Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35647
Title: Оптичні та електрохімічні властивості шаруватих кристалів GaSe інтеркальованих нікелем
Other Titles: Оптические и электрохимические свойства слоистых кристаллов GaSe интеркалированных никелем
Optical and Electrochemical Properties of Layered Crystals GaSe Intercalated by the Nickel
Authors: Барбуца, С.Г.
Пирля, М.М.
Фешак, Т.М.
Ковалюк, З.Д.
Боледзюк, В.Б.
Keywords: Шаруваті кристали
Інтеркаляція
Нікелеві інтеркалати
Електродний потенціал
Екситонні спектри
Экситонные спектры
Слоистые кристаллы
Интеркаляция
Никелевые интеркаляты
Электродный потенциал
Layered crystals
Intercalation
Intercalates of nickel
Electrode potential
Exiton spectra
Issue Year: 2013
Publisher: Сумський державний університет
Citation: Оптичні та електрохімічні властивості шаруватих кристалів GaSe інтеркальованих нікелем [Текст] / С.Г. Барбуца, В.Б. Боледзюк, З.Д. Ковалюк та ін. // Журнал нано- та електронної фізики. - 2013. - Т.5, №3, Ч.ІІ. - 03053.
Abstract: Представлені результати досліджень оптичних та електрохімічних властивостей вказують на можливість інтеркаляції шаруватих кристалів GaSe іонами нікелю. Встановлено, що електрохімічне впровадження Ni приводить до монотонного збільшення електродного потенціалу шаруватого напівпровідника GaSe при досягненні концентрації інтеркалянту nNi  1018-1020 см – 3. Внаслідок інтеркаляції нікелем в кристалі GaSe при T  293 K відбувається зростання енергетичного положення екситонного максимуму Еекс на 6 меВ (від 2,008 до 2,014 еВ) та суттєве збільшення напівширини екситонної смуги поглинання Н на 5,2 меВ. При температурі Т  77 К виявлені немонотонні залежності енергетичного положення екситонного максимуму Еекс від концентрації, у сполуках NiGaSe. Представлені залежності Еекс(nNi) для цих сполук впровадження пояснюються як результат конкуренції між впливами внутрішньошарових і міжшарових деформацій, які володіють різними знаками деформаційного потенціалу. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35647
Предоставленные результаты исследований оптических и электрохимических свойств указывают на возможность интеркаляции слоистых кристаллов GaSe ионами никеля. Установлено, что электрохимиче- ское внедрение Ni приводит к монотонному увеличению электродного потенциала слоистого полупровод- ника GaSe при достижении концентрации интеркалянта nNi  1018-1020 см – 3. Вследствии интеркаляции никелем в кристалле GaSe при Т  293 К происходит увеличение энергетического положения экситонного максимума Еекс на 6 мэВ (от 2,008 до 2,014 эВ) и существенное увеличение полуширины экситонной по- лосы поглощения Н на 5,2 мэВ. При температуре Т  77 К обнаружены немонотонные зависимости энерге- тического положения экситонного максимума Еекс от концентрации в системах NiGaSe. Предоставленные зависимости Еекс(nNi) для этих систем внедрения объясняются как результат конкуренции между влияния- ми между – и внутрислоевых деформаций, которые имеют разные знаки деформационного потенциала. При цитировании документа, используйте ссылку http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35647
The presented results of the investigations of the optical and electrochemical properties indicate the possibility of intercalation of layered GaSe crystals with nickel ions. Established that the electrochemical introduction of Ni leads to a monotonic growth in electrode potential of layered semiconductors GaSe when a concentration of intercalants nNi  1018-1020сm – 3. In consequence of intercalation of nickel in GaSe crystal at T  293 K, occurred ncreases in the energy position of the exciton peak Eeks 6 meV (from 2.008 to 2.014 eV) and the half-width of the exciton absorption bands of H by 5.2 meV. At a temperature T  77 K was detected non- monotonous concentration dependence of the excitonic maximum energy location for Еeks NiGaSe compounds. The dependence Еeks(nNi) for these compounds are explained as a result of the introduction of competition between contributions of inter - and intralayer deformations which have the opposite signs of deformation potential. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35647
URI: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35647
Type: Article
Appears in Collections:Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views
Other145
China3
Czech Republic1
Germany12
Denmark1
Spain1
France1
Morocco1
Romania1
Russia30
Turkey5
Ukraine8
United States18
Downloads
Other41
China11
Germany2
Ukraine3
United States1


Files in This Item:
File Description SizeFormatDownloads 
Barbutsa_Layered crystals.pdf291.74 kBAdobe PDF58Download


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.