Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресус: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/39073
Название: Особливості напруженого стану германієвих нанокристалів в матриці SiOx
Другие названия: Особенности напряженного состояния германиевых нанокристаллов в матрице SiOx
Features of Stress State of Germanium Nanocrystals in SiOx Matrix
Авторы: Курилюк, В.В.
Коротченков, О.О.
Цибрій, З.Ф.
Ніколенко, А.С.
Стрельчук, В.В.
Ключевые слова: Нанокристал
Квантова точка
Механічні напруження
Гетероструктура
Нанокристалл
Квантовая точка
Механические напряжения
Гетероструктура
Nanocrystal
Quantum dot
Mechanical stress
Heterostructure
Год публикации: 2015
Издатель: Сумський державний університет
Библиографическое описание: В.В. Курилюк, О.А. Коротченков, З.Ф. Цибрий, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 7 № 1, 01029 (2015)
Реферат: З використанням ІЧ Фур’є-спектроскопії, раманівського розсіювання та комп’ютерного моделювання досліджуються особливості механічних напружень в германієвих нанокристалах, синтезованих в аморфній матриці SiOx з буферним шаром SixNy. Встановлено, що германієві нанокристали зазнають суттєвих напружень стиснення величиною до 2.9 ГПа. Високі значення деформацій пояснюються частковим проникненням нанокристалів у кремнієву підкладку. Основним джерелом механічних напружень в цьому випадку слугує невідповідність решіток кремнію та германію.
С использованием ИК Фурье-спектроскопии, рамановского рассеивания и компьютерного моделирования исследуются особенности механических напряжений в германиевых нанокристаллах, синтезированных в аморфной матрице SiОx с буферным слоем SixNy. Установлено, что германиевые нано- кристаллы испытывают существенные напряжения сжатия величиной до 2.9 ГПа. Столь высокие значения деформаций объясняются частичным проникновением нанокристаллов в кремниевую подложку. Основным источником механических напряжений в этом случае является несоответствие решеток кремния и германия.
Features of mechanical stress in germanium nanocrystals synthesised in amorphous SiОx matrix with SixNy buffer layer were studied by means of Fourier transform infrared absorption spectroscopy, Raman scattering and computer modeling. It was found that the germanium nanocrystals are under significant compressive stress with a magnitude of up to 2.9 GPa. Such a high strain value can be explained by a partial penetration of the nanocrystals in the silicon substrate. In this case the principal source of mechanical stress is the lattice mismatch between silicon and germanium.
URI: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/39073
Вид документа: Статья
Располагается в коллекциях:Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Просмотрено
Другие13
Болгария3
Канада1
Китай20
Германия5
Франция2
Соединенное Королевство1
Венгрия1
Румыния1
Украина11
Соединенные Штаты2
Скачано
Другие5
Болгария2
Китай12
Германия2
Франция3
Польша1
Турция1
Украина16


Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФорматЗагружено 
Kurilyuk.pdf489.32 kBAdobe PDF42Скачать


Все ресурсы в архиве защищены авторским правом, все права сохранены.