Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/39705
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Стійкість до 30кеВ протонного випромінювання структур In[2]O[3]-InSe та In[2]O[3]:Sn-Si
Authors Сидор, О.М.
ORCID
Keywords шаруваті кристали
слоистые кристаллы
layered crystals
протонне опромінення
протонное облучение
proton irradiation
Type Conference Papers
Date of Issue 2014
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/39705
Publisher Сумський державний університет
License
Citation Сидор, О.М. Стійкість до 30кеВ протонного випромінювання структур In[2]O[3]-InSe та In[2]O[3]:Sn-Si [Текст] / О.М. Сидор // Фізика, електроніка, електротехніка : матеріали та програма науково-технічної конференції, м. Суми, 21-26 квітня 2014 р. / Відп. за вип. С.І. Проценко. - Суми : СумДУ, 2014. - С. 110.
Abstract Структури на основі кремнію часто стають об’єктами досліджень у питанні впливу високоенергетичного випромінювання. Проте існує група шаруватих кристалів А[ІІІ]В[VІ], які незважаючи на сильну дефектність володіють високою фоточутливістю і радіаційною стійкістю.
Appears in Collections: Наукові видання (ЕлІТ)

Views

Canada Canada
1
China China
901869
Germany Germany
4
Ireland Ireland
15581
Italy Italy
1
Lithuania Lithuania
1
Netherlands Netherlands
385
Ukraine Ukraine
162365
United Kingdom United Kingdom
81951
United States United States
1803734
Unknown Country Unknown Country
3128257

Downloads

China China
3
Germany Germany
2
Ireland Ireland
15580
Lithuania Lithuania
1
Ukraine Ukraine
479211
United Kingdom United Kingdom
1537
United States United States
3128257
Unknown Country Unknown Country
2

Files

File Size Format Downloads
sidor_proton_irradiation.pdf 182.09 kB Adobe PDF 3624593

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.