Рост и устойчивость островка новой фазы при осаждении вещества на поверхности кристалла

Коропов, А.В.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/10572

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Рост и устойчивость островка новой фазы при осаждении вещества на поверхности кристалла
Authors	Коропов, А.В.
ORCID
Keywords
Type	Article
Date of Issue	2006
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/10572
Publisher	Изд-во СумГУ
License
Citation	Коропов, А.В. Рост и устойчивость островка новой фазы при осаждении вещества на поверхности кристалла [Текст] / А.В. Коропов // Вісник Сумського державного університету. Серія Фізика, математика, механіка. — 2006. — № 9(93) — С. 49-62.
Abstract	В статье рассмотрен диффузионный рост двумерного островка новой фазы на поверхности кристалла. Проанализирована устойчивость роста островка относительно малых возмущений его формы с учетом граничной кинетики адатомов на границе островка. Найдены пороговые радиусы островка, выше которых нарастают амплитуда искажения формы и относительная деформация формы островка. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/10572 The paper discusses the diffusion-induced growth of a two-dimensional island of a new phase on the crystal surface. The stability of the island growth is analyzed for minor distortions of the island shape taking into account the boundary kinetics of adatoms at the island boundary. Critical radii of the island were found for the distorted island amplitude and strain to increase. При цитировании документа, используйте ссылку http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/10572
Appears in Collections:	Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)