Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/2671
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Морфологія поверхні та оптичні властивості плівок CdSe отриманих методом квазізамкненого об’єму
Other Titles Surfase morphology and optical properties of CdSe films, obtained by close-spaced sublimation method
Authors Стариков, В.В.
Іващенкo, Максим Миколайович
Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych  
Перевертайло, В.Л.
Starikov, V.V.
Ivashchenko, Maksym Mykolayovych
Perevertaylo, V.L.
Иващенкo, Максим Николаевич
ORCID http://orcid.org/0000-0002-1888-3935
Keywords ПЛІВКИ СЕЛЕНІДУ КАДМІЮ
МОРФОЛОГІЯ ПОВЕРХНІ
КОЕФІЦІЄНТ ПРОПУСКАННЯ
КОЕФІЦІЄНТ ВІДБИТТЯ
ШИРИНА ЗАБОРОНЕНОЇ ЗОНИ
СADMIUM SELENIDE FILMS
SURFACE MORPHOLOGY
TRANSMITTANCE COEFFICIENT
REFLECTANCE COEFFICIENT
WIDE BAND GAP
Type Article
Date of Issue 2009
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/2671
Publisher Вид-во СумДУ
License
Citation В.В. Старіков, М.М. Іващенкo, А.С. Опанасюк, В.Л. Перевертайло, Ж. нано- та електрон. фіз. 1 №4, 100 (2009)
Abstract В роботі проведено дослідження морфології поверхні, механізмів росту та оптичних властивостей плівок CdSe, одержаних методом термічного випаровування у квазізамкненому об’ємі, які є перспективними для використання у якості поглинаючих шарів тандемних сонячних елементів та фотодетекторів. Вимірювання оптичних характеристик шарів здійснювалося методами спектрофотометричного аналізу поблизу «червоної межі» фотоактивності напівпровідника. Проведені дослідження дали можливість отримати спектральні розподіли коефіцієнтів пропускання Т(λ), відбиття R(λ), поглинання α(λ), заломлення n(λ), реальної ε1(λ) та уявної ε2(λ) частин оптичної діелектричної сталої зразків та виявити їх залежність від температури осадження плівок. // Eng In present research the investigation of surface morphology, growth mechanism and optical properties of CdSe films, obtained by thermal evaporation by quasi-closed volume method, which is promising for use as absorption layers of tandem solar cells and photodetectors was carried out. Measuring of optical characteristics layers was carried out by spectrum photometric analysis method near “red boundary” semiconductor photoactivity. This research allowed to obtained spectrum distributions of transmittance coefficients T(λ), reflectance coefficients T(λ), absorption coefficients α(λ), refraction coefficients n(λ), real ε1(λ) and imaginary ε2(λ) parts of samples optical dielectric constant and to define their dependence on the films deposition temperature. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/2671
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Bulgaria Bulgaria
1
China China
6
Czechia Czechia
1
Denmark Denmark
1
France France
4308809
Germany Germany
834182
Greece Greece
1
Hungary Hungary
1
Ireland Ireland
29466812
Italy Italy
1
Lithuania Lithuania
1
Mexico Mexico
1
Netherlands Netherlands
7
Russia Russia
253247915
Spain Spain
1
Sweden Sweden
83228
Turkey Turkey
10
Ukraine Ukraine
30885623
United Kingdom United Kingdom
1047740291
United States United States
308544059
Unknown Country Unknown Country
2095425096

Downloads

China China
2
France France
1
Germany Germany
486
Ireland Ireland
1
Lithuania Lithuania
1
Ukraine Ukraine
1340813794
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
308544059
Unknown Country Unknown Country
180

Files

File Size Format Downloads
jnep_2009_V1_N4_100-109.pdf 706,14 kB Adobe PDF 1649358525

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.