Diode Based on Amorphous SiC

Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/33656

Використовуйте наступні посилання для розповсюдження матеріалу в соціальних мережах: Рекомендувати цей матеріал

Назва	Diode Based on Amorphous SiC
Автори	Zakhvalinskii, V.S. Borisenko, L.V. Aleynikov, A.J. Piljuk, E.A. Goncharov, I. Taran, S.V.
ORCID
Ключові слова	Atomic force microscopy Transmission electron microscope Silicon carbide Thin films
Вид документа	Стаття
Дати випуску	2013
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу)	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/33656
Видавець	Сумський державний університет
Ліцензія	Copyright не зазначено
Бібліографічний опис	V.S. Zakhvalinskii, L.V. Borisenko, A.J. Aleynikov, et al., J. Nano- Electron. Phys. 5 No 4, 04029 (2013)
Короткий огляд (реферат)	Diode structure on the basis of amorphous silicon carbide and p-type polycrystalline silicon (Eurosolar) were obtained with magnetron RF-nonreactive sputtering method from solid-phase target in argon atmosphere. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/33656
Розташовується у зібраннях:	Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)