Использование пористых соединений А3В5 для обкладок суперконденсатора

Дяденчук, А.Ф.; Кидалов, В.В.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/39065

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Использование пористых соединений А3В5 для обкладок суперконденсатора
Other Titles	Використання поруватих з'єднань А3В5 для обкладинок суперконденсатора Use of the Porous A3B5 Compounds for Supercapacitor Electrodes
Authors	Дяденчук, А.Ф. Кидалов, В.В.
ORCID
Keywords	Суперконденсатор Электрохимическое травление полупроводников Емкость конденсатора Суперконденсатор Електрохімічне травлення напівпровідників Ємність конденсатора Supercapacitor Electrochemical etching of semiconductors Capacitance
Type	Article
Date of Issue	2015
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/39065
Publisher	Сумский государственный университет
License
Citation	А.Ф. Дяденчук, В.В. Кідалов, Ж. нано- электрон. физ. 7 № 1, 01021 (2015)
Abstract	В якості заміни активованого вугілля для електродів суперконденсаторів запропоновано використання пористих пластин GaAs і GaP. Поруваті обкладки отримані методом електрохімічного травлення. Наводиться опис методики отримання суперконденсаторів на основі пористих напівпровідників А3В5. Площа пористої поверхні визначена методом газової адсорбції. Описано спосіб розрахунку електричної ємності суперконденсатора, створеного на пористих пластинах GaAs і GaP. В качестве замены активированного угля для электродов суперконденсаторов предложено использование пористых пластин GaAs и GaP. Пористые обкладки получены методом электрохимического травления. Приводится описание методики получения суперконденсаторов на основе пористых полупроводников А3В5. Площадь пористой поверхности определена методом газовой адсорбции. Описан способ расчета электрической емкости суперконденсатора, созданного на пористых пластинах GaAs и GaP. Use of GaAs and GaP porous plates is proposed as a replacement of activated carbon electrodes for supercapacitors. Porous electrodes are prepared by electrochemical etching. Description of the production technique of supercapacitors based on porous semiconductors A3B5 is presented. Area of the porous surface is defined by gas adsorption method. The method for calculation of supercapacitor capacitance created on GaAs and GaP porous plates is described.
Appears in Collections:	Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)