють синтезований продукт від органічної складової за допомогою центрифугування. Залишки триетиленгліколю відмивають етанолом при інтенсивному збовтуванні з наступним центрифугуванням. Відмитий продукт сушать при температурі 333 K протягом 12 год.Item Отримання та оптимізація властивостей плівок напівпровідників (ZnO, Cu2ZnSn(S,Se)4 і металів (Ag, Cu), надрукованих на 3d-принтері, для пристроїв електроніки(Сумський державний університет, 2020) Курбатов, Денис Ігорович; Курбатов, Денис Игоревич; Kurbatov, Denys Ihorovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Пономарьов, Олександр Георгійович; Пономарев, Александр Георгиевич; Ponomarov, Oleksandr Heorhiiovych; Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Колесник, Максим Миколайович; Колесник, Максим Николаевич; Kolesnyk, Maksym Mykolaiovych; Знаменщиков, Ярослав Володимирович; Знаменщиков, Ярослав Владимирович; Znamenshchykov, Yaroslav Volodymyrovych; Пшеничний, Роман Миколайович; Пшеничный, Роман Николаевич; Pshenychnyi, Roman Mykolaiovych; Іващенко, Максим Миколайович; Иващенко, Максим Николаевич; Ivashchenko, Maksym Mykolaiovych; Шамардін, Артем Володимирович; Шамардин, Артем Владимирович; Shamardin, Artem Volodymyrovych; Д`яченко, Олексій Вікторович; Дьяченко, Алексей Викторович; Diachenko, Oleksii Viktorovych; Гузенко, Олександр Ігорович; Гузенко, Александр Игоревич; Huzenko, Oleksandr Ihorovych; Ярошенко, Я.В.; Єрмаков, М.С.; Волобуєв, В.В.Об’єкт досліджень: Процеси фазо- і структуроутворення у наночастинках та нано- і мікроструктурованих плівках металів Ag, Cu та напівпровідникових сполук ZnO, Cu2ZnSnS4, Cu2ZnSnSe4 синтезованих або нанесених при різних фізико-хімічних умовах та їх вплив на електрофізичні, оптичні, фотолюмінесцентні характеристики зразків.Item Синтез та оптимізація властивостей сонячних елементів на основі гетеропереходу n-ZnO/p-Cu2ZnSn(S,Se)4, отриманих методом друку з використанням наночорнил(Сумський державний університет, 2020) Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Пономарьов, Олександр Георгійович; Пономарев, Александр Георгиевич; Ponomarov, Oleksandr Heorhiiovych; Єрьоменко, Юрій Сергійович; Еременко, Юрий Сергеевич; Yeromenko, Yurii Serhiiovych; Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Пшеничний, Роман Миколайович; Пшеничный, Роман Николаевич; Pshenychnyi, Roman Mykolaiovych; Д`яченко, Олексій Вікторович; Дьяченко, Алексей Викторович; Diachenko, Oleksii Viktorovych; Шамардін, Артем Володимирович; Шамардин, Артем Владимирович; Shamardin, Artem Volodymyrovych; Кахерський, Станіслав Ігорович; Кахерський, Станислав Игоревич; Kakherskyi, Stanislav Ihorovych; Шаповалов, О.І.; Шкиря, Ю.О.Об’єкт досліджень: Процеси фазо- і структуроутворення у напівпровідникових плівках, нанесених методом двовимірного друку наночорнилами при різних фізико-хімічних умовах, їх вплив на оптичні, електричні та фотоелектричні властивості одно- та багатошарових систем на їх основі.Item Синтез та оптимізація властивостей напівпровідникових плівок CU2ZNSN(GE)SSE4, отриманих безвакуумними методами, для сонячних перетворювачів третього покоління(Сумський державний університет, 2020) Іващенко, Максим Миколайович; Иващенко, Максим Николаевич; Ivashchenko, Maksym Mykolaiovych; Курбатов, Денис Ігорович; Курбатов, Денис Игоревич; Kurbatov, Denys Ihorovych; Д`яченко, Олексій Вікторович; Дьяченко, Алексей Викторович; Diachenko, Oleksii Viktorovych; Шамардін, Артем Володимирович; Шамардин, Артем Владимирович; Shamardin, Artem Volodymyrovych; Знаменщиков, Ярослав Володимирович; Знаменщиков, Ярослав Владимирович; Znamenshchykov, Yaroslav Volodymyrovych; Возний, Андрій Андрійович; Возный, Андрей Андреевич; Voznyi, Andrii Andriiovych; Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr AnatoliiovychОб’єкт дослідження - вплив фізико-технологічних умов отримання на фазовий склад, структурні, оптичні та електрофізичні властивості плівок кестеритів типу I2-II-IV-VI4, зокрема Cu2ZnSn(Ge)(S,Se)4. Мета роботи - створення модельних зразків сонячних перетворювачів на основі плівок сполук групи I2-II-IV-VI4, зокрема Cu2ZnSn(Ge)(S,Se)4 з різними буферними та віконними шарами недорогим безвакуумним методом спрей-піролізу.Item Синтез та оптимізація властивостей напівпровідникових плівок Cu2ZnSn(Ge)SSe4, отриманих безвакуумними методами, для сонячних перетворювачів третього покоління(Сумський державний університет, 2019) Іващенко, Максим Миколайович; Иващенко, Максим Николаевич; Ivashchenko, Maksym Mykolaiovych; Курбатов, Денис Ігорович; Курбатов, Денис Игоревич; Kurbatov, Denys Ihorovych; Д`яченко, Олексій Вікторович; Дьяченко, Алексей Викторович; Diachenko, Oleksii Viktorovych; Шамардін, Артем Володимирович; Шамардин, Артем Владимирович; Shamardin, Artem Volodymyrovych; Знаменщиков, Ярослав Володимирович; Знаменщиков, Ярослав Владимирович; Znamenshchykov, Yaroslav Volodymyrovych; Возний, Андрій Андрійович; Возный, Андрей Андреевич; Voznyi, Andrii Andriiovych; Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr AnatoliiovychСонячні елементи на основі тонких плівок селеніду міді індію галію (CIGS) і телуриду кадмію (CdTe) свого часу стали більш дешевою альтернативою сонячним елементам на основі кремнію. Сучасні технології, що використовують в якості поглиначів CIGS та CdTe, досягли ефективності перетворювання сонячної енергії в лабораторних умовах 23,3% та 22,1% [1], відповідно, і вже перейшли в комерційне використання. Однак, незважаючи на значні успіхи, залучення токсичних металів Cd і рідкісних металів індію (In), галію (Ga) та телуру (Te) в композицію, є головною перешкодою для широкого використання цих технологій в майбутньому.
- «
- 1 (current)
- 2
- 3
- »