Activation energy of polycrystalline silicon thin film transistor

Panwar, Alka; Chandra, Mahesh; Tyagi, B.P.

Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/22010

Використовуйте наступні посилання для розповсюдження матеріалу в соціальних мережах: Рекомендувати цей матеріал

Назва	Activation energy of polycrystalline silicon thin film transistor
Автори	Panwar, Alka Chandra, Mahesh Tyagi, B.P.
ORCID
Ключові слова	энергии активации енергії активації activation energy поликремний полікремній polysilicon
Вид документа	Стаття
Дати випуску	2011
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу)	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/22010
Видавець	Видавництво СумДУ
Ліцензія	Copyright не зазначено
Бібліографічний опис	Panwar, A. Activation energy of polycrystalline silicon thin film transistor [Текст] / A. Panwar, M. Chandra, B.P. Tyagi // Journal of Nano- and Electronic Physics. — 2011. — Vol.3, № 1, Part IV : Proceedings of the International Symposium on Semiconductor Materials and Devices (ISSMD-2011), Vadodara, India, 28-30 January 2011. — P. 667-670.
Короткий огляд (реферат)	The activation energy of a poly-Si thin film transistor is observed to be influenced by the grain size, trap state density and the inversion layer thickness. The present study aims to investigate these parameters theoretically so as to explore optimum conditions for the working of a polycrystalline silicon thin film transistor. Our computations have revealed that the activation energy decreases with the increase of gate bias for all values of grain size, trap states density and the inversion layer thickness. These findings are compared with the experimental results. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/22010
Розташовується у зібраннях:	Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)