Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/3531
Використовуйте наступні посилання для розповсюдження матеріалу в соціальних мережах: Рекомендувати цей матеріал
Назва Розмірні кінетичні ефекти у полікристалічних плівках
Автори Басов, Андрій Геннадійович
Дехтярук, Леонід Васильович
Шкурдода, Ю.О.
Чорноус, Анатолій Миколайович  
Басов, Андрей Геннадьевич
ORCID http://orcid.org/0000-0002-5009-5445
Ключові слова полікристалічна плівка
електрофізичні властивості
кінетичні коефіцієнти
поликристаллическая пленка
электрофизические свойства
кинетические коэффициенты
pollykrystalline film
electrical properties
kinetic coefficients
Вид документа
Дати випуску 2010
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу) http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/3531
Видавець Вид-во СумДУ
Ліцензія
Бібліографічний опис Розмірні кінетичні ефекти у полікристалічних плівках [Текст] / А.Г. Басов, Л.В. Дехтярук, Ю.О. Шкурдода, А.М. Чорноус // Журнал нано- та електронної фізики. - 2010. - Т.2, №2. - С.6-24.
Короткий огляд (реферат) У роботі наведені результати як теоретичних, так і експериментальних досліджень електрофізичних властивостей (питомої провідності та температурного коефіцієнту опору), які характеризують електронний транспорт у металевих полікристалічних плівках. Показано, що числові значення зазначених кінетичних коефіцієнтів у тонких провідниках суттєво відрізняються від відповідних транспортних коефіцієнтів у масивних провідниках. Причина цієї відмінності полягає у тому, що у тонких полікристалічних плівках одночасно реалізується як внутрішній розмірний ефект (релаксація носіїв заряду на міжкристалітних межах), так і зовнішній розмірний ефект (розсіяння електронів на зовнішніх межах зразка), що призводить до суттєвої залежності кінетичних коефіцієнтів від внутрішньої структури, товщини та ступеня шорсткостей зовнішніх меж провідника. Розглянуті моделі розмірних ефектів використані для аналізу транспортних ефектів в полікристалічних плівках, а наведені асимптотичні вирази для розрахунку параметрів електроперенесення у моноблочних плівках Al i Ni. Показано, що узгодження експериментальних і розрахункових значень питомої провідності і ТКО у кожному конкретному випадку досягається при використанні коефіцієнта зерномежового розсіювання, як підгоночного параметра. Значення цього коефіцієнта складає: при розрахунках питомої провідності 0,37÷0,46 (плівки Ni) і 0,09÷0,30 (плівки Al) та при розрахунках ТКО 0,37÷0,40 (плівки Ni) і 0,15÷0,36 (плівки Al). При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/3531
The theoretical and experimental studies of electrophysical properties (conductivity and temperature coefficient of resistance) of metal films with a polycrystalline structure are performed in this paper. It is shown, that the numerical values of these kinetic coefficients in thin conductors are essentially different from the corresponding transport coefficients in thick samples. The reason of this difference lies in the simultaneous realization in thin polycrystalline films both of the internal size effects (relaxation of charge carries at the grain boundaries) and the external size effects (electron scattering at the outer boundaries of the sample). As a result, the kinetic coefficients essentially depend on the internal structure, thickness, and degrees of surface roughness of the conductor. The size effects considered in the review are used to analyze the transport effects in polycrystalline films, and the given asymptotic expressions are used to calculate the electron transport parameters in Al and Ni monoblock films. Shown, that agreement between the experimental and theoretical values of conductivity and temperature coefficient of resistance in each specific case is achieved by using the grain-boundary scattering coeeficient as the adjusted parameter. The value of this coefficient is: 0,37 􀁹 0,46 (Ni films) and 0,09 􀁹 0,3 (Al films) while calculating the conductivity, and 0,37 􀁹 0,40 (Ni films) and 0,15 􀁹 0,36 (Al films) while calculating the temperature coefficient of resistance. При цитировании документа, используйте ссылку http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/3531
Розташовується у зібраннях: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Belgium Belgium
1
Bulgaria Bulgaria
1
China China
469
France France
1
Germany Germany
2190859
Greece Greece
121106
Ireland Ireland
660564
Lithuania Lithuania
1
Morocco Morocco
1
Netherlands Netherlands
2
Pakistan Pakistan
1
Romania Romania
1
Russia Russia
17
Singapore Singapore
1
Slovakia Slovakia
1
Spain Spain
1
Sweden Sweden
1
Taiwan Taiwan
1
Turkey Turkey
2
United Kingdom United Kingdom
8311115
United States United States
360246676
Unknown Country Unknown Country
404621138
Україна Україна
16545158

Downloads

Bangladesh Bangladesh
1
China China
5
France France
2
Germany Germany
315872212
Italy Italy
1
Lithuania Lithuania
1
Poland Poland
17
Russia Russia
1
Singapore Singapore
1
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
182748830
Unknown Country Unknown Country
403
Україна Україна
315872212

Files

Файл Розмір Формат Downloads
jnep_2010_V2_N2_06-24.pdf 448.39 kB Adobe PDF 814493687

Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.