Управління параметрами GaAs:Si-p-n-структур при гіратронному опромінюванні

Сукач, Г.О.; Кідалов, В.В.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/23777

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Управління параметрами GaAs:Si-p-n-структур при гіратронному опромінюванні
Authors	Сукач, Г.О. Кідалов, В.В.
ORCID
Keywords	гіратронне опромінювання світловипромінюючі структури домішки управління станом p-n-переходу термо-пружні напруги
Type	Article
Date of Issue	2011
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/23777
Publisher	Видавництво СумДУ
License
Citation	Г.О. Сукач, В.В. Кідалов, Ж. нано- електрон. фіз. 3 №4, 138 (2011)
Abstract	Показано, що за допомогою гіратронного опромінення можливо управлінням становищем р-п переходу у вже виготовленій світловипромінюючій структурі. Зрушення компенсованої області випромінюючої структури на основі GaAs:Si, обумовлене рухом домішок у полі термопружних напруг, що з'являються в процесі охолодження зразків після гіратронного опромінення. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/23777
Appears in Collections:	Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)