Пленки сульфида олова, полученные сульфуризацией прекурсоров из электроосажденного олова

Клочко, Н.П.; Момотенко, А.В.; Любов, В.Н.; Волкова, Н.Д.; Копач, В.Р.; Хрипунов, Г.С.; Кириченко, М.В.; Зайцев, Р.В.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/39058

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Пленки сульфида олова, полученные сульфуризацией прекурсоров из электроосажденного олова
Other Titles	Плівки сульфіду олова, отримані сульфурізацією прекурсорів з електроосадженного олова Tin Sulfide Films Obtained by Sulfurization of Electrodeposited Tin Precursors
Authors	Клочко, Н.П. Момотенко, А.В. Любов, В.Н. Волкова, Н.Д. Копач, В.Р. Хрипунов, Г.С. Кириченко, М.В. Зайцев, Р.В.
ORCID
Keywords	Сульфид олова SnS Электрохимическое осаждение Сульфуризация Прекурсор Полупроводник Сульфід олова SnS Електрохімічне осадження Сульфурізація Прекурсор Напівпровідник Tin sulfide SnS Electrochemical deposition Sulfurization Precursor Semiconductor
Type	Article
Date of Issue	2015
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/39058
Publisher	Сумский государственный университет
License
Citation	Н.П. Клочко, А.В. Момотенко, В.Н. Любов, и др., Ж. нано- электрон. физ. 7 № 1, 01014 (2015)
Abstract	Робота присвячена розробці економічно вигідної і придатної для широкомасштабного виробництва методики отримання тонких плівок сульфіду олова SnS фотовольтаїчного призначення. Шляхом сульфурізаціі в парах сірки плівок олова, електроосаджених зі стандартного розчину лудіння, були синтезовані тонкі плівки SnS з орторомбічної структурою герценбергіта. Синтезований полікристалічний матеріал SnS є електронним напівпровідником з оптимальними для використання в сонячних елементах шириною забороненої зони і коефіцієнтом оптичного поглинання. Работа посвящена разработке экономически выгодной и пригодной для широкомасштабного производства методики получения тонких пленок сульфида олова SnS фотовольтаического назначения. Тонкие пленки SnS с орторомбической структурой герценбергита были синтезированы путем сульфуризации в парах серы слоев олова, электроосажденных из стандартного раствора оловянирования. Синтезированный поликристаллический материал SnS является электронным полупроводником с шириной запрещенной зоны и коэффициентом оптического поглощения оптимальными для использования в солнечных элементах. This article is devoted to the development of cost-effective and suitable for large-scale production method for obtaining thin films of tin sulfide SnS for photovoltaic applications. Thin films of SnS with orthorhombic structure (Herzenbergite) were synthesized by sulfurization in sulfur vapor of tin films electrodeposited from a standard tinning solution. SnS synthesized polycrystalline material was an electronic semiconductor with bandgap and optical absorption coefficient optimum for utilization in solar cell.
Appears in Collections:	Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)