Optical Dispersion In Annealed Thin Films of S-doped a-Si:H Alloys

Purohit, L.P.; Gupta, H.; Pal, Pankaj K.; Kumar, A.; Kumar, R.; Mehra, R.M.

Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/30974

Використовуйте наступні посилання для розповсюдження матеріалу в соціальних мережах: Рекомендувати цей матеріал

Назва	Optical Dispersion In Annealed Thin Films of S-doped a-Si:H Alloys
Автори	Purohit, L.P. Gupta, H. Pal, Pankaj K. Kumar, A. Kumar, R. Mehra, R.M.
ORCID
Ключові слова	a-Si:H thin films Doping concentrations Annealing temperatures Transmittance Optical constants
Вид документа	Стаття
Дати випуску	2013
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу)	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/30974
Видавець	Сумський державний університет
Ліцензія	Copyright не зазначено
Бібліографічний опис	L.P. Purohit, H. Gupta, Pankaj K. Pal, et al., J. Nano- Electron. Phys. 5 No 1, 01020 (2013)
Короткий огляд (реферат)	S-doped amorphous hydrogenated silicon (a-Si,S:H) thin films were prepared by conventional PECVD method on corning glass substrates. The prepared thin films were subsequently annealed in vacuum (~ 2 × 10 – 6 Torr) in the temperature range from 100 °C to 500 °C. The annealing effects at room temperature were examined by means of optical transmission spectra of the films in the wavelength range 300-1100 nm. Dispersion in optical constants such as transmittance, bandgap and refractive index were observed. Tailoring in optical constants was observed with respect to doping concentrations as well as the annealing temperatures. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/30974
Розташовується у зібраннях:	Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)