Факультет електроніки та інформаційних технологій (ЕлІТ)

Permanent URI for this communityhttps://devessuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/20

Browse

Search Results

Now showing 1 - 10 of 11
  • Item
    Исследование содержания кислорода в пленках сульфида цинка методом резерфордовского обратного рассеяния
    (Российская академия наук. Издательство “Наука”, 2010) Крамченков, А.Б.; Крамченков, А.Б.; Kramchenkov, A.B.; Курбатов, Денис Ігорович; Курбатов, Денис Игоревич; Kurbatov, Denys Ihorovych; Захарець, М.І.; Захарец, М.И.; Zakharets, M.I.; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych
    Методом резерфордовского обратного рассеяния ионов определено содержание кислорода в пленках ZnS, полученных сублимацией в замкнутом объеме при разных температурах конденсации. Измерения проводились как на исходных образцах, так и после их отжига на воздухе. Для получения спектров рассеяния частиц был использован пучок протонов с начальной энергией 1 МэВ и углом рассеяния θ = 135°.
  • Item
    Пленки ZnxCd1-xS, полученные методом спрей-пиролиза, для окон тонкопленочных фотопреобразователей
    (2016) Єременко, Юрій Сергійович; Еременко, Юрий Сергеевич; Yeremenko, Yurii Serhiiovych; Демиденко, Максим Геннадійович; Демиденко, Максим Геннадьевич; Demydenko, Maksym Hennadiiovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Салогуб, А.А.; Курбатов, Денис Ігорович; Курбатов, Денис Игоревич; Kurbatov, Denys Ihorovych
    Сегодня в сфере солнечной энергетики происходит активный поиск новых материалов для производства солнечных преобразователей (СП) третьего поколения. В последнее время рассматривают возможность замены традиционного оконного слоя СП на твёрдый раствор ZnxCd1-xS, использование которого позволяет увеличить ширину запрещенной зоны данного слоя и соответственно напряжение холостого хода фотопреобразователей, а также уменьшить количество рекомбинационных центров на границе раздела материалов благодаря лучшему согласованию их параметров решетки. В связи с этим ZnxCd1-xS имеют хорошие перспективы использования в качестве оконного слоя СП. Целью данной работы являлось исследование влияния температуры подложки на спектры отражения, пропускания и другие оптические характеристики пленок ZnxCd1-xS, полученных спрей-пиролизом, для их оптимизации, а также оценка перспектив использования таких пленок в качестве оконного слоя СП.
  • Item
    Structural features of ZnOxS1- nanostructured films
    (IEEE Publishing, 2014) Бересток, Таїсія Олександрівна; Бересток, Таисия Александровна; Berestok, Taisiia Oleksandrivna; Опанасюк, Надія Миколаївна; Опанасюк, Надежда Николаевна; Opanasiuk, Nadiia Mykolaivna; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych
    В работе методом химического осаждения из растворов ацетата цинка, тиамочевины и аммиака получены наноструктурированные слои твердых растворов ZnOxS1-x. Структурные особенности пленок ZnOxS1-x исследованы методами растровой микроскопии и рентгеновской дифрактометрии. В результате установлено влияние времени осаждения на элементный и фазовый состав тонких слоев, а также их структурные характеристики, такие как период решетки и качество текстуры.
  • Item
    Синтез нанокристалических тетраподов Cu2SnSe3
    (Издательство ЮЗГУ, Курск, Россия, 2014) Доброжан, Олександр Анатолійович; Доброжан, Александр Анатольевич; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych
    В работе с помощью коллоидального синтеза были получены наноразмерные тетраподы трехкомпонентного соединения Cu2SnSe3. Методами просвечивающей электронной микроскопии, рентгенодифрактометрии, рентгеноспектрального анализа были изучены морфология, структурные свойства и элементный состав, полученных наночастиц. Установлено, что трехмерные частицы имели форму ядра с симметрично расположенными четырьмя выростами - «руками». Рентгено-дифрактометрический анализ показал присутствие в наночастицах с элементным составом Cu1.83Sn0,86Sn3 сфалеритной и вюрцитной фаз.
  • Item
    Исследование структурных и субструктурных характеристик пленок ZnO
    (Издательство ЮЗГУ, Курск, Россия, 2014) Бересток, Таїсія Олександрівна; Бересток, Таисия Александровна; Berestok, Taisiia Oleksandrivna; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Манжос, Олексій Павлович; Манжос, Алексей Павлович; Manzhos, Oleksii Pavlovych
    В работе с помощью метода химического осаждения из водных растворов гексагидрата нитрата цинка и аммиака были получены пленки оксида цинка. Структурные и субструктурные свойства, полученных образцов были исследованы с помощью ретгенодифракционного метода. Проведенные исследования позволили определить зависимость основных структурных параметров пленок ZnO (текстуры, периода кристаллической решетки, размера областей когерентного рассеяния (ОКР), уровня микродеформаций) от физико-химических условий нанесения образцов.
  • Item
    Исследование структурых особенностей нанокристал-лических пленок MgO, полученных методом спрей-пролиза
    (Издательство ЮЗГУ, Курск, Россия, 2014) Д`яченко, Олексій Вікторович; Дьяченко, Алексей Викторович; Diachenko, Oleksii Viktorovych; Курбатов, Денис Ігорович; Курбатов, Денис Игоревич; Kurbatov, Denys Ihorovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych
    В работе методом рентгендифрактометрии исследованы пленки, полученные методом спрей-пиролиза с использованием в качестве прекурсора раствора хлорида магния. Определен интервал температур подложек, где растут пленки кубического оксида магния с нанокристаллической структурой. Параметры кристаллической решетки соединения составляли а = 0,42345 нм для слоев, нанесенных при Ts = 380 0C, и а = 0,42121 нм при Ts = 400 0C, что хорошо коррелирует со справочными данными.
  • Item
    Анализ элементного состава пленок CZTSе методом PIXE и m-PIXE
    (Московский государственный университет им М.В. Ломоносова, 2012) Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Коваль, Павло Вікторович; Коваль, Павел Викторович; Koval, Pavlo Viktorovych; Магилин, Д.В.; Пономарьов, Олександр Георгійович; Пономарев, Александр Георгиевич; Ponomarov, Oleksandr Heorhiiovych; Чеонг, Х.
    В этой работе в результате исследований элементного состава пленок CZTSe построены карты распределения элементов входящих в состав соединения по площади поверхности, а также определен элементный состав пленок в зависимости от режимов получения образцов. При цитировании документа, используйте ссылку http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/34063
  • Item
    Пленки Cu2ZnSnSe4 для поглощающих слоев солнечных элементов
    (IEEE Catalog, 2013) Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Коваль, Павло Вікторович; Коваль, Павел Викторович; Koval, Pavlo Viktorovych; Курбатов, Денис Ігорович; Курбатов, Денис Игоревич; Kurbatov, Denys Ihorovych; Чеонг, Х.; Пономарьов, Олександр Георгійович; Пономарев, Александр Георгиевич; Ponomarov, Oleksandr Heorhiiovych
    С целью оптимизации структурных параметров в работе методами электронной микроскопии и рентген- дифрактометрии исследованы пленки CZTSe, полученные соиспарением компонентов соединения (Cu, Zn, Sn, и Se) с исполь- зованием ячеек Кнудсена. В результате анализа рентгеновских дифракционных картин было показано, что пленки имеют од- нофазную тетрагональную кристаллическую структуру c текстурой роста [211]. Период решетки материала изменяется в ин- тервале a = (0.56640-0.56867) нм, с = (1.13466-1.13776) нм. Полученные пленки могут быть использованы в качестве поглоща- ющих слоев высокоэффективных тонкопленочных солнечных преобразователей. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/32569
  • Item
    Інжекційна спектроскопія локалізованих станів в умовах просторової негомогенності зразків
    (Вид-во СумДУ, 2004) Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Тиркусова, Надія Володимирівна; Тыркусова, Надежда Владимировна; Tyrkusova, Nadiia Volodymyrivna; Шевченко, М.
  • Item
    Розрахунок ансамблю власних дефектів у кристалах CdTе методом квазіхімічних реакцій для випадку часткової рівноваги
    (Изд-во СумГУ, 2004) Косяк, Володимир Володимирович; Косяк, Владимир Владимирович; Kosiak, Volodymyr Volodymyrovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych