Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/27815
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Топологія поверхні шаруватих кристалів p-InSe і n-SnS2-xSex (0 ≤ x ≤ 1) та гетеропереходи на їх основі
Authors Катеринчук, В.М.
Кудринський, З.Р.
Ковалюк, З.Д.
Keywords атомно-силова мікроскопія
шаруваті кристали
гетеропереходи
спектральні характеристики
вольт-амперні-характеристики
Type Article
Date of Issue 2012
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/27815
Publisher Сумський державний університет
Citation В.М. Катеринчук, З.Р. Кудринський, З.Д. Ковалюк, Ж. нано- електрон. фіз. 4 № 2, 02042 (2012)
Abstract На вирощених шаруватих кристалах p-InSe і n-SnS2-xSex при допомозі атомно-силового мікроскопа проведені дослідження поверхні цих матеріалів. Методом оптичного контакту створено гетеропереходи p-InSe–n-SnS2-xSex і досліджені їх спектральні та вольт-амперні характеристики. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/27815
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Cambodia Cambodia
1
China China
3
Germany Germany
12
Iran Iran
1
Kenya Kenya
1
Netherlands Netherlands
4
Romania Romania
1
Russia Russia
18
South Korea South Korea
1
Taiwan Taiwan
1
Thailand Thailand
1
Turkey Turkey
7
Ukraine Ukraine
27
United States United States
23
Unknown Country Unknown Country
47

Downloads

China China
16
Germany Germany
2
Russia Russia
2
Ukraine Ukraine
10
United States United States
1
Unknown Country Unknown Country
177

Files

File Size Format Downloads
jnep_2012_V4_02042.pdf 329,06 kB Adobe PDF 208

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.