Influence of solution precursors on structure of ZnO films

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/38273

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Influence of solution precursors on structure of ZnO films
Authors	Berestok, Taisiia Oleksandrivna Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych
Keywords	тонкі плівки тонкие пленки thin films структурні властивості структурные свойства structure properties
Type	Conference Papers
Date of Issue	2014
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/38273
Publisher	Астропринт
License
Citation	Berestok, T.O. Influence of solution precursors on structure of ZnO films [Text] / T.O. Berestok, A.S. Opanasyuk // Сенсорна електроніка та мікросистемні технології: 6-та Міжнародна науково-технічна конференція (з виставкою розробок та промислових зразків сенсорів) "СЕМСT-6", Україна, Одеса, 29.09 - 03.10.2014 р. - Одеса: Астропринт, 2014. - C. 56
Abstract	Owing to the wide range of zinc oxide applications as the base material of creation of gas sensors, sensors of various types of radiation, devices of micro- and optoelectronics, it has attracted a great attention of researchers. Due to a large band gap Eg = 3.37 eV, ZnO can be used as window and conductive layers of solar cells.
Appears in Collections:	Наукові видання (ЕлІТ)