Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35607
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Узгодження каскадів високочастотних електронних пристроїв
Other Titles Согласование каскадов высокочастотных электронных устройств
Matching Cascades of High-Frequency Electronic Devices
Authors Кудря, В.Г.
Keywords Інтегральна схема
Узгодження каскадів
Методи моделювання
CAD
Интегральная схема
Согласование каскадов
Методы моделирования
Integrated circuit
Bullet transformer
Modeling
Type Article
Date of Issue 2013
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35607
Publisher Сумський державний університет
License
Citation Кудря, В.Г. Узгодження каскадів високочастотних електронних пристроїв [Текст] / В.Г. Кудря // Журнал нано- та електронної фізики. - 2013. - Т.5, №3, Ч.ІІ. - 03032.
Abstract У роботі описуються особливості моделювання надвисокочастотного електромагнітного взаємовпливу, що формує внутрішній електромагнітний стан монолітних інтегральних схем. Як приклад, наводиться дослідження узгоджуючих пристроїв, що виконані у вигляді смугових ліній. Запропонований спосіб моделювання, дозволяє визначити залежності кінцевих частотних та часових характеристик каскадних схем підсилювачів від морфології узгоджувачів. В такий спосіб відображаються фізичні процеси не лише внутрішнього, але і зовнішнього прояву розподілених у просторі нано та мікро- технологічних смужкових структур. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35607
В работе описываются особенности моделирования СВЧ электромагнитного взаимовлияния, фор- мирущего внутреннее электромагнитное состояние монолитных интегральных схем. Как пример, приводится исследования согласующих устройств, выполненных в виде полосовых линий. Предло- женный способ моделирования, позволяет определить зависимости конечных частотных и временных характеристики каскадных схем усилителей от морфологии согласующих устройств. Таким образом отражаются физические процессы не только внутреннего, но и внешнего проявления распределенных в пространстве нано и микро-технологических полосковых структур. При цитировании документа, используйте ссылку http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35607
The work is aimed to the features of simulation of the microwave electromagnetic interaction, which forms an internal electromagnetic state of monolithic integrated circuits. In particular, we perform the study of matching devices, which are made as the band-pass lines. The proposed simulation technique lets us to determinate the dependence of finite frequency and temporal characteristics of cascading schemes of amplifiers on the morphology of matching devices. In such a way both the internal and external processes in spatially distributed strip nano- and microstructures are reflected. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35607
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

China China
1
EU EU
1
Germany Germany
9
Lithuania Lithuania
1
Netherlands Netherlands
1
Russia Russia
5
Spain Spain
1
Turkey Turkey
3
Ukraine Ukraine
443
United Kingdom United Kingdom
1061
United States United States
2121
Unknown Country Unknown Country
3712

Downloads

China China
2
Germany Germany
2
Lithuania Lithuania
1
Ukraine Ukraine
444
United Kingdom United Kingdom
1
Unknown Country Unknown Country
26

Files

File Size Format Downloads
Kudrrya_Integrated circuit.pdf 295,92 kB Adobe PDF 476

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.