Morfological and structural characteristics of II–VI semiconductor thin films (ZnTe,CdTe,ZnS)

Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Kurbatov, Denys Ihorovych; Kosiak, Volodymyr Volodymyrovych; Kolesnyk, Maksym Mykolaiovych; Danylchenko, Serhii Mykolaiovych

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/3603

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Morfological and structural characteristics of II–VI semiconductor thin films (ZnTe,CdTe,ZnS)
Authors	Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych Kurbatov, Denys Ihorovych Kosiak, Volodymyr Volodymyrovych Kolesnyk, Maksym Mykolaiovych Danylchenko, Serhii Mykolaiovych
Keywords	II-VI полупроводниковые соединения тонкие пленки кристаллическая структура дефекты кристаллической решетки рентгеновская дифракция замкнутое пространство сублимации II-VI напівпровідникові з`єднання тонкі плівки кристалічна структура дефекти кристалічної решітки рентгенівська дифракція замкнутий простір сублімації II-VI semiconductor compounds thin ﬁlms crystal structure lattice defects x-ray diffraction closed space sublimation
Type	Article
Date of Issue	2008
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/3603
Publisher	Publisher Taylor & Francis Group
License
Citation	Morfological and structural characteristics of II–VI semiconductor thin films (ZnTe,CdTe,ZnS) /A.A. Opanasyuk, D.I. Kurbatov, V.V. Kosyak at all. // Integrated Ferroelectrics — 2009. —103. — С. 32-40.
Abstract	Були досліджені морфологія поверхні і мікроструктурні характеристики тонких плівок ZnTe, CdTe і ZnS, отриманих методом квазі-замкнутого обєму. Структурні особливості шарів були розглянуті методами XRD, SEM і оптичної мікроскопії. Розмір областей когерентного розсіювання, решітки мікродеформації і концентрація дефектів зсуву були оцінені з рентгенівського дифракційного розширення. Проведені дослідження показують вплив умов одержання на основні структурні характеристики тонких плівок ZnTe, CdTe і ZnS. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/3603 Были исследованы морфология поверхности и микроструктурные характеристики тонких пленок ZnTe, CdTe и ZnS, полученных методом квази-замкнутого объема. Структурные особенности слоев были рассмотрены методами XRD, SEM и оптической микроскопией. Размер областей когерентного рассеяния, решетки микродеформации и концентрация дефектов сдвига были оценены из рентгеновского дифракционного уширения. Проведенные исследования показывают влияние условий получения на основные структурные характеристики тонких пленок ZnTe, CdTe и ZnS. При цитировании документа, используйте ссылку http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/3603 The surface morphology and microstructural characteristic of ZnTe, CdTe and ZnS thin ﬁlms obtained by close-spaced sublimation technique were investigated. The structural features of layers were examined by XRD, SEM and optical microscopy. Size of coherent scattering regions, lattice microstrain and stacking fault defect concentration were estimated from X-ray diffraction line broadening. The investigation performed elucidates effect of preparation conditions on main structural characteristics of ZnTe, CdTe and ZnS thin ﬁlms When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/3603
Appears in Collections:	Наукові видання (ЕлІТ)