Низькорозмірні структури GaN

Abstract

Вперше досліджено низькорозмірні структури GaN на поверхні поруватого GaAs отримані мето- дом нітридизації поруватих шарів GaAs, розглянуто процес електрохімічного травлення GaAs з пода- льшою обробкою в атомарному азоті, у результаті чого на поверхні GaAs формуються квантові точки GaN. При осаджені на поверхню GaAs відбувається заміщення атомів As атомами N, яке призводить до формуванння тонкого шару GaN на поверхні GaAs. Досліджено їх фотолюмінесценцію і морфоло- гію поверхні методом скануючої електронної спектроскопії.

Впервые исследованы низкоразмерные структуры GaN на поверхности пористого GaAs полученного методом нитридизации пористых слоев GaAs, рассмотрен процесс электрохимического травления GaAs с последующей обработкой в атомарном азоте, в результате чего на поверхности GaAs формируются кван- товые точки GaN. При осаждении на поверхность GaAs происходит замещение атомов As атомами N, ко- торое приводит к формированию тонкого слоя GaN на поверхности GaAs. Исследованы их фотолюми- несценция и морфология поверхности методом сканирующей электронной спектроскопии.

The GaN low-dimensional structures obtained by nitridation of GaAs porous layers were investigated for the first time. The process of GaN quantum dots formation on the GaAs surface was considered. This process was a result of electrochemical etching of GaAs followed by treatment in atomic nitrogen environment. Nitrogen atoms, which were deposited on the GaAs surface, replace arsenic ones that lead to the formation of a thin GaN layer on the GaAs surface. The photoluminescence and surface morphology of the structures obtained were studied by scanning electron spectroscopy.