Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/27815
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Топологія поверхні шаруватих кристалів p-InSe і n-SnS2-xSex (0 ≤ x ≤ 1) та гетеропереходи на їх основі
Authors Катеринчук, В.М.
Кудринський, З.Р.
Ковалюк, З.Д.
ORCID
Keywords атомно-силова мікроскопія
шаруваті кристали
гетеропереходи
спектральні характеристики
вольт-амперні-характеристики
Type Article
Date of Issue 2012
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/27815
Publisher Сумський державний університет
License
Citation В.М. Катеринчук, З.Р. Кудринський, З.Д. Ковалюк, Ж. нано- електрон. фіз. 4 № 2, 02042 (2012)
Abstract На вирощених шаруватих кристалах p-InSe і n-SnS2-xSex при допомозі атомно-силового мікроскопа проведені дослідження поверхні цих матеріалів. Методом оптичного контакту створено гетеропереходи p-InSe–n-SnS2-xSex і досліджені їх спектральні та вольт-амперні характеристики. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/27815
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Cambodia Cambodia
1
China China
3
Germany Germany
12
Greece Greece
7925
Iran Iran
1
Ireland Ireland
139154
Kenya Kenya
1
Lithuania Lithuania
1
Netherlands Netherlands
4
Romania Romania
1
Russia Russia
18
Singapore Singapore
1
South Korea South Korea
1
Sweden Sweden
1
Switzerland Switzerland
1
Taiwan Taiwan
1
Thailand Thailand
1
Turkey Turkey
7923
Ukraine Ukraine
1979815
United Kingdom United Kingdom
911848
United States United States
31071013
Unknown Country Unknown Country
1979814

Downloads

China China
21017959
Germany Germany
2
Lithuania Lithuania
1
Russia Russia
2
Singapore Singapore
1
Ukraine Ukraine
5938376
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
31071014
Unknown Country Unknown Country
177

Files

File Size Format Downloads
jnep_2012_V4_02042.pdf 329.06 kB Adobe PDF 58027533

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.