Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/38475
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Оптичні та рекомбінаційні втрати у тонкоплівкових сонячних елементах на основні гетеропереходів n-ZnS(n-CdS) / p-CdTe із струмознімальними контактами ITO та ZnO
Other Titles Оптические и рекомбинационные потери в тонкопленочных солнечных элементах на основе гетеропереходов n-ZnS(n-CdS) / p-CdTe с токосъемными контактами ITO та ZnO
Optical and recombination losses in thin film solar cells based on heterojunctions n-ZnS(n-CdS) / p-CdTe with current collecting contacts ITO and ZnO
Authors Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych  
Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych  
Hrynenko, Vitalii Viktorovych
Keywords Тонкоплівкові сонячні елементи
n-CdS / p-CdTe
n-ZnS / p-CdTe
Оптичні втрати
Рекомбінаційні втрати
Ефективність
Тонкопленочные солнечные элементы
n-CdS / p-CdTe
n-ZnS / p-CdTe
Оптические потери
Рекомбинационные потери
Эффективность
Thin films solar cells
n-CdS / p-CdTe
n-ZnS / p-CdTe
Optical losses
Recombination losses
Efficiency
Type Article
Date of Issue 2014
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/38475
Publisher Сумський державний університет
License
Citation О.А. Доброжан, А.С. Опанасюк, В.В. Гриненко, Ж. нано- електрон. фіз. 6 № 4, 04035 (2014)
Abstract В работе определены оптические и рекомбинационные потери во вспомагательных и поглощащих слоях солнечных элементов на основе гетеропереходов n-ZnS / p-CdTe и n-CdS / p-CdTe с токосъемными фронтальными контактами ITO и ZnO. В результате рассчитаны спектральные зависимости коэффициента пропускания (Т) света фотопреобразователей при учете его отражения от границ контактирующих материалов и в случае его поглощения во вспомогательных слоях солнечных элементов. Исследовано влияние оптических и рекомбинационных потерь в СЭ со структурой ITO(ZnO) / CdS(ZnS) / CdTe на ток короткого замыкания (Jкз) и эффективность (η) фотопреобразователей при различной толщине оконных слоев CdS (ZnS) (50-300 нм) и постоянной токосъемных слоев (200 нм). Установлено, что наибольшие значения эффективности (15,9-16,1 %) имеют солнечные элементы со структурой ZnO / ZnS / CdTe при концентрации нескомпенсированных акцепторов в поглощающем слое (Na – Nd) = 1015-1017 см – 3 и толщине оконного слоя 50 нм.
В работе определены оптические и рекомбинационные потери во вспомагательных и поглощающих слоях солнечных элементов на основе гетеропереходов n-ZnS / p-CdTe и n-CdS / p-CdTe с токосъемными фронтальными контактами ITO и ZnO. В результате рассчитаны спектральные зависимости коэффициента пропускания (Т) света фотопреобразователей при учете его отражения от границ контактирующих материалов и в случае его поглощения во вспомогательных слоях солнечных элементов. Исследовано влияние оптических и рекомбинационных потерь в СЭ со структурой ITO(ZnO) / CdS(ZnS) / CdTe на ток короткого замыкания (Jкз) и эффективность (η) фотопреобразователей при различной толщине оконных слоев CdS (ZnS) (50-300 нм) и постоянной токосъемных слоев (200 нм). Установлено, что наибольшие значения эффективности (15,9-16,1 %) имеют солнечные элементы со структурой ZnO / ZnS / CdTe при концентрации нескомпенсированных акцепторов в поглощающем слое (Na – Nd) = 1015-1017 см – 3 и толщине оконного слоя 50 нм.
The optical and recombination losses in auxiliary and absorbing layers of solar cells based on heterojunctions n-ZnS / p-CdTe and n-CdS / p-CdTe with current collecting front sublayers ITO and ZnO were determined. As a result, spectral dependence of light transmittance (T) of solar cells, taking into account its reflections from the boundaries of the contacting materials and in case of absorption in the auxiliary layers of solar cells was calculated. The influence of optical and recombination losses in the solar cell structure ITO (ZnO) / CdS (ZnS) / CdTe on the short circuit current (Jsc) and efficiency (η) of solar cells with different thickness of the window layer CdS (ZnS) (50-300 nm) and constant current collecting layer (200 nm) was investigated. It has been established that the greatest efficiency values (15,9-16,1%) solar cells have the structure of ZnO / ZnS / CdTe at a concentration of uncompensated acceptors in the absorbent layer (Na – Nd) = 1015-1017 cm – 3 and the window layer thickness of 50 nm.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Canada Canada
1
China China
45
Czechia Czechia
1
France France
5
Germany Germany
4
Italy Italy
1
Japan Japan
1
Netherlands Netherlands
2165
Russia Russia
3
Sweden Sweden
1
Switzerland Switzerland
1
Ukraine Ukraine
986
United Kingdom United Kingdom
8657
United States United States
1084
Unknown Country Unknown Country
29

Downloads

China China
12
France France
3
Germany Germany
2
Japan Japan
1
Romania Romania
1
Russia Russia
2167
Sweden Sweden
1
Switzerland Switzerland
1
Ukraine Ukraine
987
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
1085
Unknown Country Unknown Country
56

Files

File Size Format Downloads
Dobrozhan_Opanasyuk_Grynenko.pdf 730,07 kB Adobe PDF 4317

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.