Molybdenum back-contact optimization for CIGS thin film solar cell

Ray, J.R.; Shah, N.M.; Desai, M.S.; Panchal, C.J.

Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/22118

Використовуйте наступні посилання для розповсюдження матеріалу в соціальних мережах: Рекомендувати цей матеріал

Назва	Molybdenum back-contact optimization for CIGS thin film solar cell
Автори	Ray, J.R. Shah, N.M. Desai, M.S. Panchal, C.J.
ORCID
Ключові слова	высокочастотное магнетронное распыление високочастотне магнетроне розпилення Rf magnetron sputtering молибденовая тонкая пленка молібденова тонка плівка molybdenum thin film
Вид документа	Стаття
Дати випуску	2011
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу)	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/22118
Видавець	Видавництво СумДУ
Ліцензія	Copyright не зазначено
Бібліографічний опис	Molybdenum back-contact optimization for CIGS thin film solar cell [Текст] / J.R. Ray, N.M. Shsh, M.S. Desai, C.J. Panchal // Journal of Nano- and Electronic Physics. — 2011. — Vol.3, № 1, Part IV : Proceedings of the International Symposium on Semiconductor Materials and Devices (ISSMD-2011), Vadodara, India, 28-30 January 2011. — P. 766-775.
Короткий огляд (реферат)	Molybdenum (Mo) thin films are most widely used as an ohmic back-contact in the copper indium diselenide (CIS) and its alloy copper indium gallium diselenide (CIGS) based thin film solar cell. Radio frequency (RF) magnetron sputtering system used to deposit Mo thin films on soda lime glass substrate. The deposition was carried out using argon (Ar) gas at different Ar controlled (working) pressures (1 mTorr to 10 mTorr) and at different RF powers (60 W to 100 W). The influence of both the working pressure and the RF power on the Mo thin films was studied by investigating its structural, morphological, electrical, and optical measurements. The results reveal that a stress-free, low-sheet-resistance (~1 W/􀀀), and reflecting (~ 55 %) Mo thin film was observed at 1 mTorr working pressure and 100 W RF power. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/22118
Розташовується у зібраннях:	Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)