Please use this identifier to cite or link to this item:
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/38472
Or use following links to share this resource in social networks:
Tweet
Recommend this item
Title | Температурні зміни енергії електрона в наноплівках AlxGa1 – xAs / GaAs / AlxGa1 – xAs різної товщини та складу бар’єрного матеріалу |
Other Titles |
Температурные изменения энергии электрона в нанопленках AlxGa1 – xAs / GaAs / AlxGa1 – xAs различной толщины и состава барьерного материала Temperature Dependences of the Electron Energy in AlxGa1 – xAs / GaAs / AlxGa1 – xAs Nanofilms of Different Thickness and Composition of the Barrier Material |
Authors |
Кондрюк, Д.В.
Крамар, В.М. |
ORCID | |
Keywords |
Наногетероструктура Квантова яма Електрон Енергія Наногетероструктура Квантовая яма Электрон Энергия Nanoheterostructure Quantum well Electron Energy |
Type | Article |
Date of Issue | 2014 |
URI | http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/38472 |
Publisher | Сумський державний університет |
License | |
Citation | Д.В. Кондрюк, В.М. Крамар, Ж. нано- електрон. фіз. 6 No 4, 04032 (2014) |
Abstract |
У рамках моделі прямокутної квантової ями скінченної глибини розраховано температурні залежності енергії дна основної мінізони електрона в наноплівках AlxGa1 – xAs / GaAs / AlxGa1 – xAs різної
товщини з різною концентрацією (x) бар’єрного матеріалу. Розрахунки виконані методом функцій Ґріна
з використанням наближення ефективних мас для електронної системи та моделі діелектричного континууму – для фононної. Взято до уваги взаємодію з усіма гілками спектра оптичних фононів: обмежених у ямному матеріалі, напівобмежених – у бар’єрному та інтерфейсних. Показано, що зростання температури від 0 до 300 K може викликати збільшення величини довгохвильового зміщення дна основної
мінізони електрона приблизно на 25-30 %, залежно від товщини наноплівки та концентрації x. В рамках модели прямоугольной квантовой ямы конечной глубины рассчитаны температурные зависимости энергии дна основной минизоны электрона в наноплѐнках AlxGa1 – xAs / GaAs / AlxGa1 – xAs различной толщины с разной концентрацией (x) барьерного материала. Расчеты выполнены методом функций Грина с использованием приближения эффективных масс для электронной системы и модели диэлектрического континуума – для фононной. Учтено взаимодействие со всеми ветвями спектра оптических фононов: ограниченных в ямном материале, полуограниченных – в барьерном и интерфейсных. Показано, что возрастание температуры от 0 до 300 K может вызывать увеличение величины длинноволнового смещения дна основной минизоны электрона примерно на 25-30 %, в зависимости от толщины наноплѐнки и концентрации x. Temperature dependences of the energy of electron ground state in AlxGa1 – xAs / GaAs / AlxGa1 – xAs nanofilms of different thickness and concentrations (x) of the barrier material were calculated. Calculations were performed by using the Green functions method, approximation of the effective masses for the electronic system and model of the dielectric continuum – for phonons. The interaction of all branches of the optical phonons: confined in the well material, semi-spaced – in barrier medium and interface has been taken into account. It is shown that the increase in the temperature from 0 to 300 K can cause the increase in the magnitude of long-wave shift of the electron energy about 25-30 % depending on the nanofilm thickness and concentration x. |
Appears in Collections: |
Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics) |
Views
![Canada](/flags/ca.gif)
1
![China](/flags/cn.gif)
16223390
![France](/flags/fr.gif)
1
![Germany](/flags/de.gif)
24335054
![Ireland](/flags/ie.gif)
46123
![Italy](/flags/it.gif)
2
![Lithuania](/flags/lt.gif)
1
![Netherlands](/flags/nl.gif)
1378
![Russia](/flags/ru.gif)
2
![Ukraine](/flags/ua.gif)
608539
![United Kingdom](/flags/gb.gif)
307025
![United States](/flags/us.gif)
6540048
![Unknown Country](/flags/--.gif)
608538
Downloads
![China](/flags/cn.gif)
24335052
![Germany](/flags/de.gif)
24335055
![Lithuania](/flags/lt.gif)
1
![Ukraine](/flags/ua.gif)
608540
![United Kingdom](/flags/gb.gif)
1
![United States](/flags/us.gif)
24335053
![Unknown Country](/flags/--.gif)
18
Files
File | Size | Format | Downloads |
---|---|---|---|
Kondryuk_Kramar.pdf | 352,26 kB | Adobe PDF | 73613720 |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.