Динамический переход в двумерном электронном кристалле в условиях неполной экранировки прижимающего потенциала

Сивоконь, В.Е.; Наседкин, К.А.; Шарапова, И.В.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/39693

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Динамический переход в двумерном электронном кристалле в условиях неполной экранировки прижимающего потенциала
Authors	Сивоконь, В.Е. Наседкин, К.А. Шарапова, И.В.
ORCID
Keywords	електронний кристал электронный кристалл electron crystal динамічні переходи динамические переходы dynamic transitions
Type	Conference Papers
Date of Issue	2014
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/39693
Publisher	Сумский государственный университет
License
Citation	Сивоконь, В.Е. Динамический переход в двумерном электронном кристалле в условиях неполной экранировки прижимающего потенциала [Текст] / В.Е. Сивоконь, К.А. Наседкин, И.В. Шарапова // Фізика, електроніка, електротехніка : матеріали та програма науково-технічної конференції, м. Суми, 21-26 квітня 2014 р. / Відп. за вип. С.І. Проценко. - Суми : СумДУ, 2014. - С. 68.
Abstract	В данной работе исследованы динамические переходы в двумерном вигнеровском кристалле над поверхностью жидкого гелия в условиях неполной экранировки прижимающего потенциала. Обнаружено, что критическое электрическое поле, вызывающее переход, зависит от поверхностной плотности электронного слоя и не зависит от прижимающего поля. Предполагается, что динамический переход связан, в первую очередь, с разрушением пространственного порядка в системе, ведущего к делокализации электронов и, как следствие, к изменению особенностей электрон-риплонного взаимодействия.
Appears in Collections:	Наукові видання (ЕлІТ)