Умови формування Ag2GeSе3 в m-x просторі Ag-Ge-Se

Мороз, М.В.; Прохоренко, Н.В.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/39443

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Умови формування Ag2GeSе3 в m-x просторі Ag-Ge-Se
Authors	Мороз, М.В. Прохоренко, Н.В.
ORCID
Keywords	сполуки соединения compound гальванічні елементи гальванические элементы galvanic cells
Type	Conference Papers
Date of Issue	2014
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/39443
Publisher	Сумський державний університет
License
Citation	Мороз, М.В. Умови формування Ag2GeSe3 в m-x просторі Ag-Ge-Se [Текст] / М.В. Мороз, Н.В. Прохоренко // Фізика, електроніка, електротехніка : матеріали та програма науково-технічної конференції, м. Суми, 21-26 квітня 2014 р. / Відп. за вип. С.І. Проценко. - Суми : СумДУ, 2014. - С. 47.
Abstract	Мета роботи: методом ерс, з використанням гальванічних елементів структури C\|Ag\|AgI\|скло Ag[2]GeS[3]\|B\|C (С – графіт, AgI\|скло Ag[2]GeS[3] – іоноселективна мембрана, В – трифазні сплави до- сліджуваної системи) дослідити умови формування Ag[2]GeSe[3]; встановити фазовий спосіб поділу концентраційного трикутника Ag–Ge–Se.
Appears in Collections:	Наукові видання (ЕлІТ)