Стійкість до 30кеВ протонного випромінювання структур In[2]O[3]-InSe та In[2]O[3]:Sn-Si

Сидор, О.М.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/39705

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Стійкість до 30кеВ протонного випромінювання структур In[2]O[3]-InSe та In[2]O[3]:Sn-Si
Authors	Сидор, О.М.
ORCID
Keywords	шаруваті кристали слоистые кристаллы layered crystals протонне опромінення протонное облучение proton irradiation
Type	Conference Papers
Date of Issue	2014
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/39705
Publisher	Сумський державний університет
License
Citation	Сидор, О.М. Стійкість до 30кеВ протонного випромінювання структур In[2]O[3]-InSe та In[2]O[3]:Sn-Si [Текст] / О.М. Сидор // Фізика, електроніка, електротехніка : матеріали та програма науково-технічної конференції, м. Суми, 21-26 квітня 2014 р. / Відп. за вип. С.І. Проценко. - Суми : СумДУ, 2014. - С. 110.
Abstract	Структури на основі кремнію часто стають об’єктами досліджень у питанні впливу високоенергетичного випромінювання. Проте існує група шаруватих кристалів А[ІІІ]В[VІ], які незважаючи на сильну дефектність володіють високою фоточутливістю і радіаційною стійкістю.
Appears in Collections:	Наукові видання (ЕлІТ)