Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/38472
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Температурні зміни енергії електрона в наноплівках AlxGa1 – xAs / GaAs / AlxGa1 – xAs різної товщини та складу бар’єрного матеріалу
Other Titles Температурные изменения энергии электрона в нанопленках AlxGa1 – xAs / GaAs / AlxGa1 – xAs различной толщины и состава барьерного материала
Temperature Dependences of the Electron Energy in AlxGa1 – xAs / GaAs / AlxGa1 – xAs Nanofilms of Different Thickness and Composition of the Barrier Material
Authors Кондрюк, Д.В.
Крамар, В.М.
Keywords Наногетероструктура
Квантова яма
Електрон
Енергія
Наногетероструктура
Квантовая яма
Электрон
Энергия
Nanoheterostructure
Quantum well
Electron
Energy
Type Article
Date of Issue 2014
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/38472
Publisher Сумський державний університет
License
Citation Д.В. Кондрюк, В.М. Крамар, Ж. нано- електрон. фіз. 6 No 4, 04032 (2014)
Abstract У рамках моделі прямокутної квантової ями скінченної глибини розраховано температурні залежності енергії дна основної мінізони електрона в наноплівках AlxGa1 – xAs / GaAs / AlxGa1 – xAs різної товщини з різною концентрацією (x) бар’єрного матеріалу. Розрахунки виконані методом функцій Ґріна з використанням наближення ефективних мас для електронної системи та моделі діелектричного континууму – для фононної. Взято до уваги взаємодію з усіма гілками спектра оптичних фононів: обмежених у ямному матеріалі, напівобмежених – у бар’єрному та інтерфейсних. Показано, що зростання температури від 0 до 300 K може викликати збільшення величини довгохвильового зміщення дна основної мінізони електрона приблизно на 25-30 %, залежно від товщини наноплівки та концентрації x.
В рамках модели прямоугольной квантовой ямы конечной глубины рассчитаны температурные зависимости энергии дна основной минизоны электрона в наноплѐнках AlxGa1 – xAs / GaAs / AlxGa1 – xAs различной толщины с разной концентрацией (x) барьерного материала. Расчеты выполнены методом функций Грина с использованием приближения эффективных масс для электронной системы и модели диэлектрического континуума – для фононной. Учтено взаимодействие со всеми ветвями спектра оптических фононов: ограниченных в ямном материале, полуограниченных – в барьерном и интерфейсных. Показано, что возрастание температуры от 0 до 300 K может вызывать увеличение величины длинноволнового смещения дна основной минизоны электрона примерно на 25-30 %, в зависимости от толщины наноплѐнки и концентрации x.
Temperature dependences of the energy of electron ground state in AlxGa1 – xAs / GaAs / AlxGa1 – xAs nanofilms of different thickness and concentrations (x) of the barrier material were calculated. Calculations were performed by using the Green functions method, approximation of the effective masses for the electronic system and model of the dielectric continuum – for phonons. The interaction of all branches of the optical phonons: confined in the well material, semi-spaced – in barrier medium and interface has been taken into account. It is shown that the increase in the temperature from 0 to 300 K can cause the increase in the magnitude of long-wave shift of the electron energy about 25-30 % depending on the nanofilm thickness and concentration x.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Canada Canada
1
China China
66
France France
1
Germany Germany
3
Italy Italy
2
Netherlands Netherlands
1378
Russia Russia
2
Ukraine Ukraine
596
United Kingdom United Kingdom
5509
United States United States
693
Unknown Country Unknown Country
11

Downloads

China China
4
Germany Germany
2
Ukraine Ukraine
498
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
597
Unknown Country Unknown Country
18

Files

File Size Format Downloads
Kondryuk_Kramar.pdf 352,26 kB Adobe PDF 1120

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.