Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/27928
Використовуйте наступні посилання для розповсюдження матеріалу в соціальних мережах:
Tweet
Рекомендувати цей матеріал
Назва | Impact of annealing on CuInSe2 thin films and its Schottky interface |
Автори |
Parihar, U.
Ray, J.R. Kumar, N. Sachdeva, R. Padha, N. Panchal, C.J. |
ORCID | |
Ключові слова |
thermal evaporation CIS thin film vacuum annealing structural morphological electrical characterization |
Вид документа | Стаття |
Дати випуску | 2011 |
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу) | http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/27928 |
Видавець | Видавництво СумДУ |
Ліцензія | |
Бібліографічний опис | U. Parihar, J.R. Ray, N. Kumar, et al., J. Nano- Electron. Phys. 3 No1, 1086 (2011) |
Короткий огляд (реферат) |
The room temperature current–voltage (I-V) characteristics of the Al/p-CuInSe2 Schottky Diodes fabricated on thermally evaporated CIS thin films, before and after annealing, were studied. Prior to their diode formation, the undertaken CIS thin films were compared on the basis of structural, morphological and electrical investigations. Wherein, annealed films showed an increase in the grain size and carrier concentration values while decrease in resistivity. I-V analysis of the Schottky diodes depicted decrease in the barrier heights and increase in ideality factors of those formed on annealed films. The diodes, thus, indicated the existence of barrier inhomogenity at the M-S interface. The annealed Schottky diodes also demonstrated better ideality factor values with increased thickness of CIS layer.
When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/27928 |
Розташовується у зібраннях: |
Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics) |
Views
Brazil
1
Canada
2
China
14
France
-1576951470
Germany
241
Greece
1
Hong Kong SAR China
1
India
1573995360
Iran
2
Ireland
1920867
Japan
1
Lithuania
1
Malaysia
1
Netherlands
10
Romania
3
Russia
19
Singapore
1
Slovakia
2
South Korea
-502905085
Switzerland
1
Taiwan
1
Tunisia
1
Turkey
-799883303
United Kingdom
215008032
United States
-1828508643
Unknown Country
429974892
Vietnam
123486
Україна
429974896
Downloads
China
41
France
1
Germany
242
India
1573995361
Japan
-1828508642
Lithuania
1
Singapore
1
South Korea
1
Tunisia
1
United Kingdom
1
United States
-1828508644
Unknown Country
181
Vietnam
1
Україна
429974897
Files
Файл | Розмір | Формат | Downloads |
---|---|---|---|
Parihar.pdf | 483.38 kB | Adobe PDF | -1653046557 |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.