Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/3603
Title: Morfological and structural characteristics of II–VI semiconductor thin films (ZnTe,CdTe,ZnS)
Authors: Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych 
Kurbatov, Denys Ihorovych 
Kosiak, Volodymyr Volodymyrovych
Kolesnyk, Maksym Mykolaiovych
Danylchenko, Serhii Mykolaiovych
Keywords: II-VI полупроводниковые соединения
тонкие пленки
кристаллическая структура
дефекты кристаллической решетки
рентгеновская дифракция
замкнутое пространство сублимации
II-VI напівпровідникові з`єднання
тонкі плівки
кристалічна структура
дефекти кристалічної решітки
рентгенівська дифракція
замкнутий простір сублімації
II-VI semiconductor compounds
thin films
crystal structure
lattice defects
x-ray diffraction
closed space sublimation
Issue Year: 2008
Publisher: Publisher Taylor & Francis Group
Citation: Morfological and structural characteristics of II–VI semiconductor thin films (ZnTe,CdTe,ZnS) /A.A. Opanasyuk, D.I. Kurbatov, V.V. Kosyak at all. // Integrated Ferroelectrics — 2009. —103. — С. 32-40.
Abstract: Були досліджені морфологія поверхні і мікроструктурні характеристики тонких плівок ZnTe, CdTe і ZnS, отриманих методом квазі-замкнутого обєму. Структурні особливості шарів були розглянуті методами XRD, SEM і оптичної мікроскопії. Розмір областей когерентного розсіювання, решітки мікродеформації і концентрація дефектів зсуву були оцінені з рентгенівського дифракційного розширення. Проведені дослідження показують вплив умов одержання на основні структурні характеристики тонких плівок ZnTe, CdTe і ZnS. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/3603
Были исследованы морфология поверхности и микроструктурные характеристики тонких пленок ZnTe, CdTe и ZnS, полученных методом квази-замкнутого объема. Структурные особенности слоев были рассмотрены методами XRD, SEM и оптической микроскопией. Размер областей когерентного рассеяния, решетки микродеформации и концентрация дефектов сдвига были оценены из рентгеновского дифракционного уширения. Проведенные исследования показывают влияние условий получения на основные структурные характеристики тонких пленок ZnTe, CdTe и ZnS. При цитировании документа, используйте ссылку http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/3603
The surface morphology and microstructural characteristic of ZnTe, CdTe and ZnS thin films obtained by close-spaced sublimation technique were investigated. The structural features of layers were examined by XRD, SEM and optical microscopy. Size of coherent scattering regions, lattice microstrain and stacking fault defect concentration were estimated from X-ray diffraction line broadening. The investigation performed elucidates effect of preparation conditions on main structural characteristics of ZnTe, CdTe and ZnS thin films When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/3603
URI: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/3603
Type: Article
Appears in Collections:Наукові видання (ЕлІТ)

Views
Other117
Brazil2
Belarus1
China10
Czech Republic2
Germany12
Spain1
EU1
Finland1
France3
United Kingdom4
Israel1
Iran1
Italy1
Netherlands2
Pakistan1
Poland1
Romania3
Russia20
Slovakia1
Turkey3
Ukraine86
United States39
Vietnam1
Downloads
Other1940
Argentina1
Austria1
Belgium4
Brazil3
Canada4
China28
Germany8
Algeria17
Egypt13
Spain2
Ethiopia1
France1
United Kingdom5
Greece1
Hong Kong3
Indonesia3
Israel1
India38
Iraq5
Iran2
Japan22
Kenya1
South Korea11
Kuwait1
Sri Lanka2
Morocco3
Moldova2
Macedonia1
Mexico8
Malaysia3
Nigeria11
Netherlands2
Nepal6
Philippines1
Pakistan8
Poland2
Romania1
Russia10
Saudi Arabia1
Sweden1
Singapore2
Syria2
Thailand2
Tunisia2
Turkey2
Taiwan2
Ukraine10
United States32
Venezuela1
Vietnam1
South Africa1


Files in This Item:
File Description SizeFormatDownloads 
ThinFilms.pdf943.86 kBAdobe PDF2235Download


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.