Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/39065
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Использование пористых соединений А3В5 для обкладок суперконденсатора
Other Titles Використання поруватих з'єднань А3В5 для обкладинок суперконденсатора
Use of the Porous A3B5 Compounds for Supercapacitor Electrodes
Authors Дяденчук, А.Ф.
Кидалов, В.В.
Keywords Суперконденсатор
Электрохимическое травление полупроводников
Емкость конденсатора
Суперконденсатор
Електрохімічне травлення напівпровідників
Ємність конденсатора
Supercapacitor
Electrochemical etching of semiconductors
Capacitance
Type Article
Date of Issue 2015
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/39065
Publisher Сумский государственный университет
License
Citation А.Ф. Дяденчук, В.В. Кідалов, Ж. нано- электрон. физ. 7 № 1, 01021 (2015)
Abstract В якості заміни активованого вугілля для електродів суперконденсаторів запропоновано використання пористих пластин GaAs і GaP. Поруваті обкладки отримані методом електрохімічного травлення. Наводиться опис методики отримання суперконденсаторів на основі пористих напівпровідників А3В5. Площа пористої поверхні визначена методом газової адсорбції. Описано спосіб розрахунку електричної ємності суперконденсатора, створеного на пористих пластинах GaAs і GaP.
В качестве замены активированного угля для электродов суперконденсаторов предложено использование пористых пластин GaAs и GaP. Пористые обкладки получены методом электрохимического травления. Приводится описание методики получения суперконденсаторов на основе пористых полупроводников А3В5. Площадь пористой поверхности определена методом газовой адсорбции. Описан способ расчета электрической емкости суперконденсатора, созданного на пористых пластинах GaAs и GaP.
Use of GaAs and GaP porous plates is proposed as a replacement of activated carbon electrodes for supercapacitors. Porous electrodes are prepared by electrochemical etching. Description of the production technique of supercapacitors based on porous semiconductors A3B5 is presented. Area of the porous surface is defined by gas adsorption method. The method for calculation of supercapacitor capacitance created on GaAs and GaP porous plates is described.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Canada Canada
2
Cyprus Cyprus
1
France France
2
Germany Germany
5
Italy Italy
1
Japan Japan
1
Kazakhstan Kazakhstan
1
Lithuania Lithuania
1
Netherlands Netherlands
1928
Russia Russia
3
Saudi Arabia Saudi Arabia
1
Ukraine Ukraine
452
United Kingdom United Kingdom
7707
United States United States
11560
Unknown Country Unknown Country
19

Downloads

China China
18
Cyprus Cyprus
1
Germany Germany
2
Russia Russia
9
Turkey Turkey
1
Ukraine Ukraine
412
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
11561
Unknown Country Unknown Country
7

Files

File Size Format Downloads
Dyadenchuk.pdf 316,88 kB Adobe PDF 12012

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.