Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/36034
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Механізм виникнення та нейтралізація залишкової трибоелектрики при скануванні кремнієвим зондом атомно - силового мікроскопу діелектричних поверхонь
Other Titles Механизм возникновения и нейтрализация остаточного трибоэлектричества при сканировании кремниевым зондом атомно - силового микроскопа диэлектрических поверхностей
Mechanism of Origin and Neutralization of Residual Triboelectricity at Scanning of Dielectric Surfaces by a Silicon Probe of the Atomic - force Microscope
Authors Бондаренко, М.О.
Білокінь, С.О.
Антонюк, В.С.
Бондаренко, Ю.Ю.
ORCID
Keywords Атомно-силова мікроскопія
Трибоелектрика
Діелектрична поверхня
Кремнієвий зонд
Багатофотонна іонізація
Атомно-силовая микроскопия
Трибоэлектричество
Диэлектрическая поверхность
Кремниевый зонд
Многофотонная ионизация
Трибоэлектричество
Atomic-force microscopy
Triboelectricity
Dielectric surface
Silicon probe
Multiphoton ionization
Type Article
Date of Issue 2014
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/36034
Publisher Сумський державний університет
License
Citation М.А. Бондаренко, С.А. Билоконь, В.С. Антонюк, Ю.Ю. Бондаренко, Ж. нано- электрон. физ. 6 № 2, 02018 (2014)
Abstract В статті встановлені причини та наведений механізм руйнівної дії сил електростатичної взаємодії кремнієвого зонду з діелектричними поверхнями при дослідженні їх мікрогеометрії та механічних характеристик методом атомно-силової мікроскопії. Проведений розрахунок сил електростатичної взаємодії двох кремнієвих поверхонь та визначена руйнівна дія електростатичного розряду, що виникає внаслідок трибоелектричного ефекту. Запропонований модуль зняття електростатичного заряду, принцип роботи якого полягає у формуванні зони провідності в місці контакту двох діелектриків шляхом багатофотонної іонізації. Показано, що застосування такого способу нейтралізації залишкової трибоелектрики підвищує точність, надійність та відтворюваність результатів сканування. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/36034
В статье установлены причины и приведен механизм разрушительного действия сил электростатического взаимодействия кремниевого зонда с диэлектрическими поверхностями при исследовании их микрогеометрии и механических характеристик методом атомно-силовой микроскопии. Проведен расчет сил электростатического взаимодействия двух кремниевых поверхностей и определено разру- шительное действие электростатического разряда, который возникает в результате трибоелектричного эффекта. Предложен модуль снятия электростатического заряда, принцип работы которого заключается в формировании зоны проводимости в месте контакта двух диэлектриков путем многофотонной ионизации. Показано, что применение такого способа нейтрализации остаточного трибоэлектричества повышает точность, надежность и воспроизводимость результатов сканирования. При цитировании документа, используйте ссылку http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/36034
The reasons and mechanism of the destructive effect of the electrostatic interaction forces of silicon probe and dielectric surfaces are established in the paper at the investigation of the surface microgeometry and mechanical characteristics by the atomic-force microscopy method.Calculation of the electrostatic interaction forces of two silicon surfaces is carried out and the destructive effect of electrostatic discharge appearing as a result of triboelectric effect is determined.The module of removal of electrostatic charge is proposed. Its principle of operation consists in the formation of the conduction band in the place of contact of two dielectrics by the multiphoton ionization. It is shown that application of such method of neutralization of residual triboelectricity improves accuracy, reliability, and reproducibility of the scanning results. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/36034
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Canada Canada
1
China China
52
France France
116538
Germany Germany
6765144
Greece Greece
41941210
Ireland Ireland
1394876197
Italy Italy
1
Lithuania Lithuania
1
Netherlands Netherlands
116536
Poland Poland
1
Russia Russia
6765134
Singapore Singapore
1
Sweden Sweden
6765140
Turkey Turkey
4
Ukraine Ukraine
-1294707091
United Kingdom United Kingdom
481645839
United States United States
-1945129474
Unknown Country Unknown Country
962174441

Downloads

China China
-1945129473
Germany Germany
2
Ireland Ireland
1
Lithuania Lithuania
1
Singapore Singapore
1
Ukraine Ukraine
194727
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
-338670324
Unknown Country Unknown Country
62

Files

File Size Format Downloads
Bondarenko_.pdf 588.04 kB Adobe PDF 2011362294

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.